公开(公告)号：CN100457964C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200510011741.0

申请日：2005-05-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 彭长涛 ,  陈诺夫 ,  吴金良 ,  尹志冈 ,  杨霏

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  H01L21/203

Abstract: 一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以砷化镓单晶片为衬底；2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb＝1∶x∶(1-x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶；3)以高纯氩气为溅射气体，其气压为Ps；4)设定溅射生长时的衬底温度为Ts；5)设定溅射生长时的溅射功率为Ws；6)设定溅射生长时靶离衬底的距离为d；7)用上述的生长条件，在一台基压可小于10-3Pa的磁控溅射仪中生长铟砷锑薄膜。

公开(公告)号：CN100369203C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200410096744.4

申请日：2004-12-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 彭长涛 ,  陈诺夫 ,  吴金良 ,  陈晨龙

IPC: H01L21/208 ,  C30B19/00

Abstract: 一种在砷化镓衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：用石墨或石英制成生长容器；步骤3：根据液相外延的原理，将含有铟、锑和砷的源按原子数比配制成生长母源并将它们放入生长容器中，在外延炉中经充分熔解并均匀混合后，在生长温度范围内和过冷度的条件下在衬底进行外延生长。

公开(公告)号：CN1865491A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200510011741.0

申请日：2005-05-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 彭长涛 ,  陈诺夫 ,  吴金良 ,  尹志冈 ,  杨霏

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以砷化镓单晶片为衬底；2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb＝1∶x∶(1－x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶；3)以高纯氩气为溅射气体，其气压为Ps；4)设定溅射生长时的衬底温度为Ts；5)设定溅射生长时的溅射功率为Ws；6)设定溅射生长时靶离衬底的距离为d；7)用上述的生长条件，在一台基压可小于10－3Pa的磁控溅射仪中生长铟砷锑薄膜。

公开(公告)号：CN1783434A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200410096744.4

申请日：2004-12-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 彭长涛 ,  陈诺夫 ,  吴金良 ,  陈晨龙

IPC: H01L21/208 ,  C30B19/00

Abstract: 一种在砷化镓衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：用石墨或石英制成生长容器；步骤3：根据液相外延的原理，将含有铟、锑和砷的源按原子数比配制成生长母源并将它们放入生长容器中，在外延炉中经充分熔解并均匀混合后，在生长温度范围内和过冷度的条件下在衬底进行外延生长。

公开(公告)号：CN101089219A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200610012247.0

申请日：2006-06-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 戴瑞烜 ,  陈诺夫 ,  彭长涛 ,  王鹏

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/14 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明一种制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择基底材料，选择锰金属和锑金属为源；2)将基底材料和锰、锑源材料送入生长炉；3)抽真空，控制锰源和锑源的温度和生长时间；4)退火；5)完成薄膜的制备工艺。