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公开(公告)号:CN113134784A
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN202110426699.8
申请日:2021-04-20
Applicant: 厦门大学
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/005 , C25F3/30 , C25F7/00 , H01L21/04 , H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 半导体晶圆无线光电化学机械抛光方法:将晶圆固定在抛光头;抛光垫粘贴在同样直径的抛光盘底;在通孔底壁设置一对正负电极,并入盘顶的两条汇流线,经导电滑环接电源的正负端;加工时,紫外光穿过通孔照射到晶圆;抛光液滴入通孔在其底部形成由晶圆表面、抛光液层和正负电极构成的光电解池,电极与晶圆被抛光垫隔开;施加电压后,光电解池底的晶圆表面处于两极间的电场中,按双极电化学原理被氧化成软质的表面氧化膜;抛光盘/垫与晶圆同向旋转使晶圆所有表面都能在光电化学氧化和机械摩擦步骤间均匀地交替。本发明设计的装置能在常温常压下高效高质地加工以不导电蓝宝石为衬底的氮化镓晶圆等各种半导体晶圆,具有较大的经济意义和推广价值。
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公开(公告)号:CN113134784B
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202110426699.8
申请日:2021-04-20
Applicant: 厦门大学
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/005 , C25F3/30 , C25F7/00 , H01L21/04 , H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 半导体晶圆无线光电化学机械抛光方法:将晶圆固定在抛光头;抛光垫粘贴在同样直径的抛光盘底;在通孔底壁设置一对正负电极,并入盘顶的两条汇流线,经导电滑环接电源的正负端;加工时,紫外光穿过通孔照射到晶圆;抛光液滴入通孔在其底部形成由晶圆表面、抛光液层和正负电极构成的光电解池,电极与晶圆被抛光垫隔开;施加电压后,光电解池底的晶圆表面处于两极间的电场中,按双极电化学原理被氧化成软质的表面氧化膜;抛光盘/垫与晶圆同向旋转使晶圆所有表面都能在光电化学氧化和机械摩擦步骤间均匀地交替。本发明设计的装置能在常温常压下高效高质地加工以不导电蓝宝石为衬底的氮化镓晶圆等各种半导体晶圆,具有较大的经济意义和推广价值。
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公开(公告)号:CN115791912B
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202211433058.6
申请日:2022-11-16
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/27 , G01N27/30 , G01N27/416
Abstract: 本发明提供了一种半导体摩擦光电化学的测量装置,包括:电机;导电滑环,套设于电机的转轴上;电解池,底部设有透光底座,其底部与电机的转轴转动连接,顶部设有圆环凹槽;对电极,嵌套于圆环凹槽内,并从导电滑环穿出;抛光垫,设于透光底座上,且设有通孔;半导体电极,位于通孔的正上方;金属柱,固定于半导体电极的上端;参比电极,固定于金属柱的左端;电化学工作站,分别连接至金属柱、参比电极和对电极;力传感器,固定于金属柱的上端;计算机,连接至力传感器;电解液,注入于电解池内;及光源,放置于透光底座下方,正对于通孔位置。本发明还提供了一种半导体摩擦光电化学的测量方法,了解表面氧化层对非氧化型半导体光电化学的影。
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公开(公告)号:CN116728167A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202310426153.1
申请日:2023-04-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了导电多孔硬质材料无线电化学机械抛光方法:将带有通孔的抛光垫粘贴在直径相同的抛光盘底部;将一对正负电极设置在每个通孔的底壁,两根电极并入抛光盘顶部的汇流线,经导电滑环与电源正负极相连;将导多孔硬质材料固定在抛光头;加工时,在抛光盘底部形成了由抛光液层、正负电极、导电多孔硬质材料表面构成的电解池,抛光垫隔开导电多孔硬质材料与电极;施加电压后,导电多孔硬质材料表面两端在正负两极的电场中同时发生氧化、还原反应实现抛光。本发明提供的方法能够在常温常压下高效地加工以碳化钨为代表的硬质导电多孔硬质材料,拓展了加工硬质导电多孔硬质材料的新方法,以及电化学机械抛光的应用范围,具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN115791912A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202211433058.6
申请日:2022-11-16
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/27 , G01N27/30 , G01N27/416
Abstract: 本发明提供了一种半导体摩擦光电化学的测量装置,包括:电机;导电滑环,套设于电机的转轴上;电解池,底部设有透光底座,其底部与电机的转轴转动连接,顶部设有圆环凹槽;对电极,嵌套于圆环凹槽内,并从导电滑环穿出;抛光垫,设于透光底座上,且设有通孔;半导体电极,位于通孔的正上方;金属柱,固定于半导体电极的上端;参比电极,固定于金属柱的左端;电化学工作站,分别连接至金属柱、参比电极和对电极;力传感器,固定于金属柱的上端;计算机,连接至力传感器;电解液,注入于电解池内;及光源,放置于透光底座下方,正对于通孔位置。本发明还提供了一种半导体摩擦光电化学的测量方法,了解表面氧化层对非氧化型半导体光电化学的影。
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