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公开(公告)号：CN101036976A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610057412.4
申请日：2006-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B24B29/00
Abstract: 一种双面抛光机，包括：内齿圈和外齿圈，所述内齿圈设置于外齿圈内中心位置处；上抛光盘和下抛光盘，所述上抛光盘和下抛光盘呈圆环形，环绕内齿圈而设置在内齿圈和外齿圈之间；以及至少一个单面抛光用晶片固定盘，贴附多个被加工的晶片；其特征在于，所述双面抛光机还包括至少一个活动齿圈，所述至少一个活动齿圈设置在内齿圈与外齿圈之间并且在上抛光盘与下抛光盘之间，所述至少一个活动齿圈与内齿圈、外齿圈啮合；所述至少一个活动齿圈上设有贯通孔，晶片固定盘设置在所述贯通孔中。
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公开(公告)号：CN1970714A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200510086960.5
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C11D7/26 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及清洗液技术领域，特别是一种适用于精密抛光晶片的有机物去除清洗液。该有机物清洗液由醚和醇两种有机溶剂组成。醚在混合液中所占重量含量为5％到95％，醇所占重量含量为95％到5％。其中醚由下列中选出：甲醚、乙醚、乙二醚、丙醚、丁醚、异丙醚、乙丙醚、苯甲醚、石油醚。其中醚为石油醚。其中醇由下列选出：甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、异丙醇、丁醇、2－丁醇、正丁醇、丙醇、正丙醇、正戊醇、异戊醇。其中醇含有三个以下的羟基。其中醇含有一个羟基。其中醇为异丙醇。
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公开(公告)号：CN1885519A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200510078611.9
申请日：2005-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明涉及晶片加工工具技术领域，特别是一种晶片工艺卡具。由侧推立柱(1)，四面锥体(2)以及卡具体(3)组成，卡具体(3)同其他工艺部分连接，连接方式根据需要设定。晶片卡具由侧推立柱1，四面锥体底座2，卡具体3组成。侧推立柱1垂直安置在卡具体3的周边位置上，四面锥体底座2分布安置在卡具体3的周边位置上。可应用到甩干、清洗、涂胶、检测等方面，根据晶片的大小和形状制成不同尺寸，不使用真空吸附，避免二次粘污，晶片正表面同卡具不接触，背表面及边缘同晶片实现点接触，可保证晶片两面的洁净程度，比较稳定，不会由于选转飞片，不会由于边缘存在死角而留下水迹。
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公开(公告)号：CN1883890A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200510078613.8
申请日：2005-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及切割控制技术领域，特别是一种多线切割载荷控制方法。特点是它借助传感器测量工件所受来自切割钢线的载荷压力，在切割全过程或部分过程中使用以载荷压力为参数来调整切割进给速度、钢线速度的方式，载荷压力的值可以预先设定，或者在切割过程中按照一定的方式变化。这种切割方式可以较好的控制翘曲度和锯纹的产生，同时对其它切割要素的要求降低，在一定范围内均可以保证切割结果在可控制的范围内波动，有较好的重复性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101045853A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610066889.9
申请日：2006-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 一种半导体晶片精密化学机械抛光剂，其特征在于，该抛光剂按重量百分比含有以下成分：二氧化氯融合剂1％－10％；pH调节剂3.5％－10％；其余为水；混合、搅拌，形成半导体晶片精密化学机械抛光剂。
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公开(公告)号：CN101028625A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610011399.9
申请日：2006-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B08B3/12
Abstract: 一种扩散型兆声波清洗槽，其特征在于，包括：一清洗槽；一兆声阵列，该兆声阵列装在清洗槽的底部下面；一半球体能量扩散结构阵列，该半球体能量扩散结构阵列安装在清洗槽的底部上面，该兆声阵列与半球体能量扩散结构阵列相互对应。本发明的扩散型兆声波清洗槽，通过将石英槽底部的平面形状改为一些能起到扩散兆声的结构，它们将兆声振子发出的能量传递并扩散到清洗槽中，改变了本来的能量分布，从而更加适合广泛的清洗应用。
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公开(公告)号：CN1884963A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200510078612.3
申请日：2005-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01B5/06
Abstract: 本发明涉及测量装置技术领域，特别是一种片状材料厚度测量装置。由两个有曲面测量头的水平测量顶杆和固定立柱、底座构成，其中一个测量顶杆连接千分表测量装置或传感器，或者由千分表等测量装置或传感器自身的顶杆构成。本发明提供了一种可以减少薄片本身翘曲和局部平整度带来的误差的薄片厚度测量装置。将薄片垂直放置于两个测量头之间，依靠测量头的曲面实现点接触，可以在薄片同测量顶杆相对垂直的条件下实现可靠的厚度测量。
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公开(公告)号：CN101028699A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610011400.8
申请日：2006-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B24B29/00 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，包括：一晶片固定盘；一上抛光盘，该上抛光盘的断面为倒T形；一气囊，该气囊固定在上抛光盘的底面，该气囊可以充气；一抛光垫，该抛光垫固定在气囊的底面；欲将晶片抛光时，将气囊充气，将晶片固定在晶片固定盘上面，控制上抛光盘的转动及上抛光盘的上下位移，由抛光垫对晶片抛光。
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公开(公告)号：CN1970645A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200510086961.X
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C09C1/68
Abstract: 本发明涉及粉体切磨料技术领域，特别是一种材料精密多线切割和研磨加工中所使用的起切削研磨作用的粉体切磨料。该粉体由两种几何形状类型不同的粉体组成。所含的两种不同的粉体材料的形状一种为常规粒状粉体，另一种为柱状粉体。所含的粒状粉体的粒径大小为3微米到30微米之间，柱状粉体的粒径范围为3微米到30微米之间。所含的柱状粉体其长度和直径的比例为1.5∶1到10∶1之间。所含的粒状粉体的含量为5％到95％之间，柱状粉体的含量为95％到5％之间。
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