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公开(公告)号：CN107863430B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710755921.2
申请日：2017-08-29
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1‑xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102447023B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110302936.6
申请日：2011-09-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件呈现进一步改善的光提取效率，并且抑制凹陷生成。再该生产方法中，n型层、发光层和p型层(每个层均由III族氮化物半导体制成)经由缓冲层顺序沉积在具有c面主表面的织构化蓝宝石衬底上。掩埋层由III族氮化物半导体于较之当n型层沉积在掩埋层上时1000℃至1200℃的温度更低20℃至80℃的温度下形成在缓冲层上，以通过掩埋织构而使掩埋层的顶表面平坦。提供在蓝宝石衬底上的织构可以具有1μm至2μm的深度，并且侧表面倾斜40°至80°。防护层可以由GaN于600℃至1050℃下形成，以覆盖缓冲层的整个顶表面。这抑制缓冲层的传质。由此，可以抑制晶体中的凹陷生成。缓冲层可以由含有Al的III族氮化物半导体形成。
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公开(公告)号：CN102208510B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110081860.9
申请日：2011-03-29
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种以提供零内电场的面为主面的III族氮化物半导体发光器件，并且其表现出改善的发光性能。该发光器件包括在其表面中具有从上方观察排列成条带图案的多个凹坑的蓝宝石衬底、形成在蓝宝石衬底的凹坑表面上的n接触层、形成在n接触层上的发光层、形成在发光层上的电子阻挡层、形成在电子阻挡层上的p接触层、p电极和n电极。电子阻挡层具有2～8nm的厚度并由Al组成比例为20～30％的Mg掺杂AlGaN形成。
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公开(公告)号：CN101355129A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810132092.3
申请日：2008-07-24
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/22 , H01L33/42
Abstract: 一种III族氮化物基化合物半导体发光器件，包括极性反转层，其包括具有凸部的表面；和形成在所述极性反转层上的透明电极。该极性反转层可具有不小于1×1020原子/cm3的镁浓度或不小于2×1020原子/cm3且不大于5×1021原子/cm3的镁浓度。该极性反转层可由镁掺杂的AlxGa1－xN(0≤x＜1)形成。
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公开(公告)号：CN119153600A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410768547.X
申请日：2024-06-14
Abstract: 本发明提供能够提高轴上强度的发光装置。发光装置具有：倒装芯片型的紫外发光的发光元件，接触并覆盖发光元件的至少上表面、折射率比空气高且比发光元件低的密封部，以及接触并覆盖密封部、折射率比密封部高的透镜。发光元件的组成梯度层的厚度被设定成：使从活性层射向n型层侧的光跟从活性层射向与n型层相反的一侧后被p侧电极反射而射向n型层侧的光通过干涉而在与发光元件的主面垂直的方向加强。
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公开(公告)号：CN114823305A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210025807.5
申请日：2022-01-11
IPC: H01L21/26 , H01L21/324 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供在不会使发光元件的输出降低的情况下可以从由氮化物半导体构成的p型层提取氢的发光元件的制造方法、以及发光元件的氢的提取方法，即使在p型层由高Al组成的氮化物半导体构成的情况下，仍能够有效地提取氢。作为本发明的一个方式，提供发光元件1的制造方法，包括以下工序：针对发光波长为306nm以下的发光元件1，在施加反向电压或是比发光元件1的阈值电压低的正向电压的状态下、或不施加电压的状态下，从外侧照射波长为306nm以下的紫外光，实施热处理，将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序；在650℃以上的N2气氛下或500℃以上的N2+O2气氛下实施将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序。
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公开(公告)号：CN114639758A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111407475.9
申请日：2021-11-24
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光元件及其制造方法，该发光元件具有通过费米能级与导带的简并而有效降低电阻的、以IV族元素的浓度为掺杂剂的由AlGaN形成的n型接触层。作为本发明的一个方式，提供发光元件(1)，其具备：费米能级与导带简并的、由AlGaN形成的n型接触层(12)以及层叠在n型接触层(12)上的、由AlGaN形成的发光层(13)；n型接触层(12)的Al组成x比发光层(13)的Al组成x大0.1以上，n型接触层(12)具有产生上述简并且为4.0×1019cm‑3以下的有效供体浓度。
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公开(公告)号：CN113823722A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110648357.0
申请日：2021-06-10
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供具有n型接触层的发光元件及其制造方法，该n型接触层通过费米能级与导带的简并有效地降低了电阻，且由将Si作为掺杂剂的AlGaN构成。作为本发明的一个方式，提供发光元件(1)，其具备费米能级与导带简并的由AlGaN构成的n型接触层(12)、和层叠于n型接触层(12)的由AlGaN构成的发光层(13)，n型接触层(12)的Al成分比发光层(13)的Al成分大10％以上且为70％以下，n型接触层(12)含有发生上述简并的浓度且为4.0×1019cm‑3以下的浓度的Si。
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公开(公告)号：CN104347771A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410353895.7
申请日：2014-07-23
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/305 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供了一种呈现出改进的发射输出的第III族氮化物半导体发光器件。该发光器件包括：其上形成有n电极的n型接触层、发光层、形成在发光层与n型接触层之间的n型覆层。n型覆层具有至少两层的结构，所述至少两层包括与发光层较近的第一n型覆层和相比第一n型覆层距发光层较远的第二n型覆层。第一n型覆层的Si浓度高于第二n型覆层的Si浓度，并且第一n型覆层的厚度小于第二n型覆层的厚度。
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