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公开(公告)号：CN108511633A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201710115530.4
申请日：2017-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L51/5092 , H01L51/0077 , H01L51/5237 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种无机钙钛矿发光二极管及其制备方法。该方法钝化层(PVP)不但可以改善钙钛矿的表面形貌，减小发光二极管的漏电流，而且还可以钝化氧化锌(ZnO)表面的缺陷，减少钙钛矿与氧化锌界面间的非辐射复合，从而提高辐射复合效率；同时还能提高电子和空穴的注入平衡。另外在CsPbBr3中掺入少量的MABr可以得到几乎无孔洞且非常致密的复合钙钛矿发光材料(Cs0.87MA0.13PbBr3)，减小漏电流的同时还可以有效抑制CsPbBr3中单质铅非辐射复合中心的生成。该发明能有效提高钙钛矿发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN101442089B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710177789.8
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种增强氧化锌(ZnO)薄膜蓝光发射的方法，涉及半导体技术，该方法制备ZnO/Ag复合结构薄膜，利用Ag表面等离激元与ZnO带间发射间的共振耦合，使ZnO带间辐射复合速率加快；同时借助具有一定粗糙度的Ag薄膜表面将等离激元耦合成光，以达到增强ZnO薄膜蓝光发射的目的。通过ZnO/Ag复合结构薄膜和ZnO薄膜的光致发光性能对比，发现Ag表面等离激元的参与能将ZnO带间蓝光发射的强度提高约50倍，同时有效地抑制了ZnO薄膜中缺陷导致的绿光发射。该方法不仅实现了ZnO蓝光发射增强，而且也能广泛应用于其它半导体发光材料以及其它类型的发光体。
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公开(公告)号：CN119968088A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510165144.0
申请日：2025-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。钙钛矿薄膜为硫氰酸铷掺杂的钙钛矿，所述钙钛矿含有铅元素，所述硫氰酸铷与所述铅元素的摩尔比小于3%。本发明通过将硫氰酸铷引入到钙钛矿材料中，从而调控钙钛矿结晶，提高宽带隙钙钛矿晶体质量，并且铷离子掺入钙钛矿晶格，使钙钛矿吸光层中缺陷离子迁移的活化能显著升高，抑制钙钛矿材料中的缺陷离子的移动，从而得到结晶质量较高宽带隙钙钛矿吸光层。
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公开(公告)号：CN116193944A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310262226.8
申请日：2023-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种空穴传输层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法，其中，空穴传输层的制备方法包括：S1，将2，2′，7，7′‑四[N，N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9，9′‑螺二芴溶解于有机溶剂中，得到Spiro溶液；S2，向Spiro溶液中加入碘单质，碘单质有利于加速生成p型的被氧化的自由基态Spiro·+；S3，将S2所得的混合溶液进行旋涂，置于干燥柜中使之进行快速氧化，得到Spiro空穴传输层。本公开利用碘单质掺杂Spiro空穴传输层，大幅提高了其氧化速率，缩短了正型钙钛矿太阳能电池的制备周期，减少了器件的电学迟滞效应，同时还提高了钙钛矿太阳能电池的稳定性。
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公开(公告)号：CN118540961A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310148064.5
申请日：2023-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种氧化镍空穴传输层、钙钛矿太阳能电池及制备方法，属于太阳能电池领域。该氧化镍空穴传输层包括：掺杂有过氧化氢修饰的氧化镍纳米颗粒的氧化镍层；其中，过氧化氢修饰的氧化镍纳米颗粒与氧化镍主体形成p型掺杂。本发明在氧化镍纳米颗粒中引入过氧化氢，与氧化镍自身发生反应，产生更多的p型掺杂Ni3+，并以NiOOH的形式存在于传输层中，加快了空穴的抽取和转移，能够有效改善钙钛矿太阳能电池中的迟滞效应，且在加入过氧化氢后，氧化镍纳米颗粒的尺寸减小，在溶液中的分散性更好，因此获得更加均匀致密的薄膜，有效改善了氧化镍的成膜质量，从而获得更高效稳定的钙钛矿太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110212054A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201810159164.7
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国科学院大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
Abstract: 该发明公开了一种高效无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明提出使用一步法旋涂铯铅碘钙钛矿溶液后，将旋涂后的钙钛矿薄膜在室温条件下放置一段时间后再退火。一方面，放置后再退火可以让钙钛矿薄膜中残留的溶剂缓慢的挥发，在这个过程中钙钛矿薄膜晶体生长速率减慢，有利于晶体尺寸充分长大，能够有效减少由于晶界引起的缺陷浓度，提高薄膜的晶体质量。另一方面，基于这种方法制备的钙钛矿太阳能电池，有效提高了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，而且迟滞小。
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公开(公告)号：CN101866999B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010183370.5
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/02
Abstract: 本发明提供一种制作ZnO基异质结发光二极管的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积p-GaN薄膜；2)在p-GaN薄膜上生长ZnO薄膜；3)采用湿法腐蚀，将p-GaN薄膜上的ZnO薄膜的一侧腐蚀掉，露出p-GaN薄膜，形成台面；4)在p-GaN薄膜的台面上制作p型电极；5)在ZnO薄膜上制作n型电极。
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公开(公告)号：CN116154015A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310181459.5
申请日：2023-02-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0216 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种无机钙钛矿太阳能电池，包括：衬底；电子传输层，设置在衬底上；无机钙钛矿吸光层，设置在电子传输层上，被构造成吸收太阳光并产生成对的电子和空穴，电子经电子传输层传输至衬底；表面重构层，设置在无机钙钛矿吸光层上，表面重构层被构造成在无机钙钛矿吸光层中掺杂氟离子，氟离子与无机钙钛矿吸光层中的铅元素形成强化学键，以钝化铅的间隙缺陷以及卤化物空位缺陷，并抑制无机钙钛矿吸光层内部的非辐射复合；空穴传输层，设置在表面重构层上；以及金属电极，设置在空穴传输层上；空穴传输层被构造成接收由无机钙钛矿吸光层产生的空穴，并将空穴传输至金属电极，金属电极接收空穴并与来自衬底的电子复合，以形成导电回路。
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公开(公告)号：CN114824099A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210471109.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开了一种氯化铷掺杂的钙钛矿、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其中，该氯化铷掺杂的钙钛矿包括钙钛矿主体和(PbI2)2RbCl，其中(PbI2)2RbCl的XRD特征峰位于11.3°。该钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、钝化层、空穴传输层和金属电极。
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公开(公告)号：CN111370583A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010220841.9
申请日：2020-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种聚乙烯吡咯烷酮掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用，该钙钛矿太阳能电池包括衬底，起支撑作用；氧化锡电子传输层，其制作在衬底上，该氧化锡电子传输层掺杂有聚乙烯吡咯烷酮；钙钛矿吸收层，其制作在氧化锡电子传输层上；钝化层，其制作在钙钛矿吸收层上；空穴传输层，其制作在钝化层上；以及金属电极，其制作在空穴传输层上。本发明通过在电子传输层SnO2中添加有机聚合物聚乙烯吡咯烷酮，能够有效改善SnO2薄膜的成膜质量，扩展其工艺处理窗口；同时，在处理过后的电子传输层上生长钙钛矿层制备钙钛矿太阳电池，获得了重复性非常好的钙钛矿太阳电池。
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