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公开(公告)号：CN101441997A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710177783.0
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/203 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明是一种立方氮化硼(c－BN)薄膜n型掺杂的方法，该方法具体包括首先利用离子束辅助沉积(Ion Beam Assisted Depostion，IBAD)方法制备高质量的c－BN薄膜，然后依次注入不同能量(50，80及100keV)的硫(S)离子(总剂量为5×1014cm－2)进入c－BN薄膜，最终实现c－BN薄膜的n型掺杂。该方法对c－BN薄膜的生长设备没有特殊要求，具有掺杂剂量和掺杂的深度可以精确控制、成本低、方法简便、使用广泛、可移植性好等优点。
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公开(公告)号：CN101441997B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200710177783.0
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/203 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明是一种立方氮化硼(c-BN)薄膜n型掺杂的方法，该方法具体包括首先利用离子束辅助沉积(Ion Beam Assisted Depostion，IBAD)方法制备高质量的c-BN薄膜，然后依次注入不同能量(50，80及100keV)的硫(S)离子(总剂量为5×1014cm-2)进入c-BN薄膜，最终实现c-BN薄膜的n型掺杂。该方法对c-BN薄膜的生长设备没有特殊要求，具有掺杂剂量和掺杂的深度可以精确控制、成本低、方法简便、使用广泛、可移植性好等优点。
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公开(公告)号：CN101442089B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710177789.8
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种增强氧化锌(ZnO)薄膜蓝光发射的方法，涉及半导体技术，该方法制备ZnO/Ag复合结构薄膜，利用Ag表面等离激元与ZnO带间发射间的共振耦合，使ZnO带间辐射复合速率加快；同时借助具有一定粗糙度的Ag薄膜表面将等离激元耦合成光，以达到增强ZnO薄膜蓝光发射的目的。通过ZnO/Ag复合结构薄膜和ZnO薄膜的光致发光性能对比，发现Ag表面等离激元的参与能将ZnO带间蓝光发射的强度提高约50倍，同时有效地抑制了ZnO薄膜中缺陷导致的绿光发射。该方法不仅实现了ZnO蓝光发射增强，而且也能广泛应用于其它半导体发光材料以及其它类型的发光体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101671846A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810119797.1
申请日：2008-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一硅衬底；步骤2：将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上，用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源；步骤3：将衬底加热；步骤4：离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子源，主离子源采用Ar + 离子轰击硼靶与硅靶，同时以Ar + 及N 2 + 的混合离子束作为辅助离子源轰击衬底，使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜；步骤5：在离子束辅助沉积系统中将衬底降温；步骤6：取出制备后的衬底，进行应力参数测试，完成制备。
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公开(公告)号：CN101685776B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200810223613.6
申请日：2008-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/461 , H01L33/00 , H01S5/00
Abstract: 本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄膜，提高了接触区域ZnO薄膜的载流子浓度，减小了接触区域ZnO薄膜的电阻率，从而可以显著降低ZnO薄膜和金属的接触电阻，改善其欧姆接触特性。此外，在MS技术中，由于溅射出的粒子具有较高能量，使得ZnO/Ti界面原子能充分混合，可以提高Ti/Au接触在ZnO薄膜上的粘附性。利用该发明最终可以得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触，为实现ZnO薄膜电子器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN102051576A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237087.3
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，该方法包括；选用Si(001)单晶作为衬底；用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜，主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜；对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。本发明提供的这种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，过程简单、成本低，容易精确控制掺杂元素浓度，还具有使杂质原子均匀分布在薄膜内的优点。
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公开(公告)号：CN101685776A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200810223613.6
申请日：2008-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/461 , H01L33/00 , H01S5/00
Abstract: 本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄膜，提高了接触区域ZnO薄膜的载流子浓度，减小了接触区域ZnO薄膜的电阻率，从而可以显著降低ZnO薄膜和金属的接触电阻，改善其欧姆接触特性。此外，在MS技术中，由于溅射出的粒子具有较高能量，使得ZnO/Ti界面原子能充分混合，可以提高Ti/Au接触在ZnO薄膜上的粘附性。利用该发明最终可以得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触，为实现ZnO薄膜电子器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN101442089A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710177789.8
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种增强氧化锌(ZnO)薄膜蓝光发射的方法，涉及半导体技术，该方法制备ZnO/Ag复合结构薄膜，利用Ag表面等离激元与ZnO带间发射间的共振耦合，使ZnO带间辐射复合速率加快；同时借助具有一定粗糙度的Ag薄膜表面将等离激元耦合成光，以达到增强ZnO薄膜蓝光发射的目的。通过ZnO/Ag复合结构薄膜和ZnO薄膜的光致发光性能对比，发现Ag表面等离激元的参与能将ZnO带间蓝光发射的强度提高约50倍，同时有效地抑制了ZnO薄膜中缺陷导致的绿光发射。该方法不仅实现了ZnO蓝光发射增强，而且也能广泛应用于其它半导体发光材料以及其它类型的发光体。
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