-
公开(公告)号:CN102447023A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201110302936.6
申请日:2011-09-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法,所述III族氮化物半导体发光器件呈现进一步改善的光提取效率,并且抑制凹陷生成。再该生产方法中,n型层、发光层和p型层(每个层均由III族氮化物半导体制成)经由缓冲层顺序沉积在具有c面主表面的织构化蓝宝石衬底上。掩埋层由III族氮化物半导体于较之当n型层沉积在掩埋层上时1000℃至1200℃的温度更低20℃至80℃的温度下形成在缓冲层上,以通过掩埋织构而使掩埋层的顶表面平坦。提供在蓝宝石衬底上的织构可以具有1μm至2μm的深度,并且侧表面倾斜40°至80°。防护层可以由GaN于600℃至1050℃下形成,以覆盖缓冲层的整个顶表面。这抑制缓冲层的传质。由此,可以抑制晶体中的凹陷生成。缓冲层可以由含有Al的III族氮化物半导体形成。
-
公开(公告)号:CN100461475C
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN200610067005.1
申请日:2006-03-31
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法,包括以下步骤:将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中;在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件,所述生长条件包括气氛温度为350℃-550℃;和在缓冲层生长条件下,向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气,以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。
-
公开(公告)号:CN102447023B
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201110302936.6
申请日:2011-09-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法,所述III族氮化物半导体发光器件呈现进一步改善的光提取效率,并且抑制凹陷生成。再该生产方法中,n型层、发光层和p型层(每个层均由III族氮化物半导体制成)经由缓冲层顺序沉积在具有c面主表面的织构化蓝宝石衬底上。掩埋层由III族氮化物半导体于较之当n型层沉积在掩埋层上时1000℃至1200℃的温度更低20℃至80℃的温度下形成在缓冲层上,以通过掩埋织构而使掩埋层的顶表面平坦。提供在蓝宝石衬底上的织构可以具有1μm至2μm的深度,并且侧表面倾斜40°至80°。防护层可以由GaN于600℃至1050℃下形成,以覆盖缓冲层的整个顶表面。这抑制缓冲层的传质。由此,可以抑制晶体中的凹陷生成。缓冲层可以由含有Al的III族氮化物半导体形成。
-
公开(公告)号:CN1841800A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200610067005.1
申请日:2006-03-31
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法,包括以下步骤:将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中;在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件,所述生长条件包括气氛温度为350℃-550℃;和在缓冲层生长条件下,向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气,以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。
-
-
-