公开(公告)号：CN118825149A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410467985.2

申请日：2024-04-18

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  学校法人名城大学

Inventor： 奥野浩司 ,  斋藤义树 ,  永田贤吾 ,  竹内哲也 ,  上山智 ,  岩谷素显 ,  石黑永孝 ,  可知朋晃 ,  藤田真帆

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供高质量的III族氮化物半导体。III族氮化物半导体的制造方法具有：晶核层形成工序，在蓝宝石基板上生成GaN、AlGaN或AlN的核11A而形成晶核层11；低温三维生长层形成工序，在比晶核层形成工序低的温度，从核11A使AlGaN或AlN生长并使相邻的来自核11A的晶体彼此合并，形成低温三维生长层12A；以及高温三维生长层形成工序，在比低温三维生长层形成工序高且为晶核层形成工序的温度以下的温度，从低温三维生长层12A使AlGaN或AlN生长而形成高温三维生长层12B。

公开(公告)号：CN119153600A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410768547.X

申请日：2024-06-14

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  学校法人名城大学

Inventor： 奥野浩司 ,  斋藤义树 ,  大矢昌辉 ,  永田贤吾 ,  竹内哲也 ,  上山智 ,  岩谷素显 ,  石黑永孝 ,  岩月梨惠

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58

Abstract: 本发明提供能够提高轴上强度的发光装置。发光装置具有：倒装芯片型的紫外发光的发光元件，接触并覆盖发光元件的至少上表面、折射率比空气高且比发光元件低的密封部，以及接触并覆盖密封部、折射率比密封部高的透镜。发光元件的组成梯度层的厚度被设定成：使从活性层射向n型层侧的光跟从活性层射向与n型层相反的一侧后被p侧电极反射而射向n型层侧的光通过干涉而在与发光元件的主面垂直的方向加强。

公开(公告)号：CN114823305A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210025807.5

申请日：2022-01-11

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  学校法人名城大学

Inventor： 斋藤义树 ,  坊山晋也 ,  松井慎一 ,  三轮浩士 ,  永田贤吾 ,  竹内哲也 ,  石黑永孝

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供在不会使发光元件的输出降低的情况下可以从由氮化物半导体构成的p型层提取氢的发光元件的制造方法、以及发光元件的氢的提取方法，即使在p型层由高Al组成的氮化物半导体构成的情况下，仍能够有效地提取氢。作为本发明的一个方式，提供发光元件1的制造方法，包括以下工序：针对发光波长为306nm以下的发光元件1，在施加反向电压或是比发光元件1的阈值电压低的正向电压的状态下、或不施加电压的状态下，从外侧照射波长为306nm以下的紫外光，实施热处理，将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序；在650℃以上的N2气氛下或500℃以上的N2+O2气氛下实施将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序。

公开(公告)号：CN119816011A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411410939.5

申请日：2024-10-10

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  学校法人名城大学

Inventor： 奥野浩司 ,  斋藤义树 ,  竹内哲也 ,  上山智 ,  岩谷素显 ,  石黑永孝 ,  可知朋晃

IPC: H10H20/01 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供能够形成晶体质量良好的III族氮化物半导体的III族氮化物半导体的制造方法。III族氮化物半导体的制造方法具有：氨处理工序，向由蓝宝石构成的基板10的表面供给包含氨的气体；热清洁工序，在氨处理工序之后，在以氢为主的气氛中对基板10的表面进行热处理；氮化处理工序，在热清洁工序之后，向基板10的表面供给包含氨的气体，对基板的表面进行氮化；以及晶核层形成工序，在氮化处理工序之后，在基板上生成GaN、AlGaN或AlN的核11A而形成晶核层11。