生产III族氮化物半导体发光器件的方法

    公开(公告)号:CN102447023A

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN201110302936.6

    申请日:2011-09-28

    Abstract: 一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法,所述III族氮化物半导体发光器件呈现进一步改善的光提取效率,并且抑制凹陷生成。再该生产方法中,n型层、发光层和p型层(每个层均由III族氮化物半导体制成)经由缓冲层顺序沉积在具有c面主表面的织构化蓝宝石衬底上。掩埋层由III族氮化物半导体于较之当n型层沉积在掩埋层上时1000℃至1200℃的温度更低20℃至80℃的温度下形成在缓冲层上,以通过掩埋织构而使掩埋层的顶表面平坦。提供在蓝宝石衬底上的织构可以具有1μm至2μm的深度,并且侧表面倾斜40°至80°。防护层可以由GaN于600℃至1050℃下形成,以覆盖缓冲层的整个顶表面。这抑制缓冲层的传质。由此,可以抑制晶体中的凹陷生成。缓冲层可以由含有Al的III族氮化物半导体形成。

    生产III族氮化物半导体发光器件的方法

    公开(公告)号:CN102447023B

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201110302936.6

    申请日:2011-09-28

    Abstract: 一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法,所述III族氮化物半导体发光器件呈现进一步改善的光提取效率,并且抑制凹陷生成。再该生产方法中,n型层、发光层和p型层(每个层均由III族氮化物半导体制成)经由缓冲层顺序沉积在具有c面主表面的织构化蓝宝石衬底上。掩埋层由III族氮化物半导体于较之当n型层沉积在掩埋层上时1000℃至1200℃的温度更低20℃至80℃的温度下形成在缓冲层上,以通过掩埋织构而使掩埋层的顶表面平坦。提供在蓝宝石衬底上的织构可以具有1μm至2μm的深度,并且侧表面倾斜40°至80°。防护层可以由GaN于600℃至1050℃下形成,以覆盖缓冲层的整个顶表面。这抑制缓冲层的传质。由此,可以抑制晶体中的凹陷生成。缓冲层可以由含有Al的III族氮化物半导体形成。

Patent Agency Ranking