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公开(公告)号：CN102394264A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110373908.3
申请日：2011-11-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法，该方法是在ZnO/AlN界面插入一层Ag纳米颗粒，通过Ag局域态表面等离激元与器件的电致发光相互耦合，提高ZnO基发光二极管紫光电致发光性能。实验发现Ag纳米颗粒的局域态表面等离激元共振峰与ZnO近带边发光峰的位置相近，满足共振耦合条件，且粗糙的Ag纳米颗粒的表面有利于等离激元有效耦合成光且能够明显提高光的抽取效率。利用本发明，显著提高了ZnO基发光二极管紫光电致发光性能。
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公开(公告)号：CN102030559A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010520234.0
申请日：2010-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备图案化纳米模板的方法，包括以下步骤：步骤1：利用提拉法，在亲水性良好的平面衬底上组装PS球，得到单层有序的PS球薄膜；步骤2：利用氧等离子体刻蚀PS球，改变PS球的大小；步骤3：旋涂异丙醇稀释的TiO2溶胶，静置待TiO2溶胶固化，使TiO2溶胶填充PS球间隙；步骤4：甲苯中超声完全去除PS球，得到图案化的纳米模板。
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公开(公告)号：CN102623604B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210105020.6
申请日：2012-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种ZnO纳米棒发光二极管，包括：一衬底；一p-GaN层，该p-GaN层制作在衬底上；一ZnO纳米棒阵列，该ZnO纳米棒阵列制作在p-GaN层上面的一侧，另一侧为台面；一石墨烯层，该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上；一上电极，该上电极制作在石墨烯层的一侧边缘上；一下电极，该下电极制作在p-GaN层一侧的台面上。石墨烯具有高达97％的可见光透射率和优异的导电性及机械性能，可以自然铺展于纳米棒之间而不轻易断裂，形成良好的接触和连接作用，因此是一种良好的透明电极材料。将化学气相沉积生长的大面积连续石墨烯转移到ZnO纳米棒阵列的上方，石墨烯在ZnO纳米棒的支撑下自然铺展，简单地形成发光二极管的电极层，同时还能起到电流扩展层的作用。
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公开(公告)号：CN102130229B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010607413.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法，该方法是采用对n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管进行氢等离子体处理的方式，来改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能，具体包括如下步骤：使用掩膜将n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管盖住，露出需要进行氢等离子体处理的ZnO部分；将n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管送入电容耦合等离子体系统中进行氢等离子体处理；氢等离子体处理过程中器件的温度为T，射频功率为WH，处理时间为tH。利用本发明，改善了n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102394263A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110373547.2
申请日：2011-11-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法，该方法是在n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的n-ZnO薄膜中插入一层Ag纳米颗粒，利用Ag局域态表面等离激元与ZnO近带边发光强的相互耦合作用，来提高n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能。实验发现Ag纳米颗粒的局域态表面等离激元共振峰与ZnO近带边发光峰的位置相近，满足共振耦合条件，且粗糙的Ag纳米颗粒的表面有利于等离激元有效耦合成光且能够明显提高光的抽取效率。利用本发明，显著提高了n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能。
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公开(公告)号：CN102623604A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210105020.6
申请日：2012-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种ZnO纳米棒发光二极管，包括：一衬底；一p-GaN层，该p-GaN层制作在衬底上；一ZnO纳米棒阵列，该ZnO纳米棒阵列制作在p-GaN层上面的一侧，另一侧为台面；一石墨烯层，该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上；一上电极，该上电极制作在石墨烯层的一侧边缘上；一下电极，该下电极制作在p-GaN层一侧的台面上。石墨烯具有高达97％的可见光透射率和优异的导电性及机械性能，可以自然铺展于纳米棒之间而不轻易断裂，形成良好的接触和连接作用，因此是一种良好的透明电极材料。将化学气相沉积生长的大面积连续石墨烯转移到ZnO纳米棒阵列的上方，石墨烯在ZnO纳米棒的支撑下自然铺展，简单地形成发光二极管的电极层，同时还能起到电流扩展层的作用。
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公开(公告)号：CN102130229A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010607413.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法，该方法是采用对n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管进行氢等离子体处理的方式，来改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能，具体包括如下步骤：使用掩膜将n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管盖住，露出需要进行氢等离子体处理的ZnO部分；将n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管送入电容耦合等离子体系统中进行氢等离子体处理；氢等离子体处理过程中器件的温度为T，射频功率为WH，处理时间为tH。利用本发明，改善了n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能。
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公开(公告)号：CN102050481A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237099.6
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备氧化锌纳米材料的方法，该方法包括：用磁控溅射法在硅衬底上沉积氧化锌薄膜作为籽晶层；将该籽晶层放入反应釜中，利用水热反应制备氧化锌纳米结构材料，并通过调节反应参数来实现氧化锌纳米材料的形貌控制并增强其发光。本发明提供的这种制备形貌可控、高效率发光的氧化锌纳米材料的方法，用水热法制备氧化锌纳米结构材料，通过添加表面活性剂调控氧化锌纳米材料的形貌并增强其发光，能制备出具有良好垂直取向的氧化锌纳米线阵列，水热反应生长纳米材料能耗低、原料廉价易得、设备简单、产物结晶良好；通过调节反应温度、反应物浓度以及表面活性剂的选择，实现了对产物形貌、尺寸的调节以及发光效率的提高。
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公开(公告)号：CN101871089A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910082081.3
申请日：2009-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种制备有序Al纳米颗粒的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一衬底；2)在衬底上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯；3)利用电子束曝光在聚甲基丙烯酸甲酯上制备模板，形成所需图案；4)利用高纯Al靶作为金属Al薄膜沉积的溅射靶，在模板及暴露出的衬底的上面生长Al薄膜；5)腐蚀掉聚甲基丙烯酸甲酯及模板上面的Al薄膜，保留衬底上面的Al薄膜，完成有序Al纳米颗粒的制备。
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