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公开(公告)号：CN112505526A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011419790.9
申请日：2020-12-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率模块内部多芯片温度分布均匀性的评测方法，首先在不同测试电流下建立校温曲线库；其次，基于校温曲线，在不同的测试电流下，测得多个温度值；再次，计算不同测试电流测的温度之间的差值；最后，根据温度阈值与所测温度差值对比，即可在不破坏模块封装的情况下判别模块的温度分布情况。避免了在实际工程中无法判别模块内部温度分布均匀程度是否可以达标的问题。
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公开(公告)号：CN110412447A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910681433.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种无损测量IGBT模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法，首先在不同温度下，测量模块温度均匀时的阈值电压和开通延迟时间，获得校温曲线库；然后在模块工作条件下，测量阈值电压和开通延迟时间；最后将测量值与校温曲线库进行对比，分别获得模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。IGBT芯片并联是提高大容量变换器输出电流的有效途径，然而，各个芯片散热条件的差异将会导致IGBT模块并联芯片中芯片温度不均匀，造成模块的静态不均流和动态不均流，严重影响模块的开关特性，导致某个芯片在开通关断瞬间承担过大电流，极易烧毁芯片，影响整个模块可靠运行；本方法可以测量模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。
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公开(公告)号：CN112505526B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202011419790.9
申请日：2020-12-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率模块内部多芯片温度分布均匀性的评测方法，首先在不同测试电流下建立校温曲线库；其次，基于校温曲线，在不同的测试电流下，测得多个温度值；再次，计算不同测试电流测的温度之间的差值；最后，根据温度阈值与所测温度差值对比，即可在不破坏模块封装的情况下判别模块的温度分布情况。避免了在实际工程中无法判别模块内部温度分布均匀程度是否可以达标的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110412447B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910681433.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种无损测量IGBT模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法，首先在不同温度下，测量模块温度均匀时的阈值电压和开通延迟时间，获得校温曲线库；然后在模块工作条件下，测量阈值电压和开通延迟时间；最后将测量值与校温曲线库进行对比，分别获得模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。IGBT芯片并联是提高大容量变换器输出电流的有效途径，然而，各个芯片散热条件的差异将会导致IGBT模块并联芯片中芯片温度不均匀，造成模块的静态不均流和动态不均流，严重影响模块的开关特性，导致某个芯片在开通关断瞬间承担过大电流，极易烧毁芯片，影响整个模块可靠运行；本方法可以测量模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。
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公开(公告)号：CN112698173A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011419747.2
申请日：2020-12-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种模块内并联器件峰值芯片温度的无损测试方法，该方法通过构建特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇，实现对并联器件或模块的峰值结温测量。获得校温电流‑温度‑导通压降三维数据库，根据测试电流与并联器件数量，利用电流转换公式，得到特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇；利用曲线簇和测量得到器件工作状态测试小电流对应的导通压降，得出不同测试电流下的电流占比‑温度曲线；最后，根据不同测试电流下电流占比‑温度曲线交点，确定并联器件或模块的峰值结温和电流占比。利用该方法，可在成熟小电流压降法的基础上，无需增加额外设备，即可实现模块内并联器件峰值芯片温度的无损测量。
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公开(公告)号：CN113156074A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110196095.9
申请日：2021-02-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出了一种基于模糊迁徙的出水总氮检测方法，针对污水处理过程数据量不足的情况下，难以获得精确检测模型的问题。本发明采用主成分分析算法提取特征变量并建立基于模糊神经网络的检测模型，通过参考模型获取知识，并设计粒子滤波算法对知识进行校正，利用污水处理过程的知识和数据完成检测模型的参数调整，实现出水总氮的精准检测，解决了传统模糊神经网络在数据不足的情况下泛化能力较差的问题，具有较好的学习效率和预测精度，能够保证电子产品回收的高效稳定运行。
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公开(公告)号：CN113156074B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110196095.9
申请日：2021-02-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出了一种基于模糊迁徙的出水总氮检测方法，属于污水处理领域，针对污水处理过程数据量不足的情况下，难以获得精确检测模型的问题。本发明采用主成分分析算法提取特征变量并建立基于模糊神经网络的检测模型，通过参考模型获取知识，并设计粒子滤波算法对知识进行校正，利用污水处理过程的知识和数据完成检测模型的参数调整，实现出水总氮的精准检测，解决了传统模糊神经网络在数据不足的情况下泛化能力较差的问题，具有较好的学习效率和预测精度。
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公开(公告)号：CN112014707A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010671317.3
申请日：2020-07-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种功率循环实验中测量与控制SiC功率VDMOS器件结温的方法，该方法主要通过功率循环实验平台进行间歇性功率施加的方式来加速器件老化过程，以达到模拟SiC功率VDMOS器件实际工况的目的。通过采集器件工作在非饱和区的漏源电流对应的导通压降来计算并提取功率施加期间的芯片温度波动，由反馈电路控制器件结温处于限定范围内；通过采集器件关断状态下的恒定小源漏电流对应的寄生体二极管导通压降来计算并提取功率关断期间的芯片温度波动，由反馈电路控制器件结温处于限定范围内。该方法简单易行，实验成本较低，且不会破坏SiC功率VDMOS器件的封装，通过计算机可实现完全程控，可准确测量与控制SiC功率VDMOS器件的结温。
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