公开(公告)号：CN108139694A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058222.6

申请日：2016-09-29

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 白户章仁 ,  涩谷敬

IPC: G03F9/00 ,  G01D5/347 ,  G03F7/23 ,  H01L21/68

CPC classification number: G03F7/70775 ,  G01D5/347 ,  G01D5/34746 ,  G02F1/1303 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/22 ,  G03F7/70475 ,  G03F7/70725 ,  G03F7/70758 ,  G03F7/7085 ,  G03F9/00 ,  H01L21/68

Abstract: 曝光装置中，于基板保持具(34)上在X轴方向上多个格子区域(RG)彼此分离配置，对格子区域分别照射测量光束且能在Y轴方向移动的多个读头(66a～66d)配置于基板保持具外部。控制系，根据多个读头中对向于格子区域的至少三个读头的测量信息与测量多个读头的位置信息的测量装置的测量信息，控制基板保持具在至少XY面内的3自由度方向的移动。多个读头，分别在基板保持具在X轴方向的移动中测量光束从多个格子区域中的一个格子区域脱离且移至相邻的另一格子区域。

公开(公告)号：CN108121179A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201611089618.5

申请日：2016-11-30

Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司

Inventor： 蓝科 ,  王诗华

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明公开了一种调焦调平装置，包括依次设置在光束传播方向上的照明单元、带投影狭缝标记的投影标记板、投影成像组、折光棱镜、分光镜、探测单元及信号处理单元，所述照明单元产生的光束经所述投影标记板后形成测量光斑，所述投影成像组将所述测量光斑成像至基底表面，所述分光镜用于将经所述基底表面第二次反射的光束折转至所述探测单元，所述信号处理单元根据所述探测单元测得的探测光斑计算所述基底表面的离焦倾斜量。所述调焦调平装置中的各个机构均集中在基底的同一侧，节省了结构空间；另外，所述调焦调平装置使光束两次经过基底表面，导致基底的离焦、倾斜对探测光斑成像位置的影响加倍，探测精度加倍。

公开(公告)号：CN105988305B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201510091986.2

申请日：2015-02-28

Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司

Inventor： 周细文 ,  孙伟旺 ,  田翠侠 ,  郑教增

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: G03F9/7092 ,  G03F1/42 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70733 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/68 ,  H01L21/682

Abstract: 本发明公开了一种硅片预对准方法，包括：步骤1：提供硅片，所述硅片周向设置有若干标记；步骤2：对硅片进行定心；步骤3：沿硅片径向移动视觉切换轴，使得硅片上的标记进入到图像采集装置的投影区域内；步骤4：转动硅片，逐个扫描、识别标记，确定标记的坐标；步骤5：根据标记的坐标旋转硅片至上片角度，完成硅片定向。本发明采用识别标记的方式，放弃了识别硅片边缘缺口的方式，避免了对一幅图像进行二值化分割，进一步提高了定向算法的通用性，抗噪声干扰性更强。此外，由于硅片的标记数目较多，采用本发明的方法仅需测量一至两个标记，即可实现硅片的对准。

公开(公告)号：CN105467781B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201410456314.2

申请日：2014-09-09

Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司

Inventor： 杜荣 ,  陈跃飞

IPC: G03F7/207 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F9/00

Abstract: 本发明公开了一种具有调焦及倾斜校正设计的标记及对准方法，所述标记包括对准标记和至少一对调焦标记，所述对准标记的中心位于所述任一对调焦标记连线的中点上，任一对所述调焦标记中心对称于所述对准标记的两侧，所述对准标记为十字型标记或者米字型标记，所述调焦标记为方块型调焦标记或光栅型调焦标记，所述对准标记的线宽大于离散化粒度，所述对准标记的线宽大于两倍PSF宽度，本发明还提供了应用于所述标记的对准方法，实现了对准标记的高精度调焦调平。与现有技术相比，本发明提供的标记在调焦的同时消除了倾斜对标记的影响，提高了测量复现性；此外，分析了畸变对测量复现性的影响机理，并给出了对标记宽度的限定条件，进一步地提高了测量复现性。

公开(公告)号：CN107290937A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610200713.1

申请日：2016-03-31

Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司

Inventor： 陈跃飞

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/70058 ,  G03F9/7026 ,  G03F9/7034

