公开(公告)号：CN101740358A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910241692.8

申请日：2009-12-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄添懋 ,  陈诺夫 ,  施辉伟 ,  尹志岗 ,  吴金良 ,  王彦硕 ,  汪宇 ,  张汉

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜，形成样品；步骤2：将样品在空气中暴露以制作氧化膜；步骤3：将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅薄膜；步骤4：利用快速热处理设备，将制作有非晶硅薄膜的样品进行退火处理，完成多晶硅薄膜的制作。

公开(公告)号：CN101709456A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910242346.1

申请日：2009-12-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 施辉伟 ,  陈诺夫 ,  黄添懋 ,  尹志岗 ,  吴金良 ,  张汉

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

Abstract: 一种利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一石墨衬底，将石墨衬底抛光；步骤2：在磁控溅射室里，将抛光的石墨衬底磁控溅射多晶硅薄膜；步骤3：溅射结束后自然降温，形成样品；步骤4：将样品置于快速热退火炉里，快速退火，完成多晶硅薄膜的制作。