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公开(公告)号：CN112899659A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110072158.X
申请日：2021-01-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种用于等离子体化学气相的样品支架，包括：水冷铜台(8)和导电电极(7)，所述水冷铜台(8)中间开孔以容纳所述导电电极(7)；依次设置于所述水冷铜台(8)的绝缘层(5)、第五导电支架(11)、第三导电支架(4)、第四导电支架(10)、第二导电支架(3)和第一导电支架(2)，所述第一导电支架(2)用于承载样品(1)。该样品支架还包括导电定位环(12)、铜环(9)和绝缘环(6)。本发明通过多层导电支架及绝缘层的设计，实现对样品施加偏压以及在较低功率气压下达到较高的温度。
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公开(公告)号：CN111826634B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010735303.3
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/27 , C23C16/517 , C30B29/04 , C30B25/02
Abstract: 本发明提供一种使用偏压成核半导体膜生长装置及制备方法，包括：衬底；气源，用于向衬底表面提供反应气体；微波源，用于向衬底表面提供微波，以使反应气体电离；天线单元阵列，包括多个具有独立电压的天线单元，用于向衬底表面多个位置独立放电，以使电离后的气体在天线单元放电端形成等离子体球，进而沉积在衬底表面形成半导体膜层。本发明提供的方法能够大幅增强半导体膜成核密度，实现衬底在大面积区域上等离子体密度基本一致，最终实现大面积高质量的半导体膜层外延生长。
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公开(公告)号：CN112899659B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110072158.X
申请日：2021-01-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种用于等离子体化学气相的样品支架，包括：水冷铜台(8)和导电电极(7)，所述水冷铜台(8)中间开孔以容纳所述导电电极(7)；依次设置于所述水冷铜台(8)的绝缘层(5)、第五导电支架(11)、第三导电支架(4)、第四导电支架(10)、第二导电支架(3)和第一导电支架(2)，所述第一导电支架(2)用于承载样品(1)。该样品支架还包括导电定位环(12)、铜环(9)和绝缘环(6)。本发明通过多层导电支架及绝缘层的设计，实现对样品施加偏压以及在较低功率气压下达到较高的温度。
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公开(公告)号：CN111826634A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010735303.3
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/27 , C23C16/517 , C30B29/04 , C30B25/02
Abstract: 本发明提供一种使用偏压成核半导体膜生长装置及制备方法，包括：衬底；气源，用于向衬底表面提供反应气体；微波源，用于向衬底表面提供微波，以使反应气体电离；天线单元阵列，包括多个具有独立电压的天线单元，用于向衬底表面多个位置独立放电，以使电离后的气体在天线单元放电端形成等离子体球，进而沉积在衬底表面形成半导体膜层。本发明提供的方法能够大幅增强半导体膜成核密度，实现衬底在大面积区域上等离子体密度基本一致，最终实现大面积高质量的半导体膜层外延生长。
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公开(公告)号：CN113031392B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110304075.9
申请日：2021-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于小尺寸样品光刻工艺的方法。该方法包括：将待光刻的小尺寸样品放置在冷压法所用设备的压片模具上；将压片用粉末材料填充到放置有小尺寸样品的压片模具中；对压片模具施加压力，将小尺寸样品嵌入到压制所述压片用粉末材料得到的压片中，以得到压片产品。利用本发明，解决了小尺寸样品在匀胶过程中的“边缘”效应问题，提高了样品的表面利用率；解决了在小尺寸样品光刻工艺中，匀胶机和光刻机的真空吸嘴尺寸与待光刻小尺寸样品尺寸不匹配的问题；并且该方法适用于形状规则和不规则的小尺寸样品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111341836B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010146464.9
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 天津市海杰金属制品制造有限公司
IPC: H01L29/16 , H01L29/06 , H01L21/3205 , H01L21/02
Abstract: 本公开提供了一种用于异质外延的石墨烯中间层柔性衬底及其制备方法，其用于异质外延的石墨烯中间层柔性衬底，自下而上顺次包括：支撑层和缓冲层，所述缓冲层自下而上顺次包括：至少一个石墨烯缓冲层和至少一个金属膜缓冲层。本公开通过使用石墨烯缓冲层和金属膜缓冲层组合的缓冲层结构，合理利用石墨烯晶格适配小的优点，在金属膜缓冲层的保护下同时可以避免在制备过程中石墨烯被刻蚀，有利于改善单晶金刚石异质外延的质量，以实现大面积高质量的金刚石膜层异质外延生长。
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公开(公告)号：CN113594230A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110860565.7
申请日：2021-07-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 一种垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法，该垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管包括：本征金刚石衬底；P+型漏区，材料为P+型掺杂金刚石，形成于本征金刚石衬底上；P型漂移区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P+型漏区上；漏电极，形成于P+型漏区上且位于P型漂移区两侧的位置；P型沟道区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型漂移区上；P+型源区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型沟道区上；源电极，形成于P+型源区上；栅介质，形成于P型漂移区、P型沟道区和P+型源区的外侧，并且与P型漂移区、P型沟道区和P+型源区相接触；以及栅电极，形成于栅介质上。
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公开(公告)号：CN111647878A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010735304.8
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , C23C16/27
Abstract: 本公开提供了一种隔热导电偏压衬底托，包括托体、石墨件、偏压电极、绝缘部。衬底放置于所述托体上表面；所述石墨件为石墨板或石墨杆；偏压电极与所述石墨件相连；绝缘部与所述石墨件下表面相连，所述绝缘部与腔体壁板相连。绝缘部包括第一绝缘件和第二绝缘件。本公开中隔热导电偏压衬底托在加热状态下，既能减少衬底温度波动，实现良好的保温效果，又能防止衬底将过多热量传递到偏压电极上引起偏压电极失效，节约电能，更加利于高质量的膜层外延生长。
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公开(公告)号：CN111341836A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010146464.9
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 天津市海杰金属制品制造有限公司
IPC: H01L29/16 , H01L29/06 , H01L21/3205 , H01L21/02
Abstract: 本公开提供了一种用于异质外延的石墨烯中间层柔性衬底及其制备方法，其用于异质外延的石墨烯中间层柔性衬底，自下而上顺次包括：支撑层和缓冲层，所述缓冲层自下而上顺次包括：至少一个石墨烯缓冲层和至少一个金属膜缓冲层。本公开通过使用石墨烯缓冲层和金属膜缓冲层组合的缓冲层结构，合理利用石墨烯晶格适配小的优点，在金属膜缓冲层的保护下同时可以避免在制备过程中石墨烯被刻蚀，有利于改善单晶金刚石异质外延的质量，以实现大面积高质量的金刚石膜层异质外延生长。
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公开(公告)号：CN110993492A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911299960.1
申请日：2019-12-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 天津市海杰金属制品制造有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3213
Abstract: 本公开提供一种基于等离子工艺的同步生成并图形化石墨烯的方法，包括：步骤S1：在基底上制备金属催化剂膜；步骤S2：对步骤S1制备的金属催化剂膜进行加工生成图形化金属催化剂膜层；以及步骤S3：利用等离子体化学气相沉积工艺同步生成并图形化石墨烯，完成图形化石墨烯的制备；能够简化工艺流程，不需先生成石墨烯，再进行刻蚀进行图形化，而是同步完成石墨烯的制备和图形化。
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