Abstract: 本发明提出了一种投影曝光装置和方法，在掩膜台和工件台之间的焦面测量系统和对准测量系统中，通过焦面测量系统测量基板面型的变化，对准测量装置系统具有调焦功能，通过焦面测量系统测量基板面型的变化后，对准测量系统根据焦面测量系统测量的数据进行调焦，在调焦完成后，对准测量系统装置中显示的基板上各点的坐标即为各点在基板面型发生变化后的坐标，计算各点的坐标变化可得到掩膜版与现在基板的相对位置关系，即可通过移动工件台进行补偿。这样即使对准测量系统和焦面测量系统的测量焦面不相同，但也可以通过计算、调焦弥补该误差。

公开(公告)号：CN106696442A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201710078493.4

申请日：2017-02-14

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 赵凯祥

IPC: B41F13/16 ,  B41F33/00 ,  G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/1337 ,  B41F5/24 ,  B41F13/16 ,  B41F27/005 ,  B41F27/1225 ,  B41F33/0036 ,  G02F1/13378 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明公开了一种配向膜印刷版的补正系统，其中，包括滚轮和套设在所述滚轮上的印刷版，印刷版的第一端部上设有多列卡扣组，印刷版的第二端部上设有多列与所述卡扣组相配合的卡槽组；配向膜印刷版的补正系统还包括：图像控制器，其用于测量基板上配向膜印刷的实际位置与预设位置之间的偏差值。本发明公开的配向膜印刷版的补正系统结构简单，能够实现对印刷版不同位置的配向膜图样进行不同程度的拉伸，以现提高印刷版的补正效果，从而达到降低基板上配向膜印刷的实际位置与预设位置之间的偏差，且补正过程中成本无明显增加。

公开(公告)号：CN106463347A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078800.3

申请日：2014-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Y·A·波罗多维斯基 ,  D·W·纳尔逊 ,  M·C·菲利普斯

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/682 ,  G03F9/00 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/31144

Abstract: 说明了适合于互补性电子束光刻(CEBL)的光刻装置以及涉及互补性电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，一种位于电子束工具的平台上的晶圆的实时对准的方法，该方法包含：当电子束工具的电子束列在平台的扫描期间进行写入时，从晶圆的下方图案化特征收集反向散射电子。该收集由放置在电子束列底部处的电子检测器执行。该方法还包含：基于该收集来执行平台相对于电子束列的对准的线性校正。

公开(公告)号：CN103270454B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201180053409.4

申请日：2011-08-16

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68

CPC classification number: G03F9/00 ,  G03B17/24 ,  G03B27/53 ,  G03B27/58 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/70791

Abstract: 在薄膜基材（20）的宽度方向的两侧的薄膜基材送给用区域的至少一个区域形成侧部曝光材料膜，通过定位标记形成部（14），照射曝光光来形成定位标记（2a），使用该定位标记（2a）检测薄膜弯曲行进，调整掩模（12）的位置。由此，将薄膜进行连续曝光时的定位标记的形成很容易，且高精度地修正薄膜的弯曲行进，能够得到能稳定地曝光的薄膜曝光装置以及薄膜曝光方法。

公开(公告)号：CN103608729B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280028001.6

申请日：2012-06-06

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： M.戈珀特 ,  H.海德纳 ,  R.弗赖曼 ,  C.斯特雷贝尔

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F9/00 ,  G01B11/02 ,  G01M11/0264 ,  G03F7/706 ,  G03F7/7085

Abstract: 一种用于投射曝光设备（1）的物镜（27），包含布置在物镜框架（28）上的度量台（30）。

公开(公告)号：CN105645347A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201410660920.6

申请日：2014-11-18

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 荆二荣

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C3/004 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00603 ,  B81C3/00 ,  B81C2203/051 ,  G03F9/00 ,  H01L21/68

Abstract: 一种体硅微加工工艺的定位方法，采用双面光刻和步进式光刻相结合的方法，通过双面光刻机找到步进式光刻机在第一基片的步进式光刻对位标记，然后直接使用步进式光刻机对第二基片进行对位。步进式光刻机的对位精度就相当于下上基片表面的图形的对位精度，因而大大提高了体硅微加工工艺的对位精度。