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公开(公告)号：CN114883171B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210452382.6
申请日：2022-04-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室及其上电极结构，上电极结构包括磁控管组件、发射组件、接收组件、靶材和信号处理装置；磁控管组件位于靶材上方；发射组件与接收组件对称设置在磁控管组件沿水平方向的两侧，且高度均与磁控管组件对应；发射组件用于向接收组件发射多束沿高度方向间隔设置的光线；接收组件用于接收光线以形成光信号，将光信号转换成电信号并发送给信号处理装置；信号处理装置用于根据电信号确定磁控管组件与靶材之间的靶磁间距。在本发明中，磁控管组件能够阻挡发射组件发出的对应高度范围内的光线，进而可根据接收组件接收到光线的情况实时确定磁控管组件的高度，提高确定磁控管组件位置的效率，并保证磁控管组件位置的精确性。
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公开(公告)号：CN114783916A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210441138.X
申请日：2022-04-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导工艺设备的工艺腔室的底壁上贯穿有抽气口，抽真空装置设置于工艺腔室外侧，并且与抽气口连接；抽气调节组件包括有第一调节板、第二调节板及传动杆，第一调节板上开设有第一开口结构，并且设置于工艺腔室内的位于抽气口上方的位置；第二调节板上开设有第二开口结构，并且层叠设置于第一调节板上；传动杆与第一调节板或者第二调节板连接；通过对传动杆进行操作以带动第一调节板及第二调节板相对平移运动，以使第一开口结构与第二开口结构的重合面积发生变化，用于调节抽真空装置的抽真空速率。本申请实施例实现了在工艺状态下灵活调节工艺压力，进而提高了生产效率及良率。
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公开(公告)号：CN114256104A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111435874.6
申请日：2021-11-29
Applicant: 西安北方华创微电子装备有限公司 , 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种腔室泄漏检测方法和半导体工艺设备，应用于半导体装备技术领域，该方法包括：从多个工艺腔室中确定符合预设测漏条件的目标工艺腔室，以及确定处于闲置状态的目标气体分析仪，打开目标气体分析仪与目标工艺腔室之间的隔离阀，并关闭目标气体分析仪与其它工艺腔室之间的隔离阀，使目标气体分析仪只与目标工艺腔室连通，启动目标气体分析仪，使目标气体分析仪在根据目标工艺腔室内的气体成分确定目标工艺腔室泄漏的情况下，输出指示目标工艺腔室泄漏的第一报警信息。在包括多个工艺腔室的半导体工艺设备中，多个工艺腔室可以共享气体分析仪，因此可以在半导体工艺设备中设置较少的气体分析仪，降低半导体工艺设备的成本。
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公开(公告)号：CN113699495A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110684599.5
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射组件，包括固定盘、旋转驱动机构和设置在固定盘上的磁控管，旋转驱动机构用于驱动固定盘旋转，磁控管包括多个磁极，多个磁极沿多条互相嵌套的螺旋状曲线依次排列，沿任一螺旋状曲线排列的多个磁极的极性与沿相邻的螺旋状曲线排列的多个磁极的极性相反，且沿任一螺旋状曲线排列的多个磁极中位于曲线中心的至少一个磁极的极性与其他磁极的极性相反。本发明提供的技术方案提高了磁控管旋转产生的磁场的场强分布均匀性，进而提高了磁控溅射反应中薄膜沉积速率的均匀性。本发明还提供一种磁控溅射设备和磁控溅射方法。
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公开(公告)号：CN112281116A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011018680.1
申请日：2020-09-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜电极制造方法、薄膜电极及存储器。薄膜电极制造方法包括：在工艺开始后的第一时长，通入惰性气体轰击预设金属靶材，以在基板表面形成预设金属单质膜层；在第一时长后的第二时长，通入反应气体和惰性气体的混合气体，其中，在通入混合气体的过程中，逐渐减小惰性气体的流量，同时逐渐增大反应气体的流量，以在预设金属单质膜层上形成预设金属单质和预设金属与反应气体的化合物的混合过渡膜层；在第二时长后的第三时长，继续通入反应气体，同时停止输入惰性气体，以在混合过渡膜层上形成预设金属和反应气体的化合物膜层。实现改善金属单质膜层与化合物膜层之间的接触特性，提高电极性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111058090A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN202010005973.X
