公开(公告)号：CN102447023A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110302936.6

申请日：2011-09-28

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 中井真仁 ,  筱田大辅 ,  新田州吾 ,  斋藤义树

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

Abstract: 一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件呈现进一步改善的光提取效率，并且抑制凹陷生成。再该生产方法中，n型层、发光层和p型层(每个层均由III族氮化物半导体制成)经由缓冲层顺序沉积在具有c面主表面的织构化蓝宝石衬底上。掩埋层由III族氮化物半导体于较之当n型层沉积在掩埋层上时1000℃至1200℃的温度更低20℃至80℃的温度下形成在缓冲层上，以通过掩埋织构而使掩埋层的顶表面平坦。提供在蓝宝石衬底上的织构可以具有1μm至2μm的深度，并且侧表面倾斜40°至80°。防护层可以由GaN于600℃至1050℃下形成，以覆盖缓冲层的整个顶表面。这抑制缓冲层的传质。由此，可以抑制晶体中的凹陷生成。缓冲层可以由含有Al的III族氮化物半导体形成。

公开(公告)号：CN102447023B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201110302936.6

申请日：2011-09-28

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 中井真仁 ,  筱田大辅 ,  新田州吾 ,  斋藤义树

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

Abstract: 一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件呈现进一步改善的光提取效率，并且抑制凹陷生成。再该生产方法中，n型层、发光层和p型层(每个层均由III族氮化物半导体制成)经由缓冲层顺序沉积在具有c面主表面的织构化蓝宝石衬底上。掩埋层由III族氮化物半导体于较之当n型层沉积在掩埋层上时1000℃至1200℃的温度更低20℃至80℃的温度下形成在缓冲层上，以通过掩埋织构而使掩埋层的顶表面平坦。提供在蓝宝石衬底上的织构可以具有1μm至2μm的深度，并且侧表面倾斜40°至80°。防护层可以由GaN于600℃至1050℃下形成，以覆盖缓冲层的整个顶表面。这抑制缓冲层的传质。由此，可以抑制晶体中的凹陷生成。缓冲层可以由含有Al的III族氮化物半导体形成。