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公开(公告)号：CN119650394A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411813678.1
申请日：2024-12-10
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种内衬，包括内衬本体和设置于内衬本体的至少一个接地结构，接地结构包括接地主体、连接部和接地部，其中，接地主体呈条状，且与内衬本体的下端间隔设置，接地主体在其延伸方向上的至少一端设置有连接部，连接部与内衬本体的下端连接，且电导通；接地部与连接部沿接地主体的延伸方向间隔设置；接地部在使用时用于与接地件固定连接，且电导通。本发明还提供一种半导体加工腔室。
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公开(公告)号：CN109136885B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710463952.0
申请日：2017-06-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 廖凤英
Abstract: 本发明提供了一种线圈调节机构，包括旋转件和与旋转件连接的移动转换组件，移动转换组件用于将旋转件的旋转运动转换为沿旋转件的旋转轴线方向的直线运动，移动转换组件包括安装件、移动杆和至少一个定位件，其中，移动杆设置于安装件中，且移动杆的轴线方向与旋转件的旋转轴线方向一致，当旋转件绕旋转轴线旋转时，能够带动移动杆沿该移动杆的轴线方向移动，定位件设置于移动杆和安装件之间，以限定移动杆的位置，防止移动杆发生绕旋转轴线的转动。本发明还提供一种感应加热装置和一种气相沉积设备。本发明的线圈调节机构和感应加热装置，线圈调节机构不容易与线圈发生脱离。
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公开(公告)号：CN119361480A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411498389.7
申请日：2024-10-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开一种半导体工艺腔室，所公开的半导体工艺腔包括腔室本体、基座和第一内衬，其中，所述基座设于所述腔室本体内，所述第一内衬活动地设于所述腔室本体内，所述第一内衬环绕所述基座设置，且位于所述基座与所述腔室本体之间；在所述半导体工艺腔室进行沉积工艺时，所述第一内衬移动至第一位置，所述第一内衬的至少部分高于所述基座的承载面；在所述半导体工艺腔室进行刻蚀工艺时，所述第一内衬移动至第二位置，所述第一内衬低于所述承载面或与所述承载面平齐。上述方案可以解决相关技术中的工艺腔室在进行刻蚀工艺的过程中，沉积在腔室内壁上的膜层容易掉落在晶圆上，而对晶圆造成污染的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109136885A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710463952.0
申请日：2017-06-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 廖凤英
Abstract: 本发明提供了一种线圈调节机构，包括旋转件和与旋转件连接的移动转换组件，移动转换组件用于将旋转件的旋转运动转换为沿旋转件的旋转轴线方向的直线运动，移动转换组件包括安装件、移动杆和至少一个定位件，其中，移动杆设置于安装件中，且移动杆的轴线方向与旋转件的旋转轴线方向一致，当旋转件绕旋转轴线旋转时，能够带动移动杆沿该移动杆的轴线方向移动，定位件设置于移动杆和安装件之间，以限定移动杆的位置，防止移动杆发生绕旋转轴线的转动。本发明还提供一种感应加热装置和一种气相沉积设备。本发明的线圈调节机构和感应加热装置，线圈调节机构不容易与线圈发生脱离。
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公开(公告)号：CN116978767A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311099472.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种下电极馈入装置和半导体加工设备，该装置包括射频馈入组件，射频馈入组件的一端用于与射频源电连接，另一端用于与卡盘组件电连接；射频馈入组件包括至少两个射频馈入管和至少一个射频转接管；其中，每相邻两个射频馈入管均设置有第一配合部，射频转接管设置有两个第二配合部，两个第二配合部分别与相邻两个射频馈入管的第一配合部相配合，以使射频转接管分别与相邻两个射频馈入管可拆卸连接，且电导通。本方案不仅可以更方便地拆装射频馈入管，而且可以更好地保证各机台装配一致性，而且还可以选用固态介质而不存在固态介质不易拆装的问题，从而可以减小下电极馈入装置的占用空间，从而可以有更多的空间用于优化其他下电极部件。
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公开(公告)号：CN106929826B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201511027737.3
申请日：2015-12-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 廖凤英
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供了进气装置及半导体加工设备，该进气装置在安装体和本体相接触的表面上，安装体和本体中的一个设置有用于在其内设置第一密封圈的环形凹部，另一个设置有环形凸部，环形凹部和环形凸部均设置在升降通道的内沿区域，环形凸部的靠近环形凹部的内径大小大于远离环形凹部的内径大小，环形凸部用于在环形凹部内将第一密封圈挤压在环形凸部的内周壁、环形凹部和升降针形成的空间内，第一密封圈同时受到朝向环形凹部的挤压力和朝向升降针的挤压力，和/或，在安装体和连通位置之间的升降通道的内壁上设置有环绕升降通道设置用于放置第二密封圈的环形通道，升降针的一端在环形通道所在位置和连通位置之间升降。该进气装置密封性好。
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公开(公告)号：CN210420254U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201920852497.8
申请日：2019-06-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 廖凤英
Abstract: 一种单晶生长设备，包括反应腔室(106)、上盖(110)、上开盖组件(111)、下盖(113)和下开盖组件(114)，上盖(110)和下盖(113)分别可开闭地设于反应腔室(106)的顶部和底部，分别用于密封反应腔室(106)的顶部开口和底部开口，上开盖组件(111)与上盖(110)连接，用于开闭上盖(110)，下开盖组件(114)与下盖(113)连接，用于开闭下盖(113)。本实用新型能够解决单晶生长炉单一开盖方式装卸料带来的操作空间要求大、晶体品质下降、污染环境等问题。
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公开(公告)号：CN222896668U
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202420765999.8
申请日：2024-04-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体工艺设备及其工艺腔室，工艺腔室包括腔室本体、用于加热预设区域的加热组件，以及用于测量预设区域的当前温度的测温组件；腔室本体的侧壁设有与加热组件位置相对应的冷却组件，冷却组件中通入冷却介质，用于降低预设区域的温度。加热组件用于对预设区域进行加热，冷却组件能够降低预设区域的温度，加热组件和冷却组件配合可主动调整腔室本体内的温度场分布，使腔室本体内部的温度场更加均匀，进而使等离子体在腔室本体内分布更加均匀，提高等离子体对晶圆刻蚀的均匀性。
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