公开(公告)号：CN107589360B

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201710756755.8

申请日：2017-08-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张烨 ,  陈亚男 ,  金鹏 ,  郁万成 ,  王占国

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种半导体测试装置及方法，半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片及第二金属片，第一金属片与第二金属片相对设置，用以将待测半导体夹设于第一金属片和第二金属片之间。第一金属片设置有电流输出端，第二金属片接地，电源与该第一金属片相连，为设置在该第一金属片及第二金属片之间的待测半导体提供电压。第一金属片开设有通孔，激光器发出的激光穿过该通孔抵达设置在该第一金属片与第二金属片之间的待测半导体，进而激发该待测半导体产生瞬态光电流并通过电流输出端输出。其中，该瞬态光电流用于计算该待测半导体的载流子迁移率。如此，可以不必在每次测试时进行金属电镀、光刻等复杂工艺，提高了测试的便捷性。

公开(公告)号：CN107589360A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710756755.8

申请日：2017-08-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张烨 ,  陈亚男 ,  金鹏 ,  郁万成 ,  王占国

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种半导体测试装置及方法，半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片及第二金属片，第一金属片与第二金属片相对设置，用以将待测半导体夹设于第一金属片和第二金属片之间。第一金属片设置有电流输出端，第二金属片接地，电源与该第一金属片相连，为设置在该第一金属片及第二金属片之间的待测半导体提供电压。第一金属片开设有通孔，激光器发出的激光穿过该通孔抵达设置在该第一金属片与第二金属片之间的待测半导体，进而激发该待测半导体产生瞬态光电流并通过电流输出端输出。其中，该瞬态光电流用于计算该待测半导体的载流子迁移率。如此，可以不必在每次测试时进行金属电镀、光刻等复杂工艺，提高了测试的便捷性。

公开(公告)号：CN106835274A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710062928.6

申请日：2017-01-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郁万成 ,  金鹏 ,  张烨 ,  王占国

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B29/04 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明提供了一种异质外延金刚石及其制备方法。该异质外延金刚石包括：异质衬底；石墨烯柔性层，制备于异质衬底上；金刚石层，外延生长于石墨烯柔性层上；其中，石墨烯柔性层作为异质衬底上生长金刚石的柔性中间层。本发明利用石墨烯作为外延金刚石的模板和过渡缓冲层，消除了由于异质衬底与金刚石间晶格失配造成的外延金刚石质量降低。

公开(公告)号：CN119008756A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411120713.1

申请日：2024-08-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张烨 ,  牛智川 ,  王国伟 ,  徐应强 ,  吴东海 ,  蒋洞微 ,  郝宏玥 ,  倪海桥 ,  常发冉 ,  周文广 ,  梁岩

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供了一种势垒型中长波双色红外探测器及其制作方法，该探测器包括：衬底；外延片结构，生长于衬底的上表面；上台面金属电极，位于外延片结构的上表面的第一端和第二端；下台面金属电极，位于外延片结构两侧预设的裸露区域；钝化层，生长于上台面金属电极与下台面金属电极之间的外延片结构的侧面，并延伸出下台面金属电极。