-
公开(公告)号：CN111434749A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201910027505.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及发光材料领域，尤其涉及一种近紫外激发暖白光荧光粉及其制备方法和应用。本发明提供的近紫外激发暖白光荧光粉的化学式为Na2-xAl2B2O7:xEu，且0＜x≤0.48，本发明提供的荧光粉分别在360nm、365nm、385nm和395nm激发下均可以同时发射445nm蓝光、595nm和612nm的红光，蓝光和红光混合可实现白光。本发明还提供了上述技术方案所述近紫外激发暖白光荧光粉封装得到的LED荧光粉，本发明提供的LED荧光粉具有色温低、发光效率高、白光色纯度高的特点。
-
公开(公告)号：CN106185948B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610541809.4
申请日：2016-07-11
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种大气中开放式的工业硅造渣除磷工艺，包括钙系造渣处理和造渣后硅的酸洗处理，是将块状硅料装入中频感应熔炼炉中，高温下硅熔化后加入造渣剂熔炼，然后进行硅渣分离先初步去除部分P，再将造渣之后的硅块通过稀王水浸泡形成粉末，然后于氢氟酸中浸泡搅拌去除其余大部分的P，经过这两个步骤处理的硅，杂质P去除95％以上，且工艺简单温和。
-
公开(公告)号：CN104059640B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410319936.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/63
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发稀土硼酸盐荧光粉基质及荧光粉制备方法，该硼酸盐荧光粉的通式为NaBaBO3：xRe，yM(亦即BaNaBO3：xRe，yM)。其中，NaBaBO3(亦即BaNaBO3)硼酸盐为发光基质，Re为掺杂的稀土发光中心，M为辅助掺杂元素。本发明荧光粉制备工艺简单，通过在该基质中掺杂不同稀土元素，可以得到在近紫外激发下，在各个光谱区域有强烈发射的荧光材料。本发明制备方法简单，易于操作，无污染，成本低。其可以应用于紫光激三基色白光LED荧光粉、下转换太阳能电池荧光粉以及各种显示装置中，还可作为近紫光激发的下转换荧光材料用于促进农作物生长的农膜。
-
公开(公告)号：CN103334155B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310289506.4
申请日：2013-07-11
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B29/06 , H01L31/0288
Abstract: 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法，涉及晶体硅材料。所述含有钛杂质中间带的晶体硅材料包括硅层和中间带层，所述中间带层位于硅层上表面，中间带层的深度为0.2～1.0μm，注入浓度为6×1019-1×1022cm-3，中间带层的波长范围为1～3μm，红外光的吸收系数超过1×104～1×105cm-1，中间带层的少子寿命为硅层材料少子寿命的5～20倍。在硅片表面制备一层钛薄膜；把带有钛薄膜的硅片用激光辐照；把激光辐照后的硅片进行退火处理；将退火后的硅片进行腐蚀，制得含有钛杂质中间带的晶体硅材料。使钛的注入浓度超过Mott转变浓度，可形成杂质中间带。可用来制备高灵敏红外探测器。
-
公开(公告)号：CN104059640A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410319936.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/63
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发稀土硼酸盐荧光粉基质及荧光粉制备方法，该硼酸盐荧光粉的通式为NaBaBO3：xRe，yM(亦即BaNaBO3：xRe，yM)。其中，NaBaBO3(亦即BaNaBO3)硼酸盐为发光基质，Re为掺杂的稀土发光中心，M为辅助掺杂元素。本发明荧光粉制备工艺简单，通过在该基质中掺杂不同稀土元素，可以得到在近紫外激发下，在各个光谱区域有强烈发射的荧光材料。本发明制备方法简单，易于操作，无污染，成本低。其可以应用于紫光激三基色白光LED荧光粉、下转换太阳能电池荧光粉以及各种显示装置中，还可作为近紫光激发的下转换荧光材料用于促进农作物生长的农膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972247A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410213806.9
