公开(公告)号：CN115458592A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211263370.5

申请日：2022-10-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张蒙 ,  李腾 ,  黄艺 ,  张亚民 ,  孟宪伟 ,  温茜 ,  郭春生 ,  冯士维

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有栅介质保护区的碳化硅平面型IGBT，包括P+集电极、位于P+集电极背面的金属集电极和位于P+集电极正面的N型缓冲层；N型缓冲层正面是N－漂移区；N－漂移区正面中间注入一系列重掺杂P+岛、两侧分别具有一个P型基区；两个相邻P型基区之间是N型电荷存储JFET区；两个N型重掺杂N+接触区侧部分别具有一个P型重掺杂P+接触区；金属化发射极位于器件顶层，连接器件中的所有P型重掺杂P+接触区和N型重掺杂N+接触区；金属化发射极和金属化栅极通过绝缘层场氧化层被隔离开；金属化栅极下方是栅介质；本发明所提出的栅介质屏蔽区，可使得在增大相邻p型基区间距时，继续保持较低的关态栅介质电场。