公开(公告)号：CN107123722B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201710096433.5

申请日：2017-02-22

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 矢岛孝义 ,  伊藤浩史

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/56

Abstract: 本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括第一发光元件、荧光体和第二发光元件，所述第二发光元件具有在第一发光元件和荧光体的合成发射光谱中限定最深下沉的两个峰的峰值波长之间的峰值波长。

公开(公告)号：CN104465941A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410472149.X

申请日：2014-09-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 寺上光司 ,  矢岛孝义 ,  伊藤浩史

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/504 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光器件包括：设置在衬底上的第一发光元件、包括在俯视图中形成为闭合环状的环状部分并且密封第一发光元件的凸状第一密封树脂、设置在衬底上的由第一密封树脂的环状部分包围的区域中的第二发光元件、以及填充在由环状部分包围的区域中以密封第二发光元件的第二密封树脂。第一密封树脂和第二密封树脂之一包括磷光体粒子，或者第一密封树脂和第二密封树脂包括用于发射彼此不同的荧光颜色的磷光体粒子。

公开(公告)号：CN107123722A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710096433.5

申请日：2017-02-22

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 矢岛孝义 ,  伊藤浩史

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/56

Abstract: 本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括第一发光元件、荧光体和第二发光元件，所述第二发光元件具有在第一发光元件和荧光体的合成发射光谱中限定最深下沉的两个峰的峰值波长之间的峰值波长。

公开(公告)号：CN104465941B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201410472149.X

申请日：2014-09-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 寺上光司 ,  矢岛孝义 ,  伊藤浩史

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/504 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光器件包括：设置在衬底上的第一发光元件、包括在俯视图中形成为闭合环状的环状部分并且密封第一发光元件的凸状第一密封树脂、设置在衬底上的由第一密封树脂的环状部分包围的区域中的第二发光元件、以及填充在由环状部分包围的区域中以密封第二发光元件的第二密封树脂。第一密封树脂和第二密封树脂之一包括磷光体粒子，或者第一密封树脂和第二密封树脂包括用于发射彼此不同的荧光颜色的磷光体粒子。

公开(公告)号：CN101355129A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810132092.3

申请日：2008-07-24

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 斋藤义树 ,  矢岛孝义 ,  牛田泰久

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42

Abstract: 一种III族氮化物基化合物半导体发光器件，包括极性反转层，其包括具有凸部的表面；和形成在所述极性反转层上的透明电极。该极性反转层可具有不小于1×1020原子/cm3的镁浓度或不小于2×1020原子/cm3且不大于5×1021原子/cm3的镁浓度。该极性反转层可由镁掺杂的AlxGa1－xN(0≤x＜1)形成。