公开(公告)号：CN107863431A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710763327.8

申请日：2017-08-30

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 竹中靖博 ,  斋藤义树 ,  松井慎一 ,  篠田大辅 ,  三木久幸 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/38

Abstract: 一种发光元件，包括：n型半导体层，其主要包括AlxGa1-xN(0.5≤x≤1)；p型半导体层；发光层，其夹在n型半导体层与p型半导体层之间；n电极，其连接至n型半导体层；以及多个p电极，其连接至p型半导体层并且按照点图案进行布置。n电极的面积不小于基片面积的25％并且不大于基片面积的50％。

公开(公告)号：CN107863430A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710755921.2

申请日：2017-08-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 竹中靖博 ,  斋藤义树 ,  松井慎一 ,  篠田大辅 ,  程田高史 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1-xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。

公开(公告)号：CN115349176A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202180022947.0

申请日：2021-03-25

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社POWDEC

Inventor： 佐藤寿朗 ,  竹中靖博 ,  篠田大辅 ,  上村俊也 ,  河合弘治 ,  八木修一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812

Abstract: 本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。源极电极(S1)形成在凹部(X1)之上。漏极电极(D1)形成在凹部(X2)之上。漏极电极接触区域(DC1)与第三半导体层(130)之间的距离(Ld)大于源极电极接触区域(SC1)与第三半导体层(130)之间的距离(Ls)。

公开(公告)号：CN107863430B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201710755921.2

申请日：2017-08-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 竹中靖博 ,  斋藤义树 ,  松井慎一 ,  篠田大辅 ,  程田高史 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1‑xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。

公开(公告)号：CN115315813A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202180022787.X

申请日：2021-03-25

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社POWDEC

Inventor： 佐藤寿朗 ,  竹中靖博 ,  篠田大辅 ,  上村俊也 ,  河合弘治 ,  八木修一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。将栅极电极(G1)与第四半导体层(140)接触的栅极电极接触区域(GC1)投影到第二半导体层(120)而得的区域包围将源极电极(S1)与第二半导体层(120)接触的源极电极接触区域(SC1)投影到第二半导体层(120)而得的区域的周围。

公开(公告)号：CN107863431B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201710763327.8

申请日：2017-08-30

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 竹中靖博 ,  斋藤义树 ,  松井慎一 ,  篠田大辅 ,  三木久幸 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/38

Abstract: 一种发光元件，包括：n型半导体层，其主要包括AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)；p型半导体层；发光层，其夹在n型半导体层与p型半导体层之间；n电极，其连接至n型半导体层；以及多个p电极，其连接至p型半导体层并且按照点图案进行布置。n电极的面积不小于基片面积的25％并且不大于基片面积的50％。

公开(公告)号：CN115298834A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180022782.7

申请日：2021-03-25

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社POWDEC

Inventor： 佐藤寿朗 ,  竹中靖博 ,  神谷真央 ,  篠田大辅 ,  上村俊也 ,  河合弘治 ,  八木修一

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/872

Abstract: 本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。棒状形状的前端部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj2)为棒状形状的除前端部分以外的部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj1)以上。

公开(公告)号：CN115298833A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180022817.7

申请日：2021-03-25

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社POWDEC

Inventor： 佐藤寿朗 ,  竹中靖博 ,  奥野浩司 ,  篠田大辅 ,  上村俊也 ,  河合弘治 ,  八木修一

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。位错密度为1×106cm‑2以上且1×1010cm‑2以下。第二半导体层(120)与第三半导体层(130)之间的接触面积在栅极宽度方向的每1μm为10μm2以上且200μm2以下。