公开(公告)号：CN114152854B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202111316459.9

申请日：2021-11-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱慧 ,  黄增 ,  解娜 ,  方志轩 ,  王斯

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种基于陷阱俘获载流子机理下对柔性薄膜晶体管内部缺陷进行无损电学检测的方法属于半导体器件检测领域。所述方法通过检测陷阱俘获载流子的情况，得到器件的电流值随时间变化，经过一系列的数学处理后，最终实现对柔性薄膜晶体管内部缺陷的无损电学检测。首先，在柔性薄膜晶体管开态情况下，对器件不同电极上施加电压，对器件陷阱俘获载流子的情况进行检测，得到IDS‑time的瞬态电流曲线；在器件处于关态情况下，检测陷阱俘获载流子的情况；将提取得到的陷阱时间常数谱，结合提取出陷阱的激活能，最终确定柔性薄膜晶体管的陷阱位置。本发明所述的方法设备简单、操作方便，在无需增加额外设备即可实现对柔性薄膜晶体管内部缺陷的无损电学检测。

公开(公告)号：CN114152854A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111316459.9

申请日：2021-11-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱慧 ,  黄增 ,  解娜 ,  方志轩 ,  王斯

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种基于陷阱俘获载流子机理下对柔性薄膜晶体管内部缺陷进行无损电学检测的方法属于半导体器件检测领域。所述方法通过检测陷阱俘获载流子的情况，得到器件的电流值随时间变化，经过一系列的数学处理后，最终实现对柔性薄膜晶体管内部缺陷的无损电学检测。首先，在柔性薄膜晶体管开态情况下，对器件不同电极上施加电压，对器件陷阱俘获载流子的情况进行检测，得到IDS‑time的瞬态电流曲线；在器件处于关态情况下，检测陷阱俘获载流子的情况；将提取得到的陷阱时间常数谱，结合提取出陷阱的激活能，最终确定柔性薄膜晶体管的陷阱位置。本发明所述的方法设备简单、操作方便，在无需增加额外设备即可实现对柔性薄膜晶体管内部缺陷的无损电学检测。