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公开(公告)号：CN101192632A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610144307.4
申请日：2006-12-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/052
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 一种聚光太阳电池单元，其特征在于，包括：一散热片；一管座，该管座位于散热片的上面；一太阳电池芯片，该太阳电池芯片焊接在管座的上面；一导光筒，该导光筒为一锥形筒状，其端部有一开放口，该导光筒的开放口罩扣于电池芯片的上面，该导光筒与管座连接；该导光筒的内壁为镜面反射器；一菲涅尔透镜，该菲涅尔透镜位于导光筒的大径端上面，并与之连接。
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公开(公告)号：CN1361554A
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN00136136.8
申请日：2000-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法,其是在氮化镓/蓝宝石复合衬底上、或在其它形式的氮化镓基化合物复合衬底上,用快速填埋方法生长铟镓氮薄膜,其特征在于,快速填埋方法是:采用较大的有机源流量将铟埋入正在生长的氮化镓薄膜中,以阻止铟的聚集和逃逸,并形成铟组份调制的量子点;同时通过生长温度、有机源流量和环境气氛来控制铟镓氮组份比例。
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公开(公告)号：CN118851589A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310480898.6
申请日：2023-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C03C17/30
Abstract: 本公开提出了一种疏水性宽带减反射涂层的制备方法，包括：将基底放置于带有加热装置的沉积腔室中；基于引发式化学气相沉积技术，向沉积腔室中通入包括引发剂、第一单体和第二单体的第一气体组，引发剂受热分解产生的自由基与第一单体和第二单体在沉积腔室中扩散吸附于基底表面，调控第一气体组的流量比及沉积腔室的压强，以使第一单体发生第一自由基聚合反应，其中，第二单体作为交联剂以使第一自由基聚合反应趋向侧链结晶，在基底表面形成具有蛾眼纳米结构的疏水性宽带减反射涂层。
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公开(公告)号：CN1825539A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510009509.3
申请日：2005-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 一种在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物的方法，涉及半导体技术领域，利用应力补偿缓冲层在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物薄膜。该方法，1)首先在单晶硅衬底上沉积20纳米左右铝化的高温氮化铝缓冲层，然后在其上再沉积一层晶格常数远小于III族氮化物的六方相物质(如低温氮化铝，氮化镓铝，氮化硼等)，形成具有应力补偿作用的缓冲层结构；2)加入一种活化剂使应力补偿层易于在低温下形成，同时表面平整晶体质量高；3)预沉积的六方相物质由于晶格常数小于III族氮化物，可在其上生长的III族氮化物薄膜中引入压应力，从而补偿与硅衬底热失配引入的拉应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1414644A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN01136843.8
申请日：2001-10-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: B82Y30/00
Abstract: 一种制作单/多层异质量子点结构的方法，这种结构用于制作发光器件和微电子器件的活性层，选择合适的衬底材料，在该衬底上外延所需的半导体薄膜材料作为衬底，然后对衬底材料表面进行钝化，然后在钝化后的表面上生长一层纳米尺寸的岛状诱导层，再生长单/多层量子点结构，采用这种方法生长量子点工艺简单，量子点尺寸可调度大，并且适用于多种超晶格外延生长设备；在这种单/多层异质量子点结构中，由于量子限制效应导致三维方向上的载流子局域化；采用该新结构的半导体光电器件可以通过制作内量子效率高、温度特性稳定和开启电压低或阈值电压低的发光器件和电子器件。
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公开(公告)号：CN1365136A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01100454.1
申请日：2001-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物单/多层异一种质应变薄膜的制作方法,包括如下制备步骤:(1)用一衬底,使在该衬底上外延的III族氮化物晶体生长平面能够和(0001)晶面垂直;(2)在衬底材料上外延预定厚度的III族氮化物作为下一步外延生长模板;(3)在模板上外延生长预定结构的III族氮化物单/多层异质应变薄膜,在垂直该外延薄膜平面的方向上没有压电场。
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公开(公告)号：CN100524843C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510084937.2
申请日：2005-07-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法，包括如下步骤：顶电池以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；在顶电池的外延片的砷化镓层上面制作正电极；在外延片底层的重掺杂的n型砷化镓层制作顶电池的背电极；底电池以锑化镓单晶片为衬底；在底电池的外延片上面制作正电极，在衬底的下面制作背电极；顶电池与底电池采用机械级联的方式制成机械迭层太阳电池，然后进行封装；利用一支架在电池的正面安装聚光装置、对日跟踪装置，在电池的背面安装冷却装置，完成电池的制作。
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公开(公告)号：CN1314081C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200410004028.9
申请日：2004-02-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/318
Abstract: 一种在硅衬底上生长无裂纹三族氮化物薄膜的方法，其特征在于，采用了以下的方法来生长缓冲层，包括如下步骤：(A)首先在硅衬底表面形成一层薄的液态铝层，该液态铝层的主要作用是阻止无定形的氮化硅层的形成；(B)然后生长一层氮化铝缓冲层，该氮化铝缓冲层中铝的含量大于氮的含量。
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公开(公告)号：CN1825632A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510009540.7
申请日：2005-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种聚光太阳电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以砷化镓或锗单晶片为衬底；步骤2：利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；步骤3：在外延片上制作上电极，在衬底的下面制作下电极：步骤4：腐蚀上表面、蒸镀减反射膜、对电池组件封装；步骤5：利用一支架在电池的正面安装聚光装置，在电池的背面安装冷却装置；步骤6：安装对日跟踪装置，完成电池的制作。
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