公开(公告)号：CN119881575A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510067742.4

申请日：2025-01-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张亚民 ,  杜颖晨 ,  温茜 ,  潘世杰 ,  郭春生

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种基于瞬态电压法的微秒级器件损伤定位系统，首先搭建陷阱表征测试平台，其中包括PPC端、FPGA主控、漏极与栅极的驱动电路、截取放大电路和采集卡；然后将待测器件三端接入漏极与栅极的驱动电路中；通过FPGA主控下发时序信息完成硬件电路的陷阱填充和测试阶段的状态切换；最后由采集卡收集经过截取电路去噪并放大后的器件漏源两端的瞬态电压传入PC端。本发明可以获取微秒级时间精度的瞬态电压响应曲线，其开关速度小于1微秒，曲线中包含的陷阱信息更为丰富，且使用该平台获取了新的微秒级别的陷阱，由此可更为精确地分析待测器件的损伤位置与原因。

公开(公告)号：CN118294776A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410557382.1

申请日：2024-05-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张亚民 ,  温茜 ,  杜颖晨 ,  孟宪伟 ,  程浩轩

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件陷阱作用强度测试表征装置，属于半导体器件可靠性领域。通过电路设计实现对半导体器件在恒定电学偏置下微秒级瞬态电压曲线的采集并通过结构函数法进一步分析处理得到相关陷阱信息。采用基于贝叶斯反卷积函数的时间常数提取方法优化了陷阱提取精度，并全面表征了时间常数、绝对振幅等陷阱特性。所述方法包括：将被测器件放置于恒温平台，并与陷阱测试电路相连接；在陷阱填充过程中通过电路对器件施加偏置电压；在陷阱释放过程中通过快速开关将切换时间缩短至微秒级，同时采集瞬态电压曲线的变化情况并通过软件进行分析处理，得到器件内部陷阱相关信息。