公开(公告)号：CN111647878A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010735304.8

申请日：2020-07-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈亚男 ,  霍晓迪 ,  周广迪 ,  金鹏 ,  王占国

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/27

Abstract: 本公开提供了一种隔热导电偏压衬底托，包括托体、石墨件、偏压电极、绝缘部。衬底放置于所述托体上表面；所述石墨件为石墨板或石墨杆；偏压电极与所述石墨件相连；绝缘部与所述石墨件下表面相连，所述绝缘部与腔体壁板相连。绝缘部包括第一绝缘件和第二绝缘件。本公开中隔热导电偏压衬底托在加热状态下，既能减少衬底温度波动，实现良好的保温效果，又能防止衬底将过多热量传递到偏压电极上引起偏压电极失效，节约电能，更加利于高质量的膜层外延生长。

公开(公告)号：CN107589360A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710756755.8

申请日：2017-08-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张烨 ,  陈亚男 ,  金鹏 ,  郁万成 ,  王占国

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种半导体测试装置及方法，半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片及第二金属片，第一金属片与第二金属片相对设置，用以将待测半导体夹设于第一金属片和第二金属片之间。第一金属片设置有电流输出端，第二金属片接地，电源与该第一金属片相连，为设置在该第一金属片及第二金属片之间的待测半导体提供电压。第一金属片开设有通孔，激光器发出的激光穿过该通孔抵达设置在该第一金属片与第二金属片之间的待测半导体，进而激发该待测半导体产生瞬态光电流并通过电流输出端输出。其中，该瞬态光电流用于计算该待测半导体的载流子迁移率。如此，可以不必在每次测试时进行金属电镀、光刻等复杂工艺，提高了测试的便捷性。

公开(公告)号：CN107589360B

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201710756755.8

申请日：2017-08-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张烨 ,  陈亚男 ,  金鹏 ,  郁万成 ,  王占国

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种半导体测试装置及方法，半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片及第二金属片，第一金属片与第二金属片相对设置，用以将待测半导体夹设于第一金属片和第二金属片之间。第一金属片设置有电流输出端，第二金属片接地，电源与该第一金属片相连，为设置在该第一金属片及第二金属片之间的待测半导体提供电压。第一金属片开设有通孔，激光器发出的激光穿过该通孔抵达设置在该第一金属片与第二金属片之间的待测半导体，进而激发该待测半导体产生瞬态光电流并通过电流输出端输出。其中，该瞬态光电流用于计算该待测半导体的载流子迁移率。如此，可以不必在每次测试时进行金属电镀、光刻等复杂工艺，提高了测试的便捷性。

公开(公告)号：CN111647878B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202010735304.8

申请日：2020-07-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈亚男 ,  霍晓迪 ,  周广迪 ,  金鹏 ,  王占国

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/27

Abstract: 本公开提供了一种隔热导电偏压衬底托，包括托体、石墨件、偏压电极、绝缘部。衬底放置于所述托体上表面；所述石墨件为石墨板或石墨杆；偏压电极与所述石墨件相连；绝缘部与所述石墨件下表面相连，所述绝缘部与腔体壁板相连。绝缘部包括第一绝缘件和第二绝缘件。本公开中隔热导电偏压衬底托在加热状态下，既能减少衬底温度波动，实现良好的保温效果，又能防止衬底将过多热量传递到偏压电极上引起偏压电极失效，节约电能，更加利于高质量的膜层外延生长。