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公开(公告)号:CN110201662A
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201910379879.8
申请日:2019-05-08
Applicant: 厦门大学
IPC: B01J23/42 , B01J23/46 , B01J23/755
Abstract: 本发明公开了一种碳载单原子金属催化剂的电化学制备方法,其包括如下三个步骤:采用电化学循环伏安法在工作液中交替地氧化还原碳材料电极;将碳电极浸入含有金属离子的溶液中后取出洗净;在另一电解液中电化学还原吸附在碳电极上的金属离子,即可。本方法可在温和条件下制备出性能优异的碳载单原子金属催化剂。
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公开(公告)号:CN103342334B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201310172181.1
申请日:2013-05-10
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种电化学刻蚀加工聚合物材料表面的方法,涉及聚合物材料表面的微纳米加工技术领域,具体步骤是:将表面带有微图案的金属或合金材质的工具电极与聚合物工件表面相接触,并浸入工作溶液中;另在工作溶液中设置对电极和参比电极;通过电化学控制系统调控工具电极的电位使之表面发生电化学阳极氧化反应,产生金属氧化物纳米膜,再由金属氧化物纳米膜化学刻蚀聚合物材料表面;刻蚀完毕后,关闭电化学控制系统,将工具电极从聚合物材料表面移开,即可。该方法所需的设备简单、价廉,对导电或非导电材质的聚合物表面均可实现高效、高精度的批量刻蚀加工。
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公开(公告)号:CN115648040A
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202211427430.2
申请日:2022-11-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明第一方面提出一种硬质合金材料的表面处理方法,硬质合金材料的组成相包括硬化相和粘结相,粘结相的电解氧化速率大于硬化相的电解氧化速率,方法包括:将硬质合金材料浸入电解液,交替进行电解抛光和电镀抛光。优选地,电解液中添加有沉积离子,沉积离子包括至少一种与粘结相的组成元素相同的金属阳离子。本方案在常规电化学机械抛光过程中加入电镀过程,使电解和电镀交替进行,通过电镀过程弥补粘结相较快氧化导致的材料表面的坑洞,工艺简单,处理效果好。本发明第二方面提出一种硬质合金材料的表面处理装置,装置包括辅助电极、电解液槽和电极交替模块,交替硬质合金材料和辅助电极的电性,使硬质合金材料交替进行电解抛光和电镀抛光。
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公开(公告)号:CN113134784A
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN202110426699.8
申请日:2021-04-20
Applicant: 厦门大学
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/005 , C25F3/30 , C25F7/00 , H01L21/04 , H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 半导体晶圆无线光电化学机械抛光方法:将晶圆固定在抛光头;抛光垫粘贴在同样直径的抛光盘底;在通孔底壁设置一对正负电极,并入盘顶的两条汇流线,经导电滑环接电源的正负端;加工时,紫外光穿过通孔照射到晶圆;抛光液滴入通孔在其底部形成由晶圆表面、抛光液层和正负电极构成的光电解池,电极与晶圆被抛光垫隔开;施加电压后,光电解池底的晶圆表面处于两极间的电场中,按双极电化学原理被氧化成软质的表面氧化膜;抛光盘/垫与晶圆同向旋转使晶圆所有表面都能在光电化学氧化和机械摩擦步骤间均匀地交替。本发明设计的装置能在常温常压下高效高质地加工以不导电蓝宝石为衬底的氮化镓晶圆等各种半导体晶圆,具有较大的经济意义和推广价值。
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公开(公告)号:CN110172349A
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201910380297.1
申请日:2019-05-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K13/04 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液及加工方法,采用纯水由如下原料按摩尔浓度配成:5-40mM过一硫酸氢钾复合盐(K2SO4·KHSO4·2KHSO5)、0.05-5mM pH缓冲剂。本发明技术组分科学合理,制造简单,是对目前的氮化镓半导体光电化学刻蚀液的创新改进,可加工出纳米平整度和粗糙度的结构和刻蚀面。
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公开(公告)号:CN104018211A
