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公开(公告)号：CN104851949B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201510083779.2
申请日：2015-02-16
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 青木真登
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其抑制了极性反转缺陷密度的增加。该制造方法包括n型半导体层形成步骤、发光层形成步骤和p型半导体层形成步骤。p型半导体层形成步骤包括p型覆层形成步骤。p型覆层形成步骤包括第一p型半导体形成层步骤以用于形成p型AlGaN层，在第一p型半导体形成层步骤之后的第一半导体层生长中止步骤，以及在第一半导体层生长中止步骤之后的p型InGaN层形成步骤。在所述第一半导体层生长中止步骤中，将氮气和氢气的混合物供给至衬底。
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公开(公告)号：CN104347771A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410353895.7
申请日：2014-07-23
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/305 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供了一种呈现出改进的发射输出的第III族氮化物半导体发光器件。该发光器件包括：其上形成有n电极的n型接触层、发光层、形成在发光层与n型接触层之间的n型覆层。n型覆层具有至少两层的结构，所述至少两层包括与发光层较近的第一n型覆层和相比第一n型覆层距发光层较远的第二n型覆层。第一n型覆层的Si浓度高于第二n型覆层的Si浓度，并且第一n型覆层的厚度小于第二n型覆层的厚度。
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公开(公告)号：CN1819288A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610002758.4
申请日：2006-01-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明是一种Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件，其在阱层上下形成的层与阱层的接合部附近具有下列区域，该区域为：使在该阱层上下形成的层的晶格常数，以接近该阱层的晶格常数的方式，发生变化而形成。本发明是具有单或多量子阱结构的发光层的Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件制造方法，该结构具有至少包含铟(In)的阱层，其中，在利用气相生长法来形成阱层时，从In源的最低供给量来开始供给，然后使In源的供给量增加到目标供给量为止，此后保持一定供给量，接下来，从目标供给量减少到最低供给量，对In源之外的Ⅲ族原料源而言，在从In源供给开始至供给结束为止的这一期间，以一定的供给量来供给。
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公开(公告)号：CN103367572B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201310085493.9
申请日：2013-03-18
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/12
Abstract: 本发明提供了在薄GaN衬底上形成第III族氮化物化合物半导体层的过程中抑制应变松弛层中位错的发生的第III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法。发光器件(100)包括支承衬底(10)、GaN衬底(20)、n型接触层(30)、应变松弛层(40)(n型InGaN层)、发光层(50)、p型覆层(60)以及p型接触层(70)。GaN衬底(20)具有在10nm至10μm的范围内的厚度。应变松弛层(40)(n型InGaN层)具有在大于0％至3％的范围内的In组成比率X。
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公开(公告)号：CN104851949A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510083779.2
申请日：2015-02-16
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 青木真登
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其抑制了极性反转缺陷密度的增加。该制造方法包括n型半导体层形成步骤、发光层形成步骤和p型半导体层形成步骤。p型半导体层形成步骤包括p型覆层形成步骤。p型覆层形成步骤包括第一p型半导体形成层步骤以用于形成p型AlGaN层，在第一p型半导体形成层步骤之后的第一半导体层生长中止步骤，以及在第一半导体层生长中止步骤之后的p型InGaN层形成步骤。在所述第一半导体层生长中止步骤中，将氮气和氢气的混合物供给至衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103367572A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310085493.9
申请日：2013-03-18
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/12
Abstract: 本发明提供了在薄GaN衬底上形成第III族氮化物化合物半导体层的过程中抑制应变松弛层中位错的发生的第III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法。发光器件(100)包括支承衬底(10)、GaN衬底(20)、n型接触层(30)、应变松弛层(40)(n型InGaN层)、发光层(50)、p型覆层(60)以及p型接触层(70)。GaN衬底(20)具有在10nm至10μm的范围内的厚度。应变松弛层(40)(n型InGaN层)具有在大于0％至3％的范围内的In组成比率X。
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公开(公告)号：CN104347771B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410353895.7
申请日：2014-07-23
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/305 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供了一种呈现出改进的发射输出的第III族氮化物半导体发光器件。该发光器件包括：其上形成有n电极的n型接触层、发光层、形成在发光层与n型接触层之间的n型覆层。n型覆层具有至少两层的结构，所述至少两层包括与发光层较近的第一n型覆层和相比第一n型覆层距发光层较远的第二n型覆层。第一n型覆层的Si浓度高于第二n型覆层的Si浓度，并且第一n型覆层的厚度小于第二n型覆层的厚度。
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公开(公告)号：CN100403566C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200610002758.4
申请日：2006-01-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明是一种III族氮化物系化合物半导体发光元件，其在阱层上下形成的层与阱层的接合部附近具有下列区域，该区域为：使在该阱层上下形成的层的晶格常数，以接近该阱层的晶格常数的方式，发生变化而形成。本发明是具有单或多量子阱结构的发光层的III族氮化物系化合物半导体发光元件制造方法，该结构具有至少包含铟(In)的阱层，其中，在利用气相生长法来形成阱层时，从In源的最低供给量来开始供给，然后使In源的供给量增加到目标供给量为止，此后保持一定供给量，接下来，从目标供给量减少到最低供给量，对In源之外的III族原料源而言，在从In源供给开始至供给结束为止的这一期间，以一定的供给量来供给。
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公开(公告)号：CN103325912B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310084374.1
申请日：2013-03-15
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/145 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 公开了一种容易形成非发光区域的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法。活化Mg以将p型层转换为p型，接着在p型层上形成p电极。将Ag膏施加到p电极上的与在下面的步骤中形成的n电极重叠的区域。进行热处理以固化Ag膏，从而形成Ag膏固化体。通过这些步骤，将p型层的在平面视图中与Ag膏固化体重叠的区域转换为具有高电阻的区域，从而形成高电阻区域。因此，发光层的在平面视图中与高电阻区域重叠的区域变成非发光区域。
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公开(公告)号：CN103325912A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310084374.1
申请日：2013-03-15
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/145 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 公开了一种容易形成非发光区域的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法。活化Mg以将p型层转换为p型，接着在p型层上形成p电极。将Ag膏施加到p电极上的与在下面的步骤中形成的n电极重叠的区域。进行热处理以固化Ag膏，从而形成Ag膏固化体。通过这些步骤，将p型层的在平面视图中与Ag膏固化体重叠的区域转换为具有高电阻的区域，从而形成高电阻区域。因此，发光层的在平面视图中与高电阻区域重叠的区域变成非发光区域。
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