公开(公告)号：CN111276602A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010092622.7

申请日：2020-02-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱慧 ,  金磊 ,  王晨 ,  王斯 ,  柳杰 ,  李锐 ,  刘佳慧

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器，通过脉冲激光沉积方法生长钌酸锶下电极钨酸铋薄膜，并通过掩膜版法制作铂上电极，完成BWO薄膜器件的制备。使用安捷伦安捷伦B1500A测量其I-V特性曲线，在双对数坐标系下，分析其内部导电机制符合空间电荷限制传导，且正方向具有优异的保持特性，BWO薄膜器件具有制备阻变存储器的潜力。使用安捷伦B1500A、Radiant铁电铁测试仪，对BWO阻变存储器的数据保持特性以及疲劳特性进行测试，评估BWO阻变存储器的可靠性。实验发现，BWO薄膜器件拥有优秀的阻变特性，且具备良好的保持和疲劳特性，可应用于阻变存储器件。

公开(公告)号：CN111276602B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202010092622.7

申请日：2020-02-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱慧 ,  金磊 ,  王晨 ,  王斯 ,  柳杰 ,  李锐 ,  刘佳慧

IPC: H10B63/00

Abstract: 本发明公开了一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器，通过脉冲激光沉积方法生长钌酸锶下电极钨酸铋薄膜，并通过掩膜版法制作铂上电极，完成BWO薄膜器件的制备。使用安捷伦安捷伦B1500A测量其I‑V特性曲线，在双对数坐标系下，分析其内部导电机制符合空间电荷限制传导，且正方向具有优异的保持特性，BWO薄膜器件具有制备阻变存储器的潜力。使用安捷伦B1500A、Radiant铁电铁测试仪，对BWO阻变存储器的数据保持特性以及疲劳特性进行测试，评估BWO阻变存储器的可靠性。实验发现，BWO薄膜器件拥有优秀的阻变特性，且具备良好的保持和疲劳特性，可应用于阻变存储器件。