负载锁定组件及半导体工艺设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119650456A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202311198509.7

    申请日:2023-09-15

    Abstract: 本发明提供一种负载锁定组件及半导体工艺设备,负载锁定组件,用于半导体工艺设备,包括:负载锁定腔室;预调压腔室;控制阀,控制阀连接在负载锁定腔室与预调压腔室之间;在控制阀的关闭状态,预调压腔室内部预先调节至与负载锁定腔室不同的气压状态,形成压力差;在控制阀的开启状态,预调压腔室与负载锁定腔室连通,以调节负载锁定腔室内的气压。本发明的负载锁定组件通过增加预调压腔室,可以在进行其他步骤时预先调节预调压腔室内的气压,在与负载锁定腔室连通后,使负载锁定腔室内部快速达到真空状态或大气状态,减少晶圆在传输过程中的等待时间,提高整机传输效率。

    射频电源控制系统和方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116453928A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310343950.3

    申请日:2023-03-31

    Abstract: 本申请公开了射频电源控制系统和方法,以解决目前在射频设备软件异常的情况下,射频电源无法关闭的问题。射频电源控制系统包括控制模块、互锁回路和互锁模块;其中,射频电源位于互锁回路中,射频电源用于在互锁回路导通的情况下,输出射频功率,并且在互锁回路断开的情况下,停止输出射频功率;控制模块用于在射频设备的内部软件运行正常的情况下,向互锁模块发送用于导通互锁回路的第一信号;互锁模块用于在接收到控制模块发送的第一信号的情况下,导通互锁回路;以及,用于在未接收到控制模块发送的第一信号的情况下,断开互锁回路。该技术方案能够在射频设备内部软件运行异常的情况下,断开互锁回路,从而切断射频电源的输出。

    一种静电卡盘电源和半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN119483198A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411555699.8

    申请日:2024-11-01

    Abstract: 本发明公开了一种静电卡盘电源和半导体工艺设备,包括信号发生模块、开关模块、升压模块和整流模块,信号发生模块产生脉冲信号,开关模块在脉冲信号的控制下产生第一电压信号,升压模块将第一电压信号升压为第二电压信号,整流模块将第二电压信号整流成用于使静电卡盘的至少两个电极的电压极性相反的第三电压信号和第四电压信号,因为第三电压信号和第四电压信号的参考信号与参考信号端的参考信号相同,而参考信号端不与大地连接,所以,可以使得电极的电压参考点是参考信号端而不是大地,又因为晶圆的电压参考点是大地,所以,可以使得电极与晶圆的电压参考点不是同一参考点,进而可以避免晶圆上的鞘层偏压影响静电卡盘的静电吸附力。

    一种信号处理系统和半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN118503171A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410613019.7

    申请日:2024-05-16

    Abstract: 本发明实施例提供了一种信号处理系统和半导体设备,本发明中核心板可以根据不同适配板的功能类型对至少一个适配板的数据传输通道进行配置,本发明中将核心板与至少一个适配板集成在一个PCB板上,由于PCB板的通信方式为内部走线,因此可以减少至少一个适配板和核心板所占用的体积,提升了空间利用率;本发明中不同适配板采集的信号可以通过PCB走线的方式传输至核心板再进行输出,减少了多种适配板向外输出需要使用的各种通信协议,减少了信号传输过程中的故障点,降低了通信故障率。

    半导体工艺设备中的加热装置及半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN114121731A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111417404.7

    申请日:2021-11-25

    Inventor: 刘晓行

    Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体工艺设备中的加热装置及半导体工艺设备,用以解决现有半导体工艺设备中加热装置受设备环境的影响较大,导致温度补偿效果较差的问题。该加热装置包括多个加热器、多条功率线缆、功率分配器、供电电源以及控制器;功率分配器包括多个开关元件,各功率线缆分别与两个开关元件连接,且该两个开关元件分别连接至供电电源的正极和负极;多个加热器均设置在卡盘中;任意两条功率线缆之间连接有两个加热器,两个加热器对应的定向导通元件的导通方向相反;控制器,用于向功率分配器发送控制信号,控制信号用于控制各开关元件导通或断开,使各功率线缆接入正极、负极或开路。该加热装置能够达到多种温度补偿效果。

    晶圆承载装置及半导体工艺设备
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118016497A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202211399286.6

    申请日:2022-11-09

    Abstract: 本申请公开一种晶圆承载装置,所公开的晶圆承载装置包括基座(100)、馈电部(210)和第一转接件(300),其中:所述第一转接件(300)位于所述基座(100)下方,所述第一转接件(300)设有中心孔(311)和环状电连接面(312),所述环状电连接面(312)环绕所述中心孔(311)设置;所述馈电部(210)的端部插入所述中心孔(311),且与所述第一转接件(300)电连接,所述基座(100)与所述环状电连接面(312)电连接。本申请还公开一种半导体工艺设备。上述方案能解决相关技术中涉及的晶圆承载装置存在圆周方向的温度均匀性较差的问题。

    一种半导体工艺设备及其下电极装置

    公开(公告)号:CN115394627A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202211032710.3

    申请日:2022-08-26

    Abstract: 本申请提供了一种半导体工艺设备及其下电极装置,涉及半导体制造领域,其中设置了连接机构,连接机构中的射频转接件将射频传输件与卡盘电连接,射频通过射频传输件和射频转接件馈入卡盘中;连接机构中的第一转接线路将第一线缆输出的第一交流电信号导入卡盘中的第一加热元件,进而实现卡盘的加热功能。射频转接件与卡盘之间具有屏蔽腔,第一电路转接板设置在屏蔽腔中,避免了射频对第一电路转接板的干扰。本申请取消了陶瓷绝缘盘与卡盘之间的树脂转接盘,由第一电路转接板对转接电路进行支撑和固定。树脂转接盘所在空间由空气填充,空气的介电常数小于树脂的介电常数,可减小卡盘的对地电容。

    半导体工艺腔室及其顶针高度调节装置

    公开(公告)号:CN220233099U

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202320371616.4

    申请日:2023-02-28

    Inventor: 侯朋飞 刘晓行

    Abstract: 本申请提供一种半导体工艺腔室及其顶针高度调节装置,半导体工艺腔室中设置有用于承载晶圆的基座,顶针高度调节装置包括执行部和顶针组件,顶针组件可升降地穿设于基座,顶针组件的外侧壁设有高度标识,执行部和顶针组件数量相等,且一一对应地连接;顶针高度调节装置还包括检测组件和控制器,检测组件用于识别各个顶针组件的高度标识;控制器连接检测组件和执行部。顶针组件支撑晶圆,执行部动作带动顶针组件升降,从而使晶圆升降。控制器通过检测组件测得各个顶针组件的高度,并通过执行部实时调节顶针组件高度,保证晶圆在升降过程中保持水平,降低了晶圆发生倾斜的风险,保证机械手能够正确取得晶圆,避免晶圆从顶针高度调节装置上滑落。

    下电极装置及半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN219832557U

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202320644737.1

    申请日:2023-03-24

    Abstract: 本实用新型公开了一种下电极装置及半导体工艺设备,该下电极装置包括:卡盘、射频馈入同轴管、直流电源以及至少一个正极供电线缆;卡盘内设有加热器,加热器的负极通过射频馈入同轴管的管壁与直流电源的负极电连接;正极供电线缆设置于射频馈入同轴管内,加热器的正极通过正极供电线缆与直流电源的正极电连接。本方案能够减小射频馈入同轴管的尺寸,并降低卡盘的对地电容。

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