公开(公告)号：CN115044980A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210875215.2

申请日：2022-07-25

Applicant: 厦门大学深圳研究院 ,  厦门大学

Inventor： 程其进 ,  袁锦涛 ,  艾子康

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明公开了一种利用化学气相沉积法制备二硫化钼钨单晶的方法，涉及二硫化钼钨制备领域。本发明首选将硅片进行预清洗，然后将硫粉、MoO3粉末和一定比例的WO3和NaCl的混合粉末放入容器中，再把预清洗的硅片放入衬底支架上，随后把粉末容器和衬底支架放入管式炉，抽取真空，排除空气，将整个反应系统在载气的氛围中，调整温度进行反应，制备出大面积的二硫化钼钨单晶。所制备的二硫化钼钨单晶整体平整，厚度为0.8nm，质量较高，实验的整体成功率也得到显著提高。

公开(公告)号：CN115821378B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202211507290.X

申请日：2022-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 程其进 ,  肖博翰 ,  苏童 ,  艾子康 ,  沈禹衡

IPC: C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/16

Abstract: 一种等离子体热氧化制备氧化镓薄膜的方法，将氮化镓薄膜转移到等离子体增强化学气相沉积装置内，并放置在管式炉加热区中间位置，启动机械泵将管式炉内抽真空，维持管式炉内压强在10～30Pa，之后将管式炉的温度升高到800～900℃；向管式炉内同时输入氩气和氧气，当管式炉内压强稳定在20～100Pa时，打开射频电源产生等离子体，在管式炉内放电稳定后停止通入氩气；待放电再次稳定后，保持管式炉内温度不变，进行热氧化处理；关闭射频电源，停止通入氧气，保持机械泵工作的同时，使管式炉自然冷却到室温。本发明实现快速、高质量的氧化镓薄膜制备。

公开(公告)号：CN115821378A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211507290.X

申请日：2022-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 程其进 ,  肖博翰 ,  苏童 ,  艾子康 ,  沈禹衡

IPC: C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/16

Abstract: 一种等离子体热氧化制备氧化镓薄膜的方法，将氮化镓薄膜转移到等离子体增强化学气相沉积装置内，并放置在管式炉加热区中间位置，启动机械泵将管式炉内抽真空，维持管式炉内压强在10～30Pa，之后将管式炉的温度升高到800～900℃；向管式炉内同时输入氩气和氧气，当管式炉内压强稳定在20～100Pa时，打开射频电源产生等离子体，在管式炉内放电稳定后停止通入氩气；待放电再次稳定后，保持管式炉内温度不变，进行热氧化处理；关闭射频电源，停止通入氧气，保持机械泵工作的同时，使管式炉自然冷却到室温。本发明实现快速、高质量的氧化镓薄膜制备。