-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110172349A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910380297.1
申请日：2019-05-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K13/04 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液及加工方法，采用纯水由如下原料按摩尔浓度配成：5-40mM过一硫酸氢钾复合盐(K2SO4·KHSO4·2KHSO5)、0.05-5mM pH缓冲剂。本发明技术组分科学合理，制造简单，是对目前的氮化镓半导体光电化学刻蚀液的创新改进，可加工出纳米平整度和粗糙度的结构和刻蚀面。
-
公开(公告)号：CN109848840A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811535752.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门大学
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/34 , B24B57/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片光化学机械抛光加工方法及其加工装置，晶片固定在抛光头上，抛光垫粘贴在抛光盘底部且与抛光盘对应位置加工有通孔，紫外光源发出的紫外光可以透过通孔照射到晶片表面；抛光液通过通孔进入晶片与抛光垫的接触区。本发明设计的光化学机械抛光加工装置可较好地实现本发明中涉及的加工方法，加工装置具有操作简单，实现容易，工艺参数可灵活调节的优点。
-
公开(公告)号：CN109648463A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811537195.8
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片光电化学机械抛光加工方法及其加工装置，晶片通过导电胶粘接固定在抛光头上，晶片在其下方通过导电滑环内外圈的导线连接外电源正极。抛光垫粘贴在对电极盘底部，对电极盘固定在抛光盘底部且与抛光盘对应位置加工有通孔，对电极盘通过其上方的导电滑环内外圈导线连接外电源负极。紫外光源发出的紫外光可以透过通孔照射到晶片表面，抛光液也可以喷射入通孔进入晶片与抛光垫的接触区。本发明设计的光电化学机械抛光加工装置可较好地实现本发明中涉及的加工方法，加工装置具有操作简单，实现容易，工艺参数可灵活调节的优点，加工氮化镓晶片的实际加工中可取得去除速率快，加工后表面质量好的效果。
-
公开(公告)号：CN109648463B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201811537195.8
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片光电化学机械抛光加工方法及其加工装置，晶片通过导电胶粘接固定在抛光头上，晶片在其下方通过导电滑环内外圈的导线连接外电源正极。抛光垫粘贴在对电极盘底部，对电极盘固定在抛光盘底部且与抛光盘对应位置加工有通孔，对电极盘通过其上方的导电滑环内外圈导线连接外电源负极。紫外光源发出的紫外光可以透过通孔照射到晶片表面，抛光液也可以喷射入通孔进入晶片与抛光垫的接触区。本发明设计的光电化学机械抛光加工装置可较好地实现本发明中涉及的加工方法，加工装置具有操作简单，实现容易，工艺参数可灵活调节的优点，加工氮化镓晶片的实际加工中可取得去除速率快，加工后表面质量好的效果。
-
公开(公告)号：CN110172349B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201910380297.1
申请日：2019-05-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K13/04 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液及加工方法，采用纯水由如下原料按摩尔浓度配成：5‑40mM过一硫酸氢钾复合盐(K2SO4·KHSO4·2KHSO5)、0.05‑5mM pH缓冲剂。本发明技术组分科学合理，制造简单，是对目前的氮化镓半导体光电化学刻蚀液的创新改进，可加工出纳米平整度和粗糙度的结构和刻蚀面。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.041 seconds)
