公开(公告)号：CN119650394A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411813678.1

申请日：2024-12-10

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨纪鹏 ,  茅兴飞 ,  王海莉 ,  李岩 ,  杨延铭 ,  王英杰 ,  程超杰 ,  姚卫杰 ,  廖凤英

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/505 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种内衬，包括内衬本体和设置于内衬本体的至少一个接地结构，接地结构包括接地主体、连接部和接地部，其中，接地主体呈条状，且与内衬本体的下端间隔设置，接地主体在其延伸方向上的至少一端设置有连接部，连接部与内衬本体的下端连接，且电导通；接地部与连接部沿接地主体的延伸方向间隔设置；接地部在使用时用于与接地件固定连接，且电导通。本发明还提供一种半导体加工腔室。

公开(公告)号：CN119361480A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411498389.7

申请日：2024-10-24

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨延铭 ,  茅兴飞 ,  王伟 ,  李岩 ,  杨纪鹏 ,  程超杰 ,  王英杰 ,  廖凤英 ,  姚卫杰

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明公开一种半导体工艺腔室，所公开的半导体工艺腔包括腔室本体、基座和第一内衬，其中，所述基座设于所述腔室本体内，所述第一内衬活动地设于所述腔室本体内，所述第一内衬环绕所述基座设置，且位于所述基座与所述腔室本体之间；在所述半导体工艺腔室进行沉积工艺时，所述第一内衬移动至第一位置，所述第一内衬的至少部分高于所述基座的承载面；在所述半导体工艺腔室进行刻蚀工艺时，所述第一内衬移动至第二位置，所述第一内衬低于所述承载面或与所述承载面平齐。上述方案可以解决相关技术中的工艺腔室在进行刻蚀工艺的过程中，沉积在腔室内壁上的膜层容易掉落在晶圆上，而对晶圆造成污染的问题。

公开(公告)号：CN222896668U

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202420765999.8

申请日：2024-04-12

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨延铭 ,  茅兴飞 ,  王伟 ,  李岩 ,  姚卫杰 ,  杨纪鹏 ,  廖凤英 ,  程超杰 ,  王英杰

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请提供一种半导体工艺设备及其工艺腔室，工艺腔室包括腔室本体、用于加热预设区域的加热组件，以及用于测量预设区域的当前温度的测温组件；腔室本体的侧壁设有与加热组件位置相对应的冷却组件，冷却组件中通入冷却介质，用于降低预设区域的温度。加热组件用于对预设区域进行加热，冷却组件能够降低预设区域的温度，加热组件和冷却组件配合可主动调整腔室本体内的温度场分布，使腔室本体内部的温度场更加均匀，进而使等离子体在腔室本体内分布更加均匀，提高等离子体对晶圆刻蚀的均匀性。