公开(公告)号：CN100457964C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200510011741.0

申请日：2005-05-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 彭长涛 ,  陈诺夫 ,  吴金良 ,  尹志冈 ,  杨霏

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  H01L21/203

Abstract: 一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以砷化镓单晶片为衬底；2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb＝1∶x∶(1-x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶；3)以高纯氩气为溅射气体，其气压为Ps；4)设定溅射生长时的衬底温度为Ts；5)设定溅射生长时的溅射功率为Ws；6)设定溅射生长时靶离衬底的距离为d；7)用上述的生长条件，在一台基压可小于10-3Pa的磁控溅射仪中生长铟砷锑薄膜。

公开(公告)号：CN1865491A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200510011741.0

申请日：2005-05-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 彭长涛 ,  陈诺夫 ,  吴金良 ,  尹志冈 ,  杨霏

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以砷化镓单晶片为衬底；2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb＝1∶x∶(1－x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶；3)以高纯氩气为溅射气体，其气压为Ps；4)设定溅射生长时的衬底温度为Ts；5)设定溅射生长时的溅射功率为Ws；6)设定溅射生长时靶离衬底的距离为d；7)用上述的生长条件，在一台基压可小于10－3Pa的磁控溅射仪中生长铟砷锑薄膜。