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公开(公告)号：CN116978767A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311099472.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种下电极馈入装置和半导体加工设备，该装置包括射频馈入组件，射频馈入组件的一端用于与射频源电连接，另一端用于与卡盘组件电连接；射频馈入组件包括至少两个射频馈入管和至少一个射频转接管；其中，每相邻两个射频馈入管均设置有第一配合部，射频转接管设置有两个第二配合部，两个第二配合部分别与相邻两个射频馈入管的第一配合部相配合，以使射频转接管分别与相邻两个射频馈入管可拆卸连接，且电导通。本方案不仅可以更方便地拆装射频馈入管，而且可以更好地保证各机台装配一致性，而且还可以选用固态介质而不存在固态介质不易拆装的问题，从而可以减小下电极馈入装置的占用空间，从而可以有更多的空间用于优化其他下电极部件。
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公开(公告)号：CN114823272A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210574363.0
申请日：2022-05-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，半导体工艺设备包括工艺腔室、介质窗、射频腔室和气流引入装置，介质窗设于工艺腔室的上方，射频腔室设置于工艺腔室上方，且介质窗朝向射频腔室的内部，射频腔室设有通气口，在气流引入装置的作用下，外部气体由通气口进入射频腔室内，并在射频腔室内自上而下流向介质窗的控温气流，射频腔室的侧壁开设有散热孔。如此设置，即使介质窗处于高功率射频条件下，采用该半导体工艺设备能够对介质窗快速降温，使介质窗降温至适宜温度范围内。
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公开(公告)号：CN119650394A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411813678.1
申请日：2024-12-10
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种内衬，包括内衬本体和设置于内衬本体的至少一个接地结构，接地结构包括接地主体、连接部和接地部，其中，接地主体呈条状，且与内衬本体的下端间隔设置，接地主体在其延伸方向上的至少一端设置有连接部，连接部与内衬本体的下端连接，且电导通；接地部与连接部沿接地主体的延伸方向间隔设置；接地部在使用时用于与接地件固定连接，且电导通。本发明还提供一种半导体加工腔室。
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公开(公告)号：CN118675966A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310272630.3
申请日：2023-03-20
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备及其内衬结构，属于半导体工艺技术。该内衬结构包括第一环形内衬、第二环形内衬和第三环形内衬，第一环形内衬、第二环形内衬以及第三环形内衬依次相接设置；第一环形内衬及第二环形内衬均沿工艺腔室的竖直方向延伸，且第二环形内衬上沿其圆周方向等间隔分布有多个条形抽气栅格；第三环形内衬沿工艺腔室的水平方向延伸，且第三环形内衬为无栅格设计的环形板状体。本技术方案，其内衬结构可改善半导体工艺设备的腔室内部气流场的均匀性，以提高晶圆表面刻蚀的均匀性，同时，也提高对等离子体的屏蔽效果，以提高内衬结构下方部件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117954371A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211272511.X
申请日：2022-10-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，属于半导体制造技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体和下电极组件，下电极组件设置于腔室本体内，下电极组件包括升降部件和隔离基座，隔离基座设有容纳腔，且隔离基座的外壁设有至少一个凹陷部，凹陷部向容纳腔的内部凹陷，至少一个升降部件分别设置于各个凹陷部内，且可相对于隔离基座在竖直方向上移动。半导体工艺设备包括上述的半导体工艺腔室。采用上述方案，隔离基座将升降部件与容纳腔内的其它结构件间隔开，同时，升降部件不会占用位于隔离基座外部的其它部件的空间，如此，既能避免升降部件影响容纳腔内的结构件，又能减小隔离基座的占用空间，进而减小下电极组件占用的空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115497797A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210586916.4
