-
公开(公告)号：CN119324146A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202310876854.5
申请日：2023-07-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种线圈连接件、电极线圈连接结构及半导体工艺设备，线圈连接件包括：支臂，支臂为多个；均流部，均流部具有相对设置的第一端和第二端，支臂的第二端连接在均流部的第二端上；均流部还具有外周壁，均流部的外周壁自均流部的第一端延伸至第二端，所有支臂沿均流部的外周壁周向间隔分布，所述均流部用于分散所述射频源输出的电流，以使所述电流均匀分流至所述支臂。本发明的线圈连接件通过设置均流部，使均流部与各个支臂间的距离基本相同，从而使电流可以均匀地分流至各个支臂上，提高电极线圈电流部分的均匀性。
-
公开(公告)号：CN118555728A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310174346.2
申请日：2023-02-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了线圈装置、工艺腔室及半导体工艺设备，其中，所述线圈装置包括：座体、第一线圈、第二线圈、多个第一支座、第一连接件和第二连接件；座体、第一线圈和第二线圈沿预设方向依次层叠分布，多个第一支座沿第一线圈的环绕方向分布于座体，第一支座包括沿预设方向相对设置的第一连接部和第二连接部；第一连接件沿预设方向穿设于第一线圈和第一连接部，以将第一线圈固定连接于第一连接部的朝向第二连接部的部位；第二连接件沿预设方向穿设于第二线圈和第二连接部，以将第二线圈固定连接于第二连接部的朝向第一连接部的部位。所述线圈装置能够提升第一线圈与第二线圈之间的电场的均匀性。
-
公开(公告)号：CN115394627A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211032710.3
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请提供了一种半导体工艺设备及其下电极装置，涉及半导体制造领域，其中设置了连接机构，连接机构中的射频转接件将射频传输件与卡盘电连接，射频通过射频传输件和射频转接件馈入卡盘中；连接机构中的第一转接线路将第一线缆输出的第一交流电信号导入卡盘中的第一加热元件，进而实现卡盘的加热功能。射频转接件与卡盘之间具有屏蔽腔，第一电路转接板设置在屏蔽腔中，避免了射频对第一电路转接板的干扰。本申请取消了陶瓷绝缘盘与卡盘之间的树脂转接盘，由第一电路转接板对转接电路进行支撑和固定。树脂转接盘所在空间由空气填充，空气的介电常数小于树脂的介电常数，可减小卡盘的对地电容。
-
公开(公告)号：CN118471659A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310134399.1
申请日：2023-02-09
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备、上电极装置及其线圈组件，该线圈组件包括至少一个外线圈和至少一个内线圈；外线圈及内线圈均为同方向绕制的螺旋线圈；各个外线圈包括位于线圈内侧的第一端部和位于线圈外侧的第二端部，各个内线圈包括位于线圈内侧的第三端部和位于线圈外侧的第四端部；其中，第一端部设置为电流馈入点，第二端部设置为电流馈出点，第三端部设置为电流馈出点，第四端部设置为电流馈入点，或者，第二端部设置为电流馈入点，第一端部设置为电流馈出点，第四端部设置为电流馈出点，第三端部设置为电流馈入点。本技术方案，可通过改变内线圈或外线圈的电流馈入点和电流馈出点来改变相应的感应电场方向，以有效提高晶圆的刻蚀均匀性。
-
公开(公告)号：CN113838736B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110591137.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种线圈结构，包括至少一组线圈组；线圈组包括第一线圈和第二线圈，第一线圈和第二线圈缠绕形成环形区域，第一线圈的第一端和第二线圈的第一端均逐渐靠近环形区域的内环，第一线圈的第二端和第二线圈的第二端均逐渐靠近环形区域的外环；第一线圈的第一端与第二线圈的第一端电连接；第一线圈在垂直于线圈结构的轴向的平面形成第一投影，第二线圈在垂直于线圈结构的轴向的平面形成第二投影，且第一投影与第二投影镜像对称。该线圈结构能够产生左右对称分布的电磁场，进而实现形成分布均匀的等离子体，有效提高半导体的刻蚀质量和刻蚀效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115604899A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110776478.3
