一种利用低温等离子体制备石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN104773725A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201510165689.8

    申请日:2015-04-09

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种利用低温等离子体制备石墨烯的方法,其步骤是提供一反应器,在反应器进出口两端相对设置一对电极;提供金属箔的衬底,将衬底放入反应器中,通入H2,升温至500-1000℃对衬底进行还原处理;通入含有碳源的气体和载气至反应器,电极两端施加电压,电极通过电容耦合等离子体放电方式电离碳源气体,放电时间1-30分钟;放电结束后反应器冷却至室温,获得石墨烯材料,材料生长温度较低,石墨烯形貌可控,均匀性较好,工艺简单,成本低廉,且产品性能稳定。

    一种低维氧化锌纳米材料及其低温等离子体制备方法

    公开(公告)号:CN104058446B

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201410320048.0

    申请日:2014-07-08

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种低维氧化锌纳米材料及其低温等离子体制备方法。其制备方法包括如下步骤:(1)使用磁控溅射在硅片沉底上沉积一层锌薄膜。(2)将镀有锌薄膜的硅片放入低温等离子体增强水平管式炉沉积系统中,将其放在该系统后进行不同气体气氛比例条件下的等离子体放电处理,通过控制不同的处理温度以及放电电流可以得到不同形貌的氧化锌纳米材料。本发明制备方法制备出的氧化锌纳米材料,材料生长温度低,生长纳米材料质量好,工艺简单,成本低廉,且产品性能稳定,在光伏领域、气体探测器等应用领域有广阔前景。

    一种低维氧化锌纳米材料及其低温等离子体制备方法

    公开(公告)号:CN104058446A

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201410320048.0

    申请日:2014-07-08

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种低维氧化锌纳米材料及其低温等离子体制备方法。其制备方法包括如下步骤:(1)使用磁控溅射在硅片沉底上沉积一层锌薄膜。(2)将镀有锌薄膜的硅片放入低温等离子体增强水平管式炉沉积系统中,将其放在该系统后进行不同气体气氛比例条件下的等离子体放电处理,通过控制不同的处理温度以及放电电流可以得到不同形貌的氧化锌纳米材料。本发明制备方法制备出的氧化锌纳米材料,材料生长温度低,生长纳米材料质量好,工艺简单,成本低廉,且产品性能稳定,在光伏领域、气体探测器等应用领域有广阔前景。

    一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104037248A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201410320202.4

    申请日:2014-07-08

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/0322

    Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法,包括如下步骤:(1)根据Cu1~xIn1~yGamSe2~zSn式中铜、铟、镓的化学计量比,将铜、铟、镓的卤族化合物或硝酸盐溶解于低碳醇中,配置成含铜铟镓的低碳醇溶液;(2)将乙基纤维素缓慢加入步骤(1)制备的铜铟镓的低碳醇溶液中搅拌混合均匀,再加入松油醇的低碳醇溶液,搅拌混合直至溶液变为粘稠液;(3)在非真空条件下将粘稠液刮涂到衬底上于130~160℃烘干10~30分钟,再加热氧化得到铜铟镓氧化物;(4)铜铟镓氧化物在氢氩混合气氛中加热氢化还原形成铜铟镓合金;(5)铜铟镓合金用硫粉硫化后再用硒粉硒化,即得所述铜铟镓硫硒薄膜材料。本发明的能耗少、工艺简单,产品成本低廉。

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