申请日：2020-01-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供的应力可调的金属氮化物硬掩膜的制备方法，通过使用合金靶材进行溅射工艺，可以使沉积在晶圆上的所述金属氮化物硬掩膜达到预设厚度，且使得所述金属氮化物硬掩膜的晶体的生长晶向为预设方向。与现有技术使用单一金属材料靶材溅射相比，上述制备方法在金属氮化物硬掩膜中引入了新的金属原子替代部分原有的金属原子，以在沉积金属氮化物硬掩膜时，引发晶格畸变，从而使金属氮化物硬掩膜的晶体在预设方向上生长，提高薄膜性能，尤其适用于14nn以下制程。
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公开(公告)号：CN114959609B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210576577.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、基座、遮挡盘、转移机构、控制装置和检测组件，转移机构用于将遮挡盘由停车工位转移至基座上方或将其转移至停车工位，检测组件用于检测遮挡盘的表面粗糙度，控制装置用于根据检测组件检测得到的遮挡盘的表面粗糙度小于预设粗糙度阈值时，判断遮挡盘是否需更换。在本发明中，控制装置能够在每次使用遮挡盘后，获取检测组件检测得到的表面粗糙度数值，从而可以在线实时掌握检测组件的实际使用情况，在遮挡盘达到预期使用寿命时及时更换遮挡盘，避免由遮挡盘上掉落的颗粒对产品造成影响，并且，还能够有效避免因计算误差而过早更换遮挡盘，从而降低设备使用成本。本发明还提供一种遮挡盘监测方法。
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公开(公告)号：CN118854236A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310484251.0
申请日：2023-04-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化铝薄膜的制备方法。采用物理气相沉积设备制备氮化铝薄膜，物理气相沉积设备包括工艺腔室，工艺腔室中设置有基座和位于基座上方的靶材，靶材与激励电源电连接，围绕工艺腔室的侧壁外侧设置有边磁体组件；制备方法包括：开启边磁体组件，在工艺腔室内形成磁场；按照预设流量比值向工艺腔室内通入第一气体和第二气体的混合气体；开启激励电源，激发混合气体形成等离子体，以通过磁场调节等离子体中的离子分布，以使在待沉积件表面沉积的氮化铝薄膜中存在自由电子。本发明可以在待沉积件上沉积能够导电的氮化铝薄膜。
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公开(公告)号：CN117832118A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211201718.8
申请日：2022-09-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请提供一种工艺腔室，在屏蔽内衬的内侧设置了检测装置，对屏蔽内衬上的沉积膜的厚度进行在线检测。从而在不打开工艺腔的情况下，准确确定沉积膜的厚度。计算装置接收根据沉积膜的厚度生成的检测信号，并根据检测信号确定屏蔽内衬的使用状态。工艺腔室通过检测沉积膜厚度的方式确定屏蔽内衬的使用状态，进而可以及时发现屏蔽内衬的使用寿命耗尽，提高了屏蔽内衬使用寿命确定的准确性。
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公开(公告)号：CN114959609A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210576577.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、基座、遮挡盘、转移机构、控制装置和检测组件，转移机构用于将遮挡盘由停车工位转移至基座上方或将其转移至停车工位，检测组件用于检测遮挡盘的表面粗糙度，控制装置用于根据检测组件检测得到的遮挡盘的表面粗糙度小于预设粗糙度阈值时，判断遮挡盘是否需更换。在本发明中，控制装置能够在每次使用遮挡盘后，获取检测组件检测得到的表面粗糙度数值，从而可以在线实时掌握检测组件的实际使用情况，在遮挡盘达到预期使用寿命时及时更换遮挡盘，避免由遮挡盘上掉落的颗粒对产品造成影响，并且，还能够有效避免因计算误差而过早更换遮挡盘，从而降低设备使用成本。本发明还提供一种遮挡盘监测方法。
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