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公开(公告)号：CN114843226B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110146397.5
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8252 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/861 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管采用同样的湿法刻蚀工艺。与现有技术相比，本发明制备的开关器件具有正向阈值电压、更高正、反向导通电流以及更低反向开启电压，从而提升整个器件的击穿电压，实现更低的开关损耗、更小的占用面积以及更高的转换速率以及更高的工作电压。
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公开(公告)号：CN103258739B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310175534.3
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种基于自停止刻蚀工艺的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域并刻蚀非器件区域，在该器件区域形成源漏端欧姆接触；淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶并光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽栅区域的保护层并去除剩余光刻胶；对凹槽栅区域在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；去除保护层；淀积栅绝缘层并制备栅金属；涂敷光刻胶并光刻源漏端接触孔图形；腐蚀接触孔处绝缘层并去除光刻胶。本发明可制得具有自停止特性且槽底平整、台阶边缘光滑的凹槽栅结构，具有很高的可操作性和可重复性，所制备的氮化镓基增强型器件的性能优异，利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102544186A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210015141.1
申请日：2012-01-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/118 , H01L31/18 , G01T3/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下非对称结构，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，有效增大了两个有源区的距离，即增大了探测器I区的有效厚度，突破了硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。此外，环形有源区通过其结构本身的对称性产生比较均匀的电流分布。
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公开(公告)号：CN101369599B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200810212053.4
申请日：2008-09-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/41 , H01L29/45 , H01L29/772 , H01L29/737 , H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/28 , H01S5/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化镓基器件的欧姆接触，由钛金属层、铝金属层、阻挡金属层和金金属层组成，与氮化镓基器件欧姆接触的是钛金属层，钛金属层上覆盖铝金属层，在钛金属层和铝金属层上依次覆盖阻挡金属层和金金属层，其中，钛金属层和铝金属层重叠排列2—10个周期。与传统欧姆接触结构相比，本发明基于多层Ti/Al结构的欧姆接触能够兼顾低比欧姆接触率，且具有好的表面形貌和高可靠性，能够提高欧姆接触的综合性能。对于实现高性能、高可靠性的氮化镓基器件具有重要意义。
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公开(公告)号：CN101286536A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810105938.4
申请日：2008-05-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；P区上方还设有基质层形成的缓冲台阶；N区优选通过TMAH腐蚀法形成，其外形呈倒圆台状，侧面和底面的夹角为54.74°；P区和N区表层均设有铝层。本发明还公开了所述探测器的制备方法。本发明探测器可很好地作为粒子鉴别的ΔE探测器应用于空间探测，核物理，医学检测和环境监测等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119995373A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510085030.5
申请日：2025-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种支持宽负载范围恒流输出的E类谐振逆变电路，属于电路与系统技术领域。该电路包括输入单元、输出单元和负载网络，输入单元包括直流电源电压Vin、谐振电感Lin、谐振电容Cin和开关管S，输出单元包括滤波电感L1、滤波电容C1和C2，负载网络为负载电阻RL；输入单元的电感‑电容‑开关管组成的网络等效成恒定输出的交流电压源；输出单元的电容‑电感‑电容组成电压电流转换单元，将输入端交流电压源转换为交流电流源，使其等效为一个恒定电流输出的交流电流源；本发明无需外部反馈电路的控制而实现恒定电流输出，具有电路结构简单，可同时支持软开关、负载变化不敏感度等多方面指标的优化和折衷，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114843187B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110141892.7
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种GaN基多纳米沟道高电子迁移率晶体管的制备方法，属于微电子器件技术领域。该方法采用高温氧化腐蚀方法，湿法刻蚀形成纳米沟道阵列结构。由于湿法刻蚀中没有引入等离子体，因此不会在纳米沟道阵列的侧面产生损伤；同时，在一定的温度范围内，只有AlGaN材料会被氧化，而GaN材料不会被氧化，因此腐蚀能够自停止在GaN表面，保证沟道之间以及器件之间的一致性，本发明适合大规模的商业化生产。
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公开(公告)号：CN103258739A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310175534.3
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种基于自停止刻蚀工艺的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域并刻蚀非器件区域，在该器件区域形成源漏端欧姆接触；淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶并光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽栅区域的保护层并去除剩余光刻胶；对凹槽栅区域在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；去除保护层；淀积栅绝缘层并制备栅金属；涂敷光刻胶并光刻源漏端接触孔图形；腐蚀接触孔处绝缘层并去除光刻胶。本发明可制得具有自停止特性且槽底平整、台阶边缘光滑的凹槽栅结构，具有很高的可操作性和可重复性，所制备的氮化镓基增强型器件的性能优异，利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102856188A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210277907.3
申请日：2012-08-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基器件表面淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶，并对待腐蚀区域进行光刻；刻蚀待腐蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓基器件置于腐蚀性溶液中进行腐蚀。本发明可制得槽底平整、台阶边缘光滑的腐蚀槽，并能有效减少对器件造成的损伤，适用于氮化镓基器件的隔离工艺以及其它腐蚀工艺。
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公开(公告)号：CN102097521A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010523325.X
申请日：2010-10-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/115 , G01T1/24 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种曲面结构的硅漂移探测器。本发明的硅漂移探测器包括N型硅片，位于所述N型硅片的入射面的P型漂移电极，施加于所述入射面的反向偏置电压，和位于所述N型硅片的背面的阳极，其特征在于，所述硅漂移探测器还包括位于所述N型硅片的背面的P型曲面漂移电极，所述曲面从距离所述阳极设定的距离处向外围凹陷。本发明还公开了一种硅漂移探测器的制造方法，在该方法中，所需的曲面通过用腐蚀剂腐蚀基底表面而得到。本发明可用于X射线光谱分析，还可用于空间探测等技术领域。
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