申请日：2021-07-09
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司(CN)
Abstract: 本发明提供一种用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备，该线圈结构包括至少一个线圈组，线圈组包括第一子线圈组和第二子线圈组，第一子线圈组包括位于垂直于线圈组的轴线的第一平面内的至少一个第一平面线圈，第二子线圈组包括位于平行于第一平面的第二平面内的至少一个第二平面线圈，第一平面线圈与第二平面线圈串联，第二平面线圈在第一平面上的正投影与第一平面线圈呈镜像对称或者镜像非对称。本发明提供的用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备，可以补偿线圈在径向上的电流分布差异，提高在线圈在其下方产生的耦合能量在径向上的分布均匀性，从而提高等离子体中的自由基及离子密度在径向上的分布均匀性。
-
公开(公告)号：CN113838736A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110591137.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种线圈结构，包括至少一组线圈组；线圈组包括第一线圈和第二线圈，第一线圈和第二线圈缠绕形成环形区域，第一线圈的第一端和第二线圈的第一端均逐渐靠近环形区域的内环，第一线圈的第二端和第二线圈的第二端均逐渐靠近环形区域的外环；第一线圈的第一端与第二线圈的第一端电连接；第一线圈在垂直于线圈结构的轴向的平面形成第一投影，第二线圈在垂直于线圈结构的轴向的平面形成第二投影，且第一投影与第二投影镜像对称。该线圈结构能够产生左右对称分布的电磁场，进而实现形成分布均匀的等离子体，有效提高半导体的刻蚀质量和刻蚀效率。
-
公开(公告)号：CN115206764A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210862883.1
申请日：2022-07-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种线圈装置及半导体工艺腔室，涉及半导体工艺装备领域。一种线圈装置，应用于半导体工艺腔室，所述线圈装置包括：第一介质层、第二介质层、第一线圈层和第二线圈层；所述第一介质层与所述第二介质层间隔设置，且两者之间形成空气层；所述第一线圈层设置于所述第一介质层，所述第二线圈层设置于所述第二介质层，所述第一线圈层与所述第二线圈层对应设置并串联连接。一种半导体工艺腔室，包括上述线圈装置。本申请至少能够解决线圈的角向分布不对称等问题。
-
公开(公告)号：CN119943636A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202311452859.1
申请日：2023-11-02
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种上电极装置及半导体工艺设备，上电极装置包括屏蔽壳体、第一线圈、第二线圈、接地组件和多个连接部件，接地组件和多个连接部件均设置在屏蔽壳体内，多个连接部件均用于与设置在屏蔽壳体外的匹配部件电连接；第一线圈环绕在第二线圈的周围，第一线圈和第二线圈均具有馈入端和馈出端，第一线圈的馈入端、第一线圈的馈出端和第二线圈的馈入端一一对应的通过三个连接部件分别与匹配部件电连接，第二线圈的馈出端通过接地组件与屏蔽壳体连接接地。本发明提供的上电极装置及半导体工艺设备，能够提高耐压能力，降低打火风险，进而能够提高使用可靠性。
-
公开(公告)号：CN118737609A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310324342.8
申请日：2023-03-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种线圈组件及半导体工艺设备，该线圈组件包括：沿轴向间隔设置的第一线圈和第二线圈，第一线圈的内端部与第二线圈的内端部通过电容组串联连接；其中，轴向为线圈组件的轴向。本发明通过在第一线圈的内端部与第二线圈的内端部之间串联电容组，可以达到减小第一线圈与第二线圈之间的最大层间电压的目的，从而可以减小线圈组件的最大电场，在线圈组件层间距不变的情况下，提升了线圈组件的耐压能力，使线圈组件能够满足高功率需求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.037 seconds)
