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公开(公告)号：CN119153600A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410768547.X
申请日：2024-06-14
Abstract: 本发明提供能够提高轴上强度的发光装置。发光装置具有：倒装芯片型的紫外发光的发光元件，接触并覆盖发光元件的至少上表面、折射率比空气高且比发光元件低的密封部，以及接触并覆盖密封部、折射率比密封部高的透镜。发光元件的组成梯度层的厚度被设定成：使从活性层射向n型层侧的光跟从活性层射向与n型层相反的一侧后被p侧电极反射而射向n型层侧的光通过干涉而在与发光元件的主面垂直的方向加强。
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公开(公告)号：CN116615804A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202180088463.6
申请日：2021-12-16
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/06
Abstract: 提供抑制电流崩塌并且实现薄层载流子浓度的提高的半导体元件以及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第一中间层(150)、第二中间层(160)、源极电极(S1)、漏极电极(D1)及栅极电极(G1)。第二半导体层(120)的带隙大于第一半导体层(110)及第三半导体层(130)的带隙。夹着第二半导体层(120)的第一中间层(150)及第二中间层(160)的带隙大于第二半导体层(120)的带隙。
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公开(公告)号：CN105914264B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201610094614.X
申请日：2016-02-19
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
Abstract: 提供了一种用于制造具有低驱动电压的第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法通过急剧增加p型半导体层中的Mg浓度来实现。该制造方法包括以下步骤：形成n型接触层；形成n侧高静电击穿电压层；形成n侧超晶格层；形成发光层；形成p型覆层；形成p型中间层；以及形成p型接触层。形成p型覆层的步骤包括：在第一时间段TA1期间供应掺杂剂气体而不供应含有第III族元素的第一原料气体(TMG)；以及在第一时间段TA1之后的第二时间段TA2期间供应第一原料气体(TMG)和掺杂剂气体以生长半导体层。
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公开(公告)号：CN103985792B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410048430.0
申请日：2014-02-12
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02631
Abstract: 提供了一种具有降低的穿透位错密度和均匀的Ga极性表面的第III族氮化物半导体。在比形成构成缓冲层的元素的氧化物的温度低的温度下，在包含作为必要元素的Al的缓冲层上形成盖层。在比体半导体的晶体生长的温度高的温度下，对缓冲层被盖层覆盖的衬底进行热处理而不露出缓冲层的表面。将衬底温度降低至体半导体的晶体进行生长的温度，并且生长所述体半导体。
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公开(公告)号：CN102810607B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201210169886.3
申请日：2012-05-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: C23C16/301 , C23C16/45523 , H01L33/0075
Abstract: 本发明提供了一种用于制造驱动电压被减小的III族氮化物半导体发光器件的方法。在该制造方法中，p覆层具有其中交替地沉积了具有0.5nm至10nm厚度的p-AlGaN层以及p-InGaN层的超晶格结构。p-AlGaN层的生长温度是800℃至950℃。通过在将p-AlGaN层保持于生长温度的同时停止TMA的供应、引入TMI并增大Ga源气体的供应量，在p-AlGaN层上形成具有一至两个单层的厚度的p-InGaN层，这里一个单层是p-InGaN的c轴的晶格常数的一半。由此，可以在保持良好的晶体质量的同时减小p覆层的厚度，从而减小驱动电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104218131A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410238906.7
申请日：2014-05-30
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003
Abstract: 本发明涉及用于在凹凸衬底上生长第III族氮化物半导体晶体的方法以及第III族氮化物半导体。其中第一条纹的柱的第一处理侧表面形成为使得生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的最平行于第一处理侧表面的平面为m面(10-10)，并且通过将第一处理侧表面的法向矢量正交投影到主表面而得到的第一横向矢量与通过将m面的法向矢量正交投影到主表面而得到的m轴投影矢量之间的第一角度为从0.5°至6°。第二条纹的柱的第二处理侧表面形成为使得最平行于生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的第二处理侧表面的平面为a面(11-20)，并且第二横向矢量与a面的a轴投影矢量之间的第二角度为从0°至10°。
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公开(公告)号：CN103682002A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310381669.5
申请日：2013-08-28
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。具体地，本发明提供一种其中发光层中的应变得以松弛以实现高发光效率的第III族氮化物半导体器件以及用于制造该器件的方法。本发明的发光器件具有衬底、低温缓冲层、n型接触层、第一ESD层、第二ESD层、n侧超晶格层、发光层、p侧超晶格层、p型接触层、n型电极N1、p型电极P1和钝化膜F1。第二ESD层具有平均凹坑直径D的凹坑。平均凹坑直径D为至包括在n侧超晶格层中的InGaN层的厚度满足以下条件：-0.029×D+82.8≤Y≤-0.029×D+102.8。
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公开(公告)号：CN103367589A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310086320.9
申请日：2013-03-18
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/02458 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 公开了一种用于制造具有降低的穿透位错的含Ga的第III族氮化物半导体的方法。在衬底上形成包括AlGaN的处于多晶、非晶、或多晶/非晶混合状态的缓冲层。在比在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体的单晶的温度高的温度下并且在含Ga的第III族氮化物半导体不生长的温度下，对其上形成有缓冲层的衬底进行热处理，以使得缓冲层的晶核密度相比热处理之前的密度降低。在热处理之后，将衬底的温度降低至含Ga的第III族氮化物半导体生长的温度，维持该温度，并且在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN101499415B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200910005143.0
申请日：2009-02-01
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L27/12 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02609 , H01L21/02639
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片以及III族氮化物基化合物半导体器件。所述方法制造具有M-晶面主表面的III族氮化物基化合物半导体。所述方法采用具有主表面的蓝宝石衬底，该主表面围绕由R-晶面和与R-晶面垂直的A-晶面所形成的L蓝宝石-AM相交线相对于R-晶面成30°倾斜。蓝宝石衬底的R-晶面表面被暴露，在衬底的主表面上形成二氧化硅掩模。在暴露的R-晶面表面上形成AlN缓冲层。在AlN缓冲层上形成GaN层。在GaN生长的初始阶段，通过横向生长使GaN层完全覆盖蓝宝石衬底的上表面。生长GaN层以使所述层的a-轴垂直于蓝宝石衬底的暴露的R-晶面表面；所述层的c-轴平行于蓝宝石衬底的轴向L蓝宝石-AM；所述层的m-轴垂直于蓝宝石衬底的主表面。
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公开(公告)号：CN102479899A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110373628.2
申请日：2011-11-22
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供显示出改善的光提取性能的第III族氮化物半导体发光器件。所述第III族氮化物半导体发光器件包括：其表面上具有凹凸的蓝宝石衬底；以及在蓝宝石衬底的凹凸表面上经由缓冲层依次堆叠的n-型层、发光层和p-型层，并且其各自均由第III族氮化物半导体形成。凹凸具有如下结构：包括形成于蓝宝石衬底的表面上并且其条纹方向对应于x-轴方向的第一条纹图案凹凸；以及形成于第一条纹图案凹凸顶上和其条纹方向对应于y-轴方向的第二条纹图案凹凸，y-轴方向与x-轴方向正交。与常规第III族氮化物半导体发光器件相比，包括具有上述凹凸的衬底的第III族氮化物半导体发光器件显示出改善的光提取性能。
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