公开(公告)号：CN106835052A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710246585.9

申请日：2017-04-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱慧 ,  汪鹏飞 ,  冯士维 ,  郭春生 ,  张亚民

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02 ,  C23C14/04 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/021 ,  C23C14/042 ,  C23C14/08 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明公开了利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，本方法选择NSTO作为基底，通过射频磁控溅射法制备钙钛矿结构BFO铁电薄膜，然后通过直靶溅射在薄膜上制备0.3mmx0.3mm的顶部电极即可。与现有的技术相比，本发明工艺可控性强，易操作，成本低，制得产物纯度高。而且本发明制备的薄膜具有优越的阻变特性，并具有二极管的单向导电特性，这些优越的特性可使BFO铁电薄膜在阻变存储器中获得应用。

公开(公告)号：CN106409818A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610905648.2

申请日：2016-10-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱慧 ,  孟晓 ,  张迎俏 ,  冯士维 ,  郭春生 ,  汪鹏飞

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L28/55

Abstract: 一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法，属于铁电器件及半导体工艺领域。本发明为通过便捷、经济的方法得到无机衬底且具备柔性的铁电薄膜电容器件，通过使用金刚砂、工业蜡、玻璃片和玻璃板等常见材料作为衬底研磨的工具，利用加热平台使工业蜡融化并粘合玻璃片与PZT，而后用金刚砂可以将衬底厚度约为500μm的刚性PZT器件减薄到100μm厚从而成为柔性PZT，再利用少量化学试剂可以去除粘附在器件表面的残留工业蜡。该方法原理简单、成本低廉、安全可靠，相比于其他方法可以更快更安全地得到柔性铁电薄膜器件，同时不会失去其优良的电学特性，且该柔性器件在反复受力条件下仍能保持良好的电学性能，具备优良的可靠性。

公开(公告)号：CN106409818B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201610905648.2

申请日：2016-10-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱慧 ,  孟晓 ,  张迎俏 ,  冯士维 ,  郭春生 ,  汪鹏飞

IPC: H01L23/64

Abstract: 一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法，属于铁电器件及半导体工艺领域。本发明为通过便捷、经济的方法得到无机衬底且具备柔性的铁电薄膜电容器件，通过使用金刚砂、工业蜡、玻璃片和玻璃板等常见材料作为衬底研磨的工具，利用加热平台使工业蜡融化并粘合玻璃片与PZT，而后用金刚砂可以将衬底厚度约为500μm的刚性PZT器件减薄到100μm厚从而成为柔性PZT，再利用少量化学试剂可以去除粘附在器件表面的残留工业蜡。该方法原理简单、成本低廉、安全可靠，相比于其他方法可以更快更安全地得到柔性铁电薄膜器件，同时不会失去其优良的电学特性，且该柔性器件在反复受力条件下仍能保持良好的电学性能，具备优良的可靠性。