公开(公告)号：CN103578977A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310585868.8

申请日：2013-11-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王维颖 ,  毛德丰 ,  李维 ,  金鹏 ,  王占国

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3245 ,  H01L21/2056 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了一种提高AlN外延薄膜荧光强度的方法。该方法通过在低压热壁CVD中对AlN外延薄膜在N2氛围下进行高温退火，使得AlN中的部分原子重新迁移到合适的位置，减小了非辐射复合缺陷，提高了AlN外延薄膜的荧光强度。

公开(公告)号：CN103346068A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310290457.6

申请日：2013-07-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李维 ,  毛德丰 ,  王维颖 ,  金鹏 ,  王占国

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 一种高In组分AlInN薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长低温GaN形核层；步骤2：在低温GaN形核层上生长高温GaN缓冲层；步骤3：在高温GaN缓冲层上生长AlInN连续渐变缓冲层；步骤4：在连续渐变缓冲层上生长AlInN层。本发明采用新的缓冲层结构设计，可以使应力逐渐的释放，降低晶格失配的影响，减少生长过程中引入的位错。

公开(公告)号：CN103578977B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310585868.8

申请日：2013-11-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王维颖 ,  毛德丰 ,  李维 ,  金鹏 ,  王占国

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供了一种提高AlN外延薄膜荧光强度的方法。该方法通过在低压热壁CVD中对AlN外延薄膜在N2氛围下进行高温退火，使得AlN中的部分原子重新迁移到合适的位置，减小了非辐射复合缺陷，提高了AlN外延薄膜的荧光强度。

公开(公告)号：CN103806104A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410056560.9

申请日：2014-02-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 毛德丰 ,  李维 ,  王维颖 ,  金鹏 ,  王占国

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长低温GaN形核层；步骤2：在低温GaN形核层上生长高温GaN缓冲层；步骤3：在高温GaN缓冲层上生长AlGaN连续渐变缓冲层或AlGaN/AlN或AlGaN/GaN超晶格缓冲层；步骤4：在连续渐变缓冲层上生长AlGaN薄膜。本发明通过优化缓冲层设计，能够有效降低传统AlN缓冲层带来的高位错影响。减小高Al组分AlGaN与GaN缓冲层的晶格失配影响，改善AlGaN外延薄膜质量。