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公开(公告)号：CN119296697A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411408214.2
申请日：2024-10-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种金刚石共掺杂体系可行度的评估方法，包括：构建金刚石共掺杂体系的模型，金刚石共掺杂体系包括至少一种共掺杂复合物；基于金刚石共掺杂体系模型，确定金刚石共掺杂体系的共掺杂复合物的形成能、结合能、热力学跃迁能级；根据形成能与第一预设条件、结合能与第二预设条件、热力学跃迁能级与第三预设条件的关系，确定共掺杂复合物在金刚石晶格中的掺杂可行度，其中，第一预设条件表征共掺杂复合物在金刚石晶格中形成的难易程度，第二预设条件表征共掺杂复合物结合的稳定程度，第三预设条件表征热力学跃迁能级为浅能级，且存在于金刚石晶格中的其他复合物或单元素杂质的热力学跃迁能级不能是其他极性的浅能级。
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公开(公告)号：CN118016527A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410171590.8
申请日：2024-02-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/16
Abstract: 提供了一种肖特基势垒二极管能量转换器的制备方法，所述方法包括以下步骤：对衬底层进行离子注入，在所述衬底层内部形成损伤层，所述损伤层将所述衬底层间隔为第一衬底层和第二衬底层，所述第一衬底层位于离子注入经过区域；退火处理，使所述损伤层完全石墨化形成石墨层；在所述第一衬底层上依次外延生长非故意掺杂金刚石外延层和p型金刚石外延层；剥离得到包括所述第一衬底层、所述非故意掺杂金刚石外延层以及所述p型金刚石外延层的复合结构层；在所述复合结构层中的p型金刚石外延层一侧制备欧姆接触电极以及在第一衬底层一侧制备肖特基接触金属电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114775043B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210420002.0
申请日：2022-04-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法及其薄膜，其中，本公开的一个方面提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法，包括：利用脉冲激光沉积方法在衬底上生长薄膜籽晶层，得到具有薄膜籽晶层的衬底；通过不同于脉冲激光沉积方法的其他生长方法在具有薄膜籽晶层的衬底上继续进行同质外延生长，直至薄膜的厚度达到预设阈值，其中，其他生长方法包括以下之一：电子束蒸镀、直流磁控溅射、射频磁控溅射、离子束蒸镀、金属有机物化学气相沉积、分子束外延、原子层沉积、等离子体化学气相沉积。
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公开(公告)号：CN117594154A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311557852.6
申请日：2023-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种金刚石制备方法，包括：构建第一金刚石结构模型；基于第一性原理对第一金刚石结构进行优化，得到第二金刚石结构；使第二金刚石结构在预设生长条件下吸附预处理后的原子基团；其中，生长条件包括生长温度和反应压强；计算吸附过程中氢原子、氢分子、待吸附原子基团的焓以及吸附前和吸附后第二金刚石结构的焓；基于氢原子、氢分子、原子基团的焓以及吸附前和吸附后第二金刚石结构的焓计算被吸附的原子基团的吸附能；在吸附能满足要求的情况下，基于当前第二金刚石结构制备金刚石材料。
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公开(公告)号：CN118169087A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410198627.6
申请日：2024-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种可同时获得深紫外显微荧光图像和荧光光谱的装置，包括：深紫外激发光模块，用于激发出待测样品的荧光；光学显微镜模块，包括二向色镜、长波通滤光镜和第一分光镜等，二向色镜用于偏转深紫外激光，以使深紫外激光射向待测样品，从而激发出荧光，并使从样品发出的荧光透过，长波通滤光镜用于对穿过二向色镜的荧光进行过滤，以滤除深紫外激光透过荧光，第一分光镜用于将过滤后的荧光分成第一束荧光和第二束荧光；显微荧光成像模块和显微荧光光谱模块并行连接于光学显微镜模块的输出端，显微荧光成像模块用于捕捉第一束荧光以获得深紫外波段的荧光图像，显微荧光光谱模块用于捕捉第二束荧光以获得深紫外波段的荧光光谱。
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公开(公告)号：CN117373904A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311337093.2
申请日：2023-10-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种外延生长方法及外延膜，包括：在单晶衬底上制备包含目标材料的第一外延层；使用激光束在第一外延层上切割出图形，得到图形化衬底；将图形化衬底置于生长设备中进行横向和纵向外延生长，得到第二外延层。该制备方法能够有效缓解衬底与外延膜之间的应力，降低外延体系的残余应力水平，从而得到高质量、低应力的外延层，并且能够抑制生长方向螺旋位错的传播，降低位错密度。
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公开(公告)号：CN114775043A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210420002.0
申请日：2022-04-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法及其薄膜，其中，本公开的一个方面提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法，包括：利用脉冲激光沉积方法在衬底上生长薄膜籽晶层，得到具有薄膜籽晶层的衬底；通过不同于脉冲激光沉积方法的其他生长方法在具有薄膜籽晶层的衬底上继续进行同质外延生长，直至薄膜的厚度达到预设阈值，其中，其他生长方法包括以下之一：电子束蒸镀、直流磁控溅射、射频磁控溅射、离子束蒸镀、金属有机物化学气相沉积、分子束外延、原子层沉积、等离子体化学气相沉积。
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