申请日：2014-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/103 , H01L31/0352 , H01L31/0216
Abstract: 用于自动电力抄表系统的硅基单片光电集成接收芯片，涉及光电集成电路。设有硅基光电探测器和硅基光电探测器跟随的放大集成电路；所述硅基光电探测器的纵向结构自下而上依次是低掺杂的P型硅衬底、N阱、N型重掺杂硅、P型重掺杂硅、金属铝、三层的SiO2绝缘介质层、Si3N4表面钝化层；硅基光电探测器跟随的放大集成电路设有互阻前置放大器、限幅放大器和差分输出缓冲电路，互阻前置放大器的输入端接硅基光电探测器，互阻前置放大器的输出端接限幅放大器输入端，限幅放大器输出端接差分输出缓冲电路输入端。可实现650nm±17.8nm光电探测器的放大集成电路的单片光电集成，可满足自动抄表系统100Mbps传输速率要求。
-
公开(公告)号：CN103401614A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310325139.9
申请日：2013-07-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 用于塑料光纤通信的光发射组件及其制备方法，涉及光发射芯片。芯片设有基底、光发射驱动电路和光源谐振腔光发射二极管；驱动电路设在基底上表面左半侧，在驱动电路左侧设有3个焊盘，在驱动电路右侧设有2个焊盘，在基底上表面右侧部分设有预留焊盘，右下焊盘与预留焊盘之间通过导线连接；二极管阴极端面通过银浆粘在预留焊盘上，阳极通过键合线与右上焊盘连接。在硅基底上左半侧形成光发射驱动电路，在驱动电路上左侧形成3个焊盘；在驱动电路右侧形成2个焊盘；在基底上右侧部分进行淀积金属铝板形成预留焊盘；在右下焊盘和预留焊盘之间相连；在预留焊盘上点上银浆，将二极管阴极端面粘在焊盘上，将二极管阳极接驱动电路右上焊盘上。
-
公开(公告)号：CN103334155A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310289506.4
申请日：2013-07-11
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B29/06 , H01L31/0288
Abstract: 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法，涉及晶体硅材料。所述含有钛杂质中间带的晶体硅材料包括硅层和中间带层，所述中间带层位于硅层上表面，中间带层的深度为0.2～1.0μm，注入浓度为6×1019-1×1022cm-3，中间带层的波长范围为1～3μm，红外光的吸收系数超过1×104～1×105cm-1，中间带层的少子寿命为硅层材料少子寿命的5～20倍。在硅片表面制备一层钛薄膜；把带有钛薄膜的硅片用激光辐照；把激光辐照后的硅片进行退火处理；将退火后的硅片进行腐蚀，制得含有钛杂质中间带的晶体硅材料。使钛的注入浓度超过Mott转变浓度，可形成杂质中间带。可用来制备高灵敏红外探测器。
-
公开(公告)号：CN102153090B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110134292.4
申请日：2011-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行硼扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；将得到的硅片浸泡在HF溶液中；将得到的硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，清洗后吹干，烘烤，得硼吸杂后的多晶硅片。
-
公开(公告)号：CN101844768B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010177776.2
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金级硅中磷和硼的去除方法，涉及一种冶金级工业硅的提纯。提供一种具有投资较少、生产成本较低、环境污染较小等优点的冶金级硅中磷和硼的去除方法。将块状硅料装入熔炼炉中熔炼，再将造渣剂覆盖在块状硅料上，得硅块混料；对熔炼炉抽真空，当真空抽至800～1200Pa时停止抽气，再充氩气至8000～12000Pa后停止充氩气；将硅块混料加热融化，通入水蒸气，再将熔化的混料浇注在熔炼坩埚下方的承接石墨坩埚上，冷却后，取出硅料；将造渣后的硅料破碎磨粉，得硅粉；将硅粉用盐酸浸泡；将盐酸浸泡后的硅粉用稀王水浸泡；将稀王水浸泡后的硅粉用氢氟酸浸泡，得已去除磷和硼的冶金级硅。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
100
records
(took 0.02 seconds)