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201410269475.0
申请日:2014-06-17
Abstract: 本发明公开了一种纳米精度的电化学刻蚀加工方法,其包括如下步骤:在模板电极或工件表面固定一层氧化还原水合凝胶聚合物超薄膜;将模板电极和工件浸入工作溶液,叠放于容器底部,使模板电极表面和工件表面分别与软质聚合物超薄膜的两面保持自然紧密接触;另在容器内设辅助电极和参比电极,并与电化学控制仪相连;启动电化学控制仪,调控模板电极的电位,电化学氧化超薄膜中的电化学活性基团,由其快速地化学氧化与之接触的工件表面夺取电子,而工件表面失去的电子被超薄膜慢速地传递至模板电极,使刻蚀持续进行;刻蚀完毕后,关闭电化学控制仪,移开模板电极,即可。本方法能以纳米精度将模板电极表面微结构图案的互补结构刻蚀加工在工件表面。
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公开(公告)号:CN103924287A
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201410185241.8
申请日:2014-05-04
IPC: C25F3/12 , H01L21/3063
Abstract: 本发明提供一种电致化学抛光方法,包括以下步骤:配制含有电活性中介体、pH调节剂、粘度调节剂和抑制剂的工作液;将工作电极工作面与工件表面平行相对设置,工作电极工作面具有小于1μm平整度;将工作电极工作面和工件表面浸入工作液中,通过微纳复合进给机构调整工作电极工作面与工件表面的间距至0.05μm~20μm;启动电源使工作电极和辅助电极通电,工作电极工作面附近的电活性中介体通过电化学反应生成刻蚀剂,通过刻蚀剂扩散至工件表面并发生扩散控制的刻蚀反应,对工件表面局部高点进行选择性刻蚀,实现对工件表面无应力抛光。
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公开(公告)号:CN115791912B
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202211433058.6
申请日:2022-11-16
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/27 , G01N27/30 , G01N27/416
Abstract: 本发明提供了一种半导体摩擦光电化学的测量装置,包括:电机;导电滑环,套设于电机的转轴上;电解池,底部设有透光底座,其底部与电机的转轴转动连接,顶部设有圆环凹槽;对电极,嵌套于圆环凹槽内,并从导电滑环穿出;抛光垫,设于透光底座上,且设有通孔;半导体电极,位于通孔的正上方;金属柱,固定于半导体电极的上端;参比电极,固定于金属柱的左端;电化学工作站,分别连接至金属柱、参比电极和对电极;力传感器,固定于金属柱的上端;计算机,连接至力传感器;电解液,注入于电解池内;及光源,放置于透光底座下方,正对于通孔位置。本发明还提供了一种半导体摩擦光电化学的测量方法,了解表面氧化层对非氧化型半导体光电化学的影。
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公开(公告)号:CN116728167A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202310426153.1
申请日:2023-04-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了导电多孔硬质材料无线电化学机械抛光方法:将带有通孔的抛光垫粘贴在直径相同的抛光盘底部;将一对正负电极设置在每个通孔的底壁,两根电极并入抛光盘顶部的汇流线,经导电滑环与电源正负极相连;将导多孔硬质材料固定在抛光头;加工时,在抛光盘底部形成了由抛光液层、正负电极、导电多孔硬质材料表面构成的电解池,抛光垫隔开导电多孔硬质材料与电极;施加电压后,导电多孔硬质材料表面两端在正负两极的电场中同时发生氧化、还原反应实现抛光。本发明提供的方法能够在常温常压下高效地加工以碳化钨为代表的硬质导电多孔硬质材料,拓展了加工硬质导电多孔硬质材料的新方法,以及电化学机械抛光的应用范围,具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN115791912A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202211433058.6
申请日:2022-11-16
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/27 , G01N27/30 , G01N27/416
Abstract: 本发明提供了一种半导体摩擦光电化学的测量装置,包括:电机;导电滑环,套设于电机的转轴上;电解池,底部设有透光底座,其底部与电机的转轴转动连接,顶部设有圆环凹槽;对电极,嵌套于圆环凹槽内,并从导电滑环穿出;抛光垫,设于透光底座上,且设有通孔;半导体电极,位于通孔的正上方;金属柱,固定于半导体电极的上端;参比电极,固定于金属柱的左端;电化学工作站,分别连接至金属柱、参比电极和对电极;力传感器,固定于金属柱的上端;计算机,连接至力传感器;电解液,注入于电解池内;及光源,放置于透光底座下方,正对于通孔位置。本发明还提供了一种半导体摩擦光电化学的测量方法,了解表面氧化层对非氧化型半导体光电化学的影。
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