公开(公告)号：CN106451058B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201611027876.0

申请日：2016-11-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 董俊 ,  张明明

IPC: H01S3/11 ,  H01S3/16

Abstract: 一种激光横模模式可调控被动调Q微片激光器，涉及激光器。设有偏心高斯泵浦源和激光器谐振系统，偏心高斯泵浦源依次设有808nm光纤耦合激光二极管、两个透镜；808nm光纤耦合激光二极管和第二透镜位于同一光轴上；激光器谐振系统设有激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜；激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜固定在同一夹具中。

公开(公告)号：CN106451058A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201611027876.0

申请日：2016-11-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 董俊 ,  张明明

IPC: H01S3/11 ,  H01S3/16

Abstract: 一种激光横模模式可调控被动调Q微片激光器，涉及激光器。设有偏心高斯泵浦源和激光器谐振系统，偏心高斯泵浦源依次设有808nm光纤耦合激光二极管、两个透镜；808nm光纤耦合激光二极管和第二透镜位于同一光轴上；激光器谐振系统设有激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜；激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜固定在同一夹具中。

公开(公告)号：CN115791912B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202211433058.6

申请日：2022-11-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 时康 ,  张明明 ,  乔立青 ,  刘宝全 ,  欧李苇

IPC: G01N27/27 ,  G01N27/30 ,  G01N27/416

Abstract: 本发明提供了一种半导体摩擦光电化学的测量装置，包括：电机；导电滑环，套设于电机的转轴上；电解池，底部设有透光底座，其底部与电机的转轴转动连接，顶部设有圆环凹槽；对电极，嵌套于圆环凹槽内，并从导电滑环穿出；抛光垫，设于透光底座上，且设有通孔；半导体电极，位于通孔的正上方；金属柱，固定于半导体电极的上端；参比电极，固定于金属柱的左端；电化学工作站，分别连接至金属柱、参比电极和对电极；力传感器，固定于金属柱的上端；计算机，连接至力传感器；电解液，注入于电解池内；及光源，放置于透光底座下方，正对于通孔位置。本发明还提供了一种半导体摩擦光电化学的测量方法，了解表面氧化层对非氧化型半导体光电化学的影。

公开(公告)号：CN115791912A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211433058.6

申请日：2022-11-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 时康 ,  张明明 ,  乔立青 ,  刘宝全 ,  欧李苇

IPC: G01N27/27 ,  G01N27/30 ,  G01N27/416

Abstract: 本发明提供了一种半导体摩擦光电化学的测量装置，包括：电机；导电滑环，套设于电机的转轴上；电解池，底部设有透光底座，其底部与电机的转轴转动连接，顶部设有圆环凹槽；对电极，嵌套于圆环凹槽内，并从导电滑环穿出；抛光垫，设于透光底座上，且设有通孔；半导体电极，位于通孔的正上方；金属柱，固定于半导体电极的上端；参比电极，固定于金属柱的左端；电化学工作站，分别连接至金属柱、参比电极和对电极；力传感器，固定于金属柱的上端；计算机，连接至力传感器；电解液，注入于电解池内；及光源，放置于透光底座下方，正对于通孔位置。本发明还提供了一种半导体摩擦光电化学的测量方法，了解表面氧化层对非氧化型半导体光电化学的影。