一种基于激光反射率的半导体材料异质界面热阻检测方法

    公开(公告)号:CN117890751A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202410086929.4

    申请日:2024-01-22

    Abstract: 本发明公开了一种测量异质结器件界面温升和热阻的方法,包括探测激光器,加热激光器、反射镜、凸透镜、分光镜、滤光片和光电转换电路组成激光热反射系统,并与上位机交互。样品表面待测点刻蚀出相同大小、均匀分布的矩形阵列,刻蚀深度超过异质界面层,保证矩形面积为其激光加热的热流通过面积。将待测器件固定在恒温平台上,将探测激光照射在样品待测位置,改变恒温平台温度,通过光电转换电路测得不同温度下器件探测激光反射率与温度的关系。保持恒温平台温度恒定,打开加热激光器,同时采集卡采集光电转换电路输出电压变化,待器件温度稳定,得到温升引起的器件反射率随加热时间变化的瞬态温升曲线,通过结构函数法处理得到薄层异质界面热阻。

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