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公开(公告)号：CN108597986A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810411512.5
申请日：2018-05-02
Abstract: 一种基于预氧化处理的硅纳米线阵列的制备方法，涉及微纳米材料。1)将硅片清洗；将步骤1)得到的预清洗硅片置入H2O2溶液反应，在预清洗硅片表面形成一层二氧化硅层，得到预氧化硅片；将步骤2)得到的预氧化硅片用改良的RCA方法清洗；将步骤3)得到的硅片浸入HF水溶液，去除硅片表面的二氧化硅层，采用金属辅助刻蚀法在硅片表面制备基于预氧化处理的硅纳米线阵列。完成每一步骤后最好用去离子水充分清洗硅片。所制备的基于预氧化处理的硅纳米线阵列中硅纳米线的长度可为0.500～8.000μm，反射率可为2.24％～1.50％。
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公开(公告)号：CN106591770A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611080557.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，涉及金属氧化物纳米材料。通过等离子体方法在金属箔表面生长出纳米材料，并通过控制温度和通入气体的比例来控制纳米材料的生长。具体步骤：将金属箔打磨去除表面氧化物并清洗后，放入反应装置中并抽真空，然后升温，再通入氩气与氧气并通过两端的电极进行辉光放电，辉光放电结束后，待反应装置冷却到室温便可获得低维金属氧化物纳米材料。可适用于多种不同金属；由能够使得反应物分子实现有效激发、离解和电离，使得反应体系能够在低温下快速进行；可以降低反应温度和减少反应时间。所需加热温度低，反应时间短，可有效降低能耗；工艺简单，成本低廉；生产出的纳米材料形貌可控，质量高。
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公开(公告)号：CN106591770B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201611080557.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，涉及金属氧化物纳米材料。通过等离子体方法在金属箔表面生长出纳米材料，并通过控制温度和通入气体的比例来控制纳米材料的生长。具体步骤：将金属箔打磨去除表面氧化物并清洗后，放入反应装置中并抽真空，然后升温，再通入氩气与氧气并通过两端的电极进行辉光放电，辉光放电结束后，待反应装置冷却到室温便可获得低维金属氧化物纳米材料。可适用于多种不同金属；由能够使得反应物分子实现有效激发、离解和电离，使得反应体系能够在低温下快速进行；可以降低反应温度和减少反应时间。所需加热温度低，反应时间短，可有效降低能耗；工艺简单，成本低廉；生产出的纳米材料形貌可控，质量高。
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