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公开(公告)号：CN113594230A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110860565.7
申请日：2021-07-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 一种垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法，该垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管包括：本征金刚石衬底；P+型漏区，材料为P+型掺杂金刚石，形成于本征金刚石衬底上；P型漂移区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P+型漏区上；漏电极，形成于P+型漏区上且位于P型漂移区两侧的位置；P型沟道区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型漂移区上；P+型源区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型沟道区上；源电极，形成于P+型源区上；栅介质，形成于P型漂移区、P型沟道区和P+型源区的外侧，并且与P型漂移区、P型沟道区和P+型源区相接触；以及栅电极，形成于栅介质上。
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公开(公告)号：CN114775043A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210420002.0
申请日：2022-04-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法及其薄膜，其中，本公开的一个方面提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法，包括：利用脉冲激光沉积方法在衬底上生长薄膜籽晶层，得到具有薄膜籽晶层的衬底；通过不同于脉冲激光沉积方法的其他生长方法在具有薄膜籽晶层的衬底上继续进行同质外延生长，直至薄膜的厚度达到预设阈值，其中，其他生长方法包括以下之一：电子束蒸镀、直流磁控溅射、射频磁控溅射、离子束蒸镀、金属有机物化学气相沉积、分子束外延、原子层沉积、等离子体化学气相沉积。
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公开(公告)号：CN112899659B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110072158.X
申请日：2021-01-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种用于等离子体化学气相的样品支架，包括：水冷铜台(8)和导电电极(7)，所述水冷铜台(8)中间开孔以容纳所述导电电极(7)；依次设置于所述水冷铜台(8)的绝缘层(5)、第五导电支架(11)、第三导电支架(4)、第四导电支架(10)、第二导电支架(3)和第一导电支架(2)，所述第一导电支架(2)用于承载样品(1)。该样品支架还包括导电定位环(12)、铜环(9)和绝缘环(6)。本发明通过多层导电支架及绝缘层的设计，实现对样品施加偏压以及在较低功率气压下达到较高的温度。
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公开(公告)号：CN114775043B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210420002.0
申请日：2022-04-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法及其薄膜，其中，本公开的一个方面提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法，包括：利用脉冲激光沉积方法在衬底上生长薄膜籽晶层，得到具有薄膜籽晶层的衬底；通过不同于脉冲激光沉积方法的其他生长方法在具有薄膜籽晶层的衬底上继续进行同质外延生长，直至薄膜的厚度达到预设阈值，其中，其他生长方法包括以下之一：电子束蒸镀、直流磁控溅射、射频磁控溅射、离子束蒸镀、金属有机物化学气相沉积、分子束外延、原子层沉积、等离子体化学气相沉积。
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公开(公告)号：CN117594154A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311557852.6
申请日：2023-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种金刚石制备方法，包括：构建第一金刚石结构模型；基于第一性原理对第一金刚石结构进行优化，得到第二金刚石结构；使第二金刚石结构在预设生长条件下吸附预处理后的原子基团；其中，生长条件包括生长温度和反应压强；计算吸附过程中氢原子、氢分子、待吸附原子基团的焓以及吸附前和吸附后第二金刚石结构的焓；基于氢原子、氢分子、原子基团的焓以及吸附前和吸附后第二金刚石结构的焓计算被吸附的原子基团的吸附能；在吸附能满足要求的情况下，基于当前第二金刚石结构制备金刚石材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118169087A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410198627.6
申请日：2024-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种可同时获得深紫外显微荧光图像和荧光光谱的装置，包括：深紫外激发光模块，用于激发出待测样品的荧光；光学显微镜模块，包括二向色镜、长波通滤光镜和第一分光镜等，二向色镜用于偏转深紫外激光，以使深紫外激光射向待测样品，从而激发出荧光，并使从样品发出的荧光透过，长波通滤光镜用于对穿过二向色镜的荧光进行过滤，以滤除深紫外激光透过荧光，第一分光镜用于将过滤后的荧光分成第一束荧光和第二束荧光；显微荧光成像模块和显微荧光光谱模块并行连接于光学显微镜模块的输出端，显微荧光成像模块用于捕捉第一束荧光以获得深紫外波段的荧光图像，显微荧光光谱模块用于捕捉第二束荧光以获得深紫外波段的荧光光谱。
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公开(公告)号：CN117373904A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311337093.2
申请日：2023-10-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种外延生长方法及外延膜，包括：在单晶衬底上制备包含目标材料的第一外延层；使用激光束在第一外延层上切割出图形，得到图形化衬底；将图形化衬底置于生长设备中进行横向和纵向外延生长，得到第二外延层。该制备方法能够有效缓解衬底与外延膜之间的应力，降低外延体系的残余应力水平，从而得到高质量、低应力的外延层，并且能够抑制生长方向螺旋位错的传播，降低位错密度。
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公开(公告)号：CN112899659A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110072158.X
申请日：2021-01-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种用于等离子体化学气相的样品支架，包括：水冷铜台(8)和导电电极(7)，所述水冷铜台(8)中间开孔以容纳所述导电电极(7)；依次设置于所述水冷铜台(8)的绝缘层(5)、第五导电支架(11)、第三导电支架(4)、第四导电支架(10)、第二导电支架(3)和第一导电支架(2)，所述第一导电支架(2)用于承载样品(1)。该样品支架还包括导电定位环(12)、铜环(9)和绝缘环(6)。本发明通过多层导电支架及绝缘层的设计，实现对样品施加偏压以及在较低功率气压下达到较高的温度。
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公开(公告)号：CN119296697A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411408214.2
申请日：2024-10-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种金刚石共掺杂体系可行度的评估方法，包括：构建金刚石共掺杂体系的模型，金刚石共掺杂体系包括至少一种共掺杂复合物；基于金刚石共掺杂体系模型，确定金刚石共掺杂体系的共掺杂复合物的形成能、结合能、热力学跃迁能级；根据形成能与第一预设条件、结合能与第二预设条件、热力学跃迁能级与第三预设条件的关系，确定共掺杂复合物在金刚石晶格中的掺杂可行度，其中，第一预设条件表征共掺杂复合物在金刚石晶格中形成的难易程度，第二预设条件表征共掺杂复合物结合的稳定程度，第三预设条件表征热力学跃迁能级为浅能级，且存在于金刚石晶格中的其他复合物或单元素杂质的热力学跃迁能级不能是其他极性的浅能级。
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公开(公告)号：CN113594230B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110860565.7
申请日：2021-07-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 一种垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法，该垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管包括：本征金刚石衬底；P+型漏区，材料为P+型掺杂金刚石，形成于本征金刚石衬底上；P型漂移区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P+型漏区上；漏电极，形成于P+型漏区上且位于P型漂移区两侧的位置；P型沟道区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型漂移区上；P+型源区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型沟道区上；源电极，形成于P+型源区上；栅介质，形成于P型漂移区、P型沟道区和P+型源区的外侧，并且与P型漂移区、P型沟道区和P+型源区相接触；以及栅电极，形成于栅介质上。
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