申请日：2022-05-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备，该线圈结构中，每个线圈单元均包括M个线圈组，M为大于等于4的整数；M个线圈组的结构相同，且相互并联；M个线圈组中的各层所述平面线圈一一对应地同层设置，并且位于同一层的M个平面线圈沿平面线圈的圆周方向相互间隔，且均匀分布；线圈组包括相互平行的N层平面线圈，N为大于等于4的偶数；N层平面线圈沿垂直于平面线圈所在平面的方向间隔设置，且依次首尾串接；每相邻两层平面线圈在平面线圈所在平面上的正投影呈镜像对称。本发明的技术方案，既可以提高在线圈在其下方产生的耦合能量在径向、角向上的分布均匀性，又可以提高线圈的整体耐压能力，从而可以实现大功率馈入。
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公开(公告)号：CN119361480A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411498389.7
申请日：2024-10-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开一种半导体工艺腔室，所公开的半导体工艺腔包括腔室本体、基座和第一内衬，其中，所述基座设于所述腔室本体内，所述第一内衬活动地设于所述腔室本体内，所述第一内衬环绕所述基座设置，且位于所述基座与所述腔室本体之间；在所述半导体工艺腔室进行沉积工艺时，所述第一内衬移动至第一位置，所述第一内衬的至少部分高于所述基座的承载面；在所述半导体工艺腔室进行刻蚀工艺时，所述第一内衬移动至第二位置，所述第一内衬低于所述承载面或与所述承载面平齐。上述方案可以解决相关技术中的工艺腔室在进行刻蚀工艺的过程中，沉积在腔室内壁上的膜层容易掉落在晶圆上，而对晶圆造成污染的问题。
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公开(公告)号：CN118555728A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310174346.2
申请日：2023-02-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了线圈装置、工艺腔室及半导体工艺设备，其中，所述线圈装置包括：座体、第一线圈、第二线圈、多个第一支座、第一连接件和第二连接件；座体、第一线圈和第二线圈沿预设方向依次层叠分布，多个第一支座沿第一线圈的环绕方向分布于座体，第一支座包括沿预设方向相对设置的第一连接部和第二连接部；第一连接件沿预设方向穿设于第一线圈和第一连接部，以将第一线圈固定连接于第一连接部的朝向第二连接部的部位；第二连接件沿预设方向穿设于第二线圈和第二连接部，以将第二线圈固定连接于第二连接部的朝向第一连接部的部位。所述线圈装置能够提升第一线圈与第二线圈之间的电场的均匀性。
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公开(公告)号：CN115394627A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211032710.3
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请提供了一种半导体工艺设备及其下电极装置，涉及半导体制造领域，其中设置了连接机构，连接机构中的射频转接件将射频传输件与卡盘电连接，射频通过射频传输件和射频转接件馈入卡盘中；连接机构中的第一转接线路将第一线缆输出的第一交流电信号导入卡盘中的第一加热元件，进而实现卡盘的加热功能。射频转接件与卡盘之间具有屏蔽腔，第一电路转接板设置在屏蔽腔中，避免了射频对第一电路转接板的干扰。本申请取消了陶瓷绝缘盘与卡盘之间的树脂转接盘，由第一电路转接板对转接电路进行支撑和固定。树脂转接盘所在空间由空气填充，空气的介电常数小于树脂的介电常数，可减小卡盘的对地电容。
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公开(公告)号：CN219203089U
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202223531992.X
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本实用新型提供一种下电极结构及半导体工艺设备，下电极结构，应用于半导体工艺设备，下电极结构包括静电卡盘、绝缘盘、转接盘、进液管和出液管，静电卡盘设置在绝缘盘上，绝缘盘设置在转接盘上；绝缘盘中设置有进液通道和出液通道，静电卡盘中设置有冷却通道，冷却通道与进液通道和出液通道密封连通，进液管和出液管均与转接盘连接，且进液管与进液通道连通，用于通过进液通道向冷却通道输送冷却介质，出液管与出液通道连通，用于将冷却通道中的冷却介质排出。本实用新型提供的下电极结构及半导体工艺设备，能够减少零部件数量，缩短尺寸链，从而能够简化结构，降低加工精度，便于拆装维护，提高密封稳定性，降低成本。
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