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公开(公告)号：CN109768139A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811317180.0
申请日：2018-11-07
Abstract: 提供了这样的III族氮化物半导体发光器件及其制造方法：所述III族氮化物半导体发光器件表现出提高的光提取效率，并且降低由Al的组成变化所引起的在AlGaN层中出现p型导电部和n型导电部的极化的影响。第一p型接触层是p型AlGaN层。第二p型接触层是p型AlGaN层。第一p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成低于第一p型接触层中的Al的组成。第二p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率高于第一p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率。
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公开(公告)号：CN119816011A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411410939.5
申请日：2024-10-10
Abstract: 本发明提供能够形成晶体质量良好的III族氮化物半导体的III族氮化物半导体的制造方法。III族氮化物半导体的制造方法具有：氨处理工序，向由蓝宝石构成的基板10的表面供给包含氨的气体；热清洁工序，在氨处理工序之后，在以氢为主的气氛中对基板10的表面进行热处理；氮化处理工序，在热清洁工序之后，向基板10的表面供给包含氨的气体，对基板的表面进行氮化；以及晶核层形成工序，在氮化处理工序之后，在基板上生成GaN、AlGaN或AlN的核11A而形成晶核层11。
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公开(公告)号：CN109768139B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201811317180.0
申请日：2018-11-07
Abstract: 提供了这样的III族氮化物半导体发光器件及其制造方法：所述III族氮化物半导体发光器件表现出提高的光提取效率，并且降低由Al的组成变化所引起的在AlGaN层中出现p型导电部和n型导电部的极化的影响。第一p型接触层是p型AlGaN层。第二p型接触层是p型AlGaN层。第一p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成低于第一p型接触层中的Al的组成。第二p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率高于第一p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率。
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公开(公告)号：CN119153600A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410768547.X
申请日：2024-06-14
Abstract: 本发明提供能够提高轴上强度的发光装置。发光装置具有：倒装芯片型的紫外发光的发光元件，接触并覆盖发光元件的至少上表面、折射率比空气高且比发光元件低的密封部，以及接触并覆盖密封部、折射率比密封部高的透镜。发光元件的组成梯度层的厚度被设定成：使从活性层射向n型层侧的光跟从活性层射向与n型层相反的一侧后被p侧电极反射而射向n型层侧的光通过干涉而在与发光元件的主面垂直的方向加强。
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公开(公告)号：CN118825149A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410467985.2
申请日：2024-04-18
Abstract: 本发明提供高质量的III族氮化物半导体。III族氮化物半导体的制造方法具有：晶核层形成工序，在蓝宝石基板上生成GaN、AlGaN或AlN的核11A而形成晶核层11；低温三维生长层形成工序，在比晶核层形成工序低的温度，从核11A使AlGaN或AlN生长并使相邻的来自核11A的晶体彼此合并，形成低温三维生长层12A；以及高温三维生长层形成工序，在比低温三维生长层形成工序高且为晶核层形成工序的温度以下的温度，从低温三维生长层12A使AlGaN或AlN生长而形成高温三维生长层12B。
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公开(公告)号：CN117441225A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202280040757.6
申请日：2022-05-31
IPC: H01L21/203 , H01L33/16 , H01L29/812 , H01L29/808 , H01L29/778 , H01L21/338 , H01L21/337 , H01L21/20 , C30B29/40 , C30B29/38
Abstract: 本发明提供促进GaN层的高品质晶体生长的层叠体及层叠体的制造方法。层叠体具有非晶质玻璃基板和形成于非晶质玻璃基板之上的AlN层，AlN层在非晶质玻璃基板上沿c轴取向，非晶质玻璃基板的玻璃化转变温度(Tg)为720℃以上810℃以下，非晶质玻璃基板的热膨胀系数(CTE)为3.5×10‑6[1/K]以上4.0×10‑6[1/K]以下，非晶质玻璃基板的软化点为950℃以上1050℃以下。
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公开(公告)号：CN119013858A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380032790.9
申请日：2023-03-09
IPC: H01S5/343 , H01L21/205 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01S5/183
Abstract: 提供一种品质良好的氮化物半导体发光元件以及品质良好的氮化物半导体发光元件的制造方法。氮化物半导体发光元件(1)具有：n‑AlInN层(12)，成分中含有Al以及In；GaN帽层(13)，层叠于n‑AlInN层(12)的表面，成分中含有Ga；以及n‑AlGaN成分渐变层(14)，层叠于GaN帽层(13)的表面，成分中含有Al以及Ga；在GaN帽层(13)的表面层叠的n‑AlGaN成分渐变层(14)的界面处的AlN的摩尔分数为0.36以上且0.44以下。
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公开(公告)号：CN118715680A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380022100.1
申请日：2023-03-09
IPC: H01S5/343 , C23C16/18 , C23C16/34 , C30B25/02 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01S5/183
Abstract: 提供一种品质良好的氮化物半导体发光元件的制造方法以及品质良好的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件的制造方法，使用了金属有机化合物气相生长法，具有：第一层层叠工序，结晶生长出组分中包含Al以及In的n‑AlInN层(12)，帽层层叠工序，在执行第一层层叠工序后，在n‑AlInN层(12)的表面结晶生长出组分中包含Ga的GaN帽层(13)，以及第二层层叠工序，在执行帽层层叠工序后，在GaN帽层(13)的表面结晶生长出组分中包含Ga的GaN层(14)。该氮化物半导体发光元件的制造方法中，在执行帽层层叠工序后且执行第二层层叠工序前，还具有氢清洗工序，在氢清洗工序中，停止向反应炉内供给原料气体，且向反应炉内供给氢气，至少对GaN帽层(13)的表面进行清洗。
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公开(公告)号：CN116210090A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180053454.3
申请日：2021-08-25
IPC: H01L33/08
Abstract: 半导体发光元件(10)具备生长基板(11)、形成在生长基板(11)上的掩模(13)、从设置在掩模的开口部生长的柱状半导体层。柱状半导体层在中心形成有n型纳米线层(14)，在比n型纳米线层(14)更靠外周形成有有源层(15)，在比有源层(15)更靠外周形成有p型半导体层(16)。开口部的开口率为0.1％以上5.0％以下，发光波长为480nm以上。
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