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公开(公告)号：CN113134784A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110426699.8
申请日：2021-04-20
Applicant: 厦门大学
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/005 , C25F3/30 , C25F7/00 , H01L21/04 , H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 半导体晶圆无线光电化学机械抛光方法：将晶圆固定在抛光头；抛光垫粘贴在同样直径的抛光盘底；在通孔底壁设置一对正负电极，并入盘顶的两条汇流线，经导电滑环接电源的正负端；加工时，紫外光穿过通孔照射到晶圆；抛光液滴入通孔在其底部形成由晶圆表面、抛光液层和正负电极构成的光电解池，电极与晶圆被抛光垫隔开；施加电压后，光电解池底的晶圆表面处于两极间的电场中，按双极电化学原理被氧化成软质的表面氧化膜；抛光盘/垫与晶圆同向旋转使晶圆所有表面都能在光电化学氧化和机械摩擦步骤间均匀地交替。本发明设计的装置能在常温常压下高效高质地加工以不导电蓝宝石为衬底的氮化镓晶圆等各种半导体晶圆，具有较大的经济意义和推广价值。
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公开(公告)号：CN113134784B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110426699.8
申请日：2021-04-20
Applicant: 厦门大学
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/005 , C25F3/30 , C25F7/00 , H01L21/04 , H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 半导体晶圆无线光电化学机械抛光方法：将晶圆固定在抛光头；抛光垫粘贴在同样直径的抛光盘底；在通孔底壁设置一对正负电极，并入盘顶的两条汇流线，经导电滑环接电源的正负端；加工时，紫外光穿过通孔照射到晶圆；抛光液滴入通孔在其底部形成由晶圆表面、抛光液层和正负电极构成的光电解池，电极与晶圆被抛光垫隔开；施加电压后，光电解池底的晶圆表面处于两极间的电场中，按双极电化学原理被氧化成软质的表面氧化膜；抛光盘/垫与晶圆同向旋转使晶圆所有表面都能在光电化学氧化和机械摩擦步骤间均匀地交替。本发明设计的装置能在常温常压下高效高质地加工以不导电蓝宝石为衬底的氮化镓晶圆等各种半导体晶圆，具有较大的经济意义和推广价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109848840A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811535752.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门大学
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/34 , B24B57/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片光化学机械抛光加工方法及其加工装置，晶片固定在抛光头上，抛光垫粘贴在抛光盘底部且与抛光盘对应位置加工有通孔，紫外光源发出的紫外光可以透过通孔照射到晶片表面；抛光液通过通孔进入晶片与抛光垫的接触区。本发明设计的光化学机械抛光加工装置可较好地实现本发明中涉及的加工方法，加工装置具有操作简单，实现容易，工艺参数可灵活调节的优点。
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公开(公告)号：CN109648463A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811537195.8
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片光电化学机械抛光加工方法及其加工装置，晶片通过导电胶粘接固定在抛光头上，晶片在其下方通过导电滑环内外圈的导线连接外电源正极。抛光垫粘贴在对电极盘底部，对电极盘固定在抛光盘底部且与抛光盘对应位置加工有通孔，对电极盘通过其上方的导电滑环内外圈导线连接外电源负极。紫外光源发出的紫外光可以透过通孔照射到晶片表面，抛光液也可以喷射入通孔进入晶片与抛光垫的接触区。本发明设计的光电化学机械抛光加工装置可较好地实现本发明中涉及的加工方法，加工装置具有操作简单，实现容易，工艺参数可灵活调节的优点，加工氮化镓晶片的实际加工中可取得去除速率快，加工后表面质量好的效果。
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公开(公告)号：CN115791912B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202211433058.6
申请日：2022-11-16
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/27 , G01N27/30 , G01N27/416
Abstract: 本发明提供了一种半导体摩擦光电化学的测量装置，包括：电机；导电滑环，套设于电机的转轴上；电解池，底部设有透光底座，其底部与电机的转轴转动连接，顶部设有圆环凹槽；对电极，嵌套于圆环凹槽内，并从导电滑环穿出；抛光垫，设于透光底座上，且设有通孔；半导体电极，位于通孔的正上方；金属柱，固定于半导体电极的上端；参比电极，固定于金属柱的左端；电化学工作站，分别连接至金属柱、参比电极和对电极；力传感器，固定于金属柱的上端；计算机，连接至力传感器；电解液，注入于电解池内；及光源，放置于透光底座下方，正对于通孔位置。本发明还提供了一种半导体摩擦光电化学的测量方法，了解表面氧化层对非氧化型半导体光电化学的影。
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公开(公告)号：CN115791912A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211433058.6
申请日：2022-11-16
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/27 , G01N27/30 , G01N27/416
Abstract: 本发明提供了一种半导体摩擦光电化学的测量装置，包括：电机；导电滑环，套设于电机的转轴上；电解池，底部设有透光底座，其底部与电机的转轴转动连接，顶部设有圆环凹槽；对电极，嵌套于圆环凹槽内，并从导电滑环穿出；抛光垫，设于透光底座上，且设有通孔；半导体电极，位于通孔的正上方；金属柱，固定于半导体电极的上端；参比电极，固定于金属柱的左端；电化学工作站，分别连接至金属柱、参比电极和对电极；力传感器，固定于金属柱的上端；计算机，连接至力传感器；电解液，注入于电解池内；及光源，放置于透光底座下方，正对于通孔位置。本发明还提供了一种半导体摩擦光电化学的测量方法，了解表面氧化层对非氧化型半导体光电化学的影。
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公开(公告)号：CN109648463B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201811537195.8
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片光电化学机械抛光加工方法及其加工装置，晶片通过导电胶粘接固定在抛光头上，晶片在其下方通过导电滑环内外圈的导线连接外电源正极。抛光垫粘贴在对电极盘底部，对电极盘固定在抛光盘底部且与抛光盘对应位置加工有通孔，对电极盘通过其上方的导电滑环内外圈导线连接外电源负极。紫外光源发出的紫外光可以透过通孔照射到晶片表面，抛光液也可以喷射入通孔进入晶片与抛光垫的接触区。本发明设计的光电化学机械抛光加工装置可较好地实现本发明中涉及的加工方法，加工装置具有操作简单，实现容易，工艺参数可灵活调节的优点，加工氮化镓晶片的实际加工中可取得去除速率快，加工后表面质量好的效果。
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