公开(公告)号：CN114783918A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210480380.8

申请日：2022-05-05

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 张汉石

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室，其中用于向腔体内部输送气体的进气装置包括气路连接件、转接管和转接块；其中，气路连接件设置于喷嘴上，气路连接件内部具有第一通道，第一通道的出气端与喷嘴的进气端连通；转接块固定在线圈支架上；转接块内部具有第二通道，第二通道的进气端用于和气源连通，第二通道的出气端与转接管的进气端连通，转接管的出气端与第一通道的进气端连通。本发明提供的半导体工艺腔室，其能够减少向喷嘴施加的外力，从而能够减少喷嘴与介质窗之间发生摩擦，降低颗粒问题发生的风险。

公开(公告)号：CN114783918B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202210480380.8

申请日：2022-05-05

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 张汉石

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室，其中用于向腔体内部输送气体的进气装置包括气路连接件、转接管和转接块；其中，气路连接件设置于喷嘴上，气路连接件内部具有第一通道，第一通道的出气端与喷嘴的进气端连通；转接块固定在线圈支架上；转接块内部具有第二通道，第二通道的进气端用于和气源连通，第二通道的出气端与转接管的进气端连通，转接管的出气端与第一通道的进气端连通。本发明提供的半导体工艺腔室，其能够减少向喷嘴施加的外力，从而能够减少喷嘴与介质窗之间发生摩擦，降低颗粒问题发生的风险。

公开(公告)号：CN115421419A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211058110.4

申请日：2022-08-31

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 张汉石 ,  沈浩 ,  王伟

IPC: G05B19/042

Abstract: 本申请公开了一种上电极搭头处理电路、开盖机构及半导体设备。上电极搭头处理电路包括第一控制开关和搭头检测电路。第一控制开关串接于第一供电支路与驱动装置之间；搭头检测电路在检测到上电极发生搭头现象时，控制第一控制开关闭合，以使第一供电支路向驱动装置供电，驱动装置带动上电极下降，使上电极回落到反应腔上。可见，本申请在开盖机构提升上电极时，可检测上电极是否发生搭头现象，并在上电极发生搭头现象时，将原有的上电极提升动作自动转换为上电极下降动作，使上电极回落到反应腔上，从而及时发现上电极发生搭头现象并处理，避免上电极的四个边角的悬垂量差距过大引发一系列问题，保证设备开盖过程的安全可靠。