公开(公告)号：CN107293515A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710473619.8

申请日：2017-06-20

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  北京大学

Inventor： 官勇 ,  陈兢 ,  金玉丰 ,  林挺宇 ,  尹雯 ,  曹立强

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明提供了一种TSV封装结构的制备方法及其所制备的TSV封装结构，其中所述方法包括：在衬底的第一表面形成盲孔；衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在盲孔内填充导电金属；对衬底的第二表面进行减薄至露出盲孔内的导电金属；在板体的第二表面制作第一布线层，第一布线层的至少一条导线与盲孔内的导电金属连接；在盲孔内填充导电金属的步骤之后，还包括：在板体的第一表面制作第二布线层，第二布线层的至少一条导线与盲孔内的导电金属连接。由于盲孔的底部朝向衬底的第二表面突出，则在TSV封装结构深宽比较大、盲孔较深时，采用传统方法即可用在盲孔的整个内壁制备得到致密均匀的铜种子层，从而在盲孔内部所填充的Cu较均匀。

公开(公告)号：CN104952789A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510214323.5

申请日：2015-04-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所 ,  北京大学

Inventor： 官勇 ,  魏晓旻 ,  马盛林 ,  曾清华 ,  邱颖霞 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明提供了一种含高深宽比TSV的转接板的制作方法。该转接板包括多个高深宽比的垂直TSV通孔、绝缘层、再布线层，所述转接板具有相对的第一表面和第二表面；所述TSV为直径5～150μm，深宽比约10:1，垂直贯穿所述转接板的第一表面和第二表面的垂直通孔；所述绝缘层保型覆盖整个衬底表面及TSV侧壁；所述再分布线层在所述转接板第一表面和第二表面。相应地，本发明详细描述了该转接板的制作步骤。本发明可以有效的避免TSV尺寸太小带来的背面绝缘层不连续、背面绝缘层开裂，以及小尺寸TSV侧壁种子层金属生长过快导致快速封口而带来TSV内存空洞的问题，能够提高含高深宽比TSV的转接板的成品率和电学可靠性。

公开(公告)号：CN107275299B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201710385095.7

申请日：2017-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 官勇 ,  马盛林 ,  曾清华 ,  孟伟 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开一种微通道换热器及其制作方法，属于半导体结构制造领域。该微通道换热器包括第一衬底和第二衬底，第一衬底和第二衬底均具有相对的第一表面和第二表面，第一衬底具有贯穿其第一表面和第二表面的微通道，第二衬底在其第一表面上形成一定深度的通道；第一衬底的第一表面、第二表面以及微通道内设有第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，导电层介于第一绝缘层和第二绝缘层之间；第一衬底的第一表面设有再布线层；第一衬底的第二表面和第二衬底的第一表面设有键合层，第一衬底和第二衬底通过键合层键合在一起。本发明的微通道兼具传热和导电的功能，能够提高微通道的散热效率和整个系统的热学可靠性。

公开(公告)号：CN107275299A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710385095.7

申请日：2017-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 官勇 ,  马盛林 ,  曾清华 ,  孟伟 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开一种微通道换热器及其制作方法，属于半导体结构制造领域。该微通道换热器包括第一衬底和第二衬底，第一衬底和第二衬底均具有相对的第一表面和第二表面，第一衬底具有贯穿其第一表面和第二表面的微通道，第二衬底在其第一表面上形成一定深度的通道；第一衬底的第一表面、第二表面以及微通道内设有第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，导电层介于第一绝缘层和第二绝缘层之间；第一衬底的第一表面设有再布线层；第一衬底的第二表面和第二衬底的第一表面设有键合层，第一衬底和第二衬底通过键合层键合在一起。本发明的微通道兼具传热和导电的功能，能够提高微通道的散热效率和整个系统的热学可靠性。