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公开(公告)号：CN101028699A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610011400.8
申请日：2006-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B24B29/00 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，包括：一晶片固定盘；一上抛光盘，该上抛光盘的断面为倒T形；一气囊，该气囊固定在上抛光盘的底面，该气囊可以充气；一抛光垫，该抛光垫固定在气囊的底面；欲将晶片抛光时，将气囊充气，将晶片固定在晶片固定盘上面，控制上抛光盘的转动及上抛光盘的上下位移，由抛光垫对晶片抛光。
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公开(公告)号：CN1970645A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200510086961.X
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C09C1/68
Abstract: 本发明涉及粉体切磨料技术领域，特别是一种材料精密多线切割和研磨加工中所使用的起切削研磨作用的粉体切磨料。该粉体由两种几何形状类型不同的粉体组成。所含的两种不同的粉体材料的形状一种为常规粒状粉体，另一种为柱状粉体。所含的粒状粉体的粒径大小为3微米到30微米之间，柱状粉体的粒径范围为3微米到30微米之间。所含的柱状粉体其长度和直径的比例为1.5∶1到10∶1之间。所含的粒状粉体的含量为5％到95％之间，柱状粉体的含量为95％到5％之间。
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公开(公告)号：CN101603208A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810114794.9
申请日：2008-06-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种使用生长半绝缘砷化镓的石英管在砷化镓中掺碳的方法，包括如下步骤：步骤1：将7N Ga和7N As进行多晶合成，形成GaAs多晶；步骤2：将合成好的GaAs多晶、籽晶和B2O3放入PBN坩埚；步骤3：将PBN坩埚放入石英管的石英体中；步骤4：将纯石墨固定在石英管的石英帽上的石英槽内；步骤5：将石英体和石英帽盖合，抽真空，用氢氧焰焊接石英管的石英体和石英帽；步骤6：将焊接后的石英管放入VGF单晶炉，进行气氛掺杂，单晶生长；步骤7：将晶体生长后的PBN坩埚放入甲醇内浸泡，得到GaAs单晶，完成GaAs单晶的制备。
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公开(公告)号：CN1883890A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200510078613.8
申请日：2005-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及切割控制技术领域，特别是一种多线切割载荷控制方法。特点是它借助传感器测量工件所受来自切割钢线的载荷压力，在切割全过程或部分过程中使用以载荷压力为参数来调整切割进给速度、钢线速度的方式，载荷压力的值可以预先设定，或者在切割过程中按照一定的方式变化。这种切割方式可以较好的控制翘曲度和锯纹的产生，同时对其它切割要素的要求降低，在一定范围内均可以保证切割结果在可控制的范围内波动，有较好的重复性。
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公开(公告)号：CN1888126A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200510012052.1
申请日：2005-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是LEC法生长体单晶的准备工艺中PBN坩埚表层镀膜方法及装置。装置包括：装挥发性材料的容器；一套加热系统和温控设备；一套支撑系统；一座封闭炉室和真空设备，提供挥发空间。方法包括：在传统处理工艺基础上，通过加热系统和温控设备控制升温、恒温、降温，将高含水B2O3脱水并使其挥发，扩散至处于低温端的PBN坩埚的表层，形成B2O3薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101045853A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610066889.9
申请日：2006-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 一种半导体晶片精密化学机械抛光剂，其特征在于，该抛光剂按重量百分比含有以下成分：二氧化氯融合剂1％－10％；pH调节剂3.5％－10％；其余为水；混合、搅拌，形成半导体晶片精密化学机械抛光剂。
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公开(公告)号：CN101028625A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610011399.9
申请日：2006-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B08B3/12
Abstract: 一种扩散型兆声波清洗槽，其特征在于，包括：一清洗槽；一兆声阵列，该兆声阵列装在清洗槽的底部下面；一半球体能量扩散结构阵列，该半球体能量扩散结构阵列安装在清洗槽的底部上面，该兆声阵列与半球体能量扩散结构阵列相互对应。本发明的扩散型兆声波清洗槽，通过将石英槽底部的平面形状改为一些能起到扩散兆声的结构，它们将兆声振子发出的能量传递并扩散到清洗槽中，改变了本来的能量分布，从而更加适合广泛的清洗应用。
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公开(公告)号：CN1888146A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200510012053.6
申请日：2005-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别指垂直梯度凝固(VGF)法或垂直布里奇曼(VB)法生长半导体单晶工艺中晶锭与热解氮化硼(PBN)坩埚脱离方法及设备。设备包括：一套温控设备和加热炉体、一套PBN坩埚支撑系统、一台超声波发生器。方法过程如下：采用的温控设备和加热炉体用于对生长完的晶锭与PBN坩埚进行升温、恒温、降温；根据三氧化二硼(B2O3)的特性，温度降至室温，在晶锭和坩埚壁间依然会有残留，所以取出晶锭和坩埚，放入盛有甲醇的超声波发生器箱体内，进行超声处理，即可去除残留B2O3，顺利分离晶锭与PBN坩埚。
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公开(公告)号：CN1884963A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200510078612.3
申请日：2005-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01B5/06
Abstract: 本发明涉及测量装置技术领域，特别是一种片状材料厚度测量装置。由两个有曲面测量头的水平测量顶杆和固定立柱、底座构成，其中一个测量顶杆连接千分表测量装置或传感器，或者由千分表等测量装置或传感器自身的顶杆构成。本发明提供了一种可以减少薄片本身翘曲和局部平整度带来的误差的薄片厚度测量装置。将薄片垂直放置于两个测量头之间，依靠测量头的曲面实现点接触，可以在薄片同测量顶杆相对垂直的条件下实现可靠的厚度测量。
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公开(公告)号：CN100387759C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510012053.6
申请日：2005-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别指垂直梯度凝固(VGF)法或垂直布里奇曼(VB)法生长半导体单晶工艺中晶锭与热解氮化硼(PBN)坩埚脱离方法及设备。设备包括：一套温控设备和加热炉体、一套PBN坩埚支撑系统、一台超声波发生器。方法过程如下：采用的温控设备和加热炉体用于对生长完的晶锭与PBN坩埚进行升温、恒温、降温；根据三氧化二硼(B2O3)的特性，温度降至室温，在晶锭和坩埚壁间依然会有残留，所以取出晶锭和坩埚，放入盛有甲醇的超声波发生器箱体内，进行超声处理，即可去除残留B2O3，顺利分离晶锭与PBN坩